Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Tagaev M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
      
Категорія:    
1.

Tagaev M. B. 
Effect of Ultrasonic Treatment of Silicon Impatt Diodes, Power Schottky Diodes and Zener Diodes on their Electrical Characteristics = Вплив ультразвукової обробки кремнієвих лавинно-пролітних діодів, силових діодів Шотткі та стабілітронів на їх електричні характеристики / M. B. Tagaev // Укр. фіз. журн. - 2000. - 45, № 3. - С. 364-367. - Библиогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.24

Рубрики:
 Опірні діоди (напівпровідникові стабілітрони) 

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Boltovets N. S. 
Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes / N. S. Boltovets, N. M. Goncharuk, V. A Krivutsa, V. E Chaika, R. V. Konakova, V. V. Milenin, E. A Soloviev, M. B. Tagaev, D. I Voitsikhovskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 352-358. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-03

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
3.

Tagaev M. B. 
Effect of ultrasound treatment of silicon IMPATT diodes on reverse branches of their I - V curves / M. B. Tagaev // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 601-603. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Корпусовані кремнієві двопрольотні лавинно-прольотні діоди (ЛПД) були оброблені ультразвуком. Це спричинило істотне зменшення зворотного струму діодів та поліпшило стабільність їхніх вольтамперних характеристик. Наступне перебування діодів на відкритому повітрі протягом трьох місяців не привело до зникнення ефектів.


Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:
 Приймально-підсилювальні лампи 

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського