Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
Пошуковий запит: (<.>A=Tsybrii Z$<.>) | |||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 10 Представлено документи з 1 до 10 |
|||||
| 1. | Sizov F. Nanoindentation-induced phase transformations in HgCdTe epitaxial heterostructures = Індуковані наноіндентуванням фазові переходи в епітаксійних гетероструктурах HgCdTe / F. Sizov, A. Richter, Ye. Bilevych, Z. Tsybrii, K. Kubica, R. Ries, Yu. Sidorov // Укр. фіз. журн. - 2005. - 50, № 1. - С. 46-51. - Библиогр.: 21 назв. - англ. Епітаксійні гетероструктури кадмій - ртуть - телур (КРТ), вирощені за допомогою методів молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ) та рідкофазної епітаксії (РФЕ), досліджено з використанням методу наноіндентування для виявлення можливих фазових переходів в околі гетеромежі. Криві навантаження - зміщення під час наноіндентування гетероструктур на основі КРТ, вирощених за допомогою методу МПЕ на підкладках GaAs з буферним шаром ZnTe/CdTe, показали характерну "ліктеподібну" поведінку ділянок кривих за відсутності навантаження. У гетероструктурах КРТ, вирощених за допомогою методу РФЕ на підкладках ZnCdTe, чіткіше виражений згин на аналогічних кривих і навіть спостерігається розрив залежностей, який в обох випадках (МПЕ та РФЕ), ймовірно, пов'язаний зі структурними фазовими переходами в околі гетеромежі. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 2. | Momot N. Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature / N. Momot, V. Zabudsky, Z. Tsybrii, M. Apats'ka, M. Smoliy, N. Dmytruk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2. - С. 166-169. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 3. | Vuichyk M. V. Morphologic and optical characterization of ZnO:Co thin films grown by PLD / M. V. Vuichyk, Z. F. Tsybrii, S. R. Lavoryk, K. V. Svezhentsova, I. S. Virt, A. Chizhov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2014. - 17, № 1. - С. 80-84. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 4. | Sizov F. HgCdTe photodiodes for infrared mid-wavelength region = Фотодиоды HgCdTe средневолнового ИК диапазона спектра / F. Sizov, Z. Tsybrii, M. Vuichyk, K. Andreyeva, M. Apatska, S. Bunchuk, N. Dmytruk, M. Smolii // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2016. - 13, № 1. - С. 49-55. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 5. | Sizov F. F. Detection of IR and sub/THz radiation using MCT thin layer structures: design of the chip, optical elements and antenna pattern / F. F. Sizov, Z. F. Tsybrii, V. V. Zabudsky, M. V. Sakhno, A. V. Shevchik-Shekera, S. Ye. Dukhnin, A. G. Golenkov, E. Dieguez, S. A. Dvoretsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2016. - 19, № 2. - С. 149-155. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Two-color un-cooled narrow-gap MCT (mercury-cadmium-telluride) semiconductor thin layers, grown by liquid phase epitaxy or molecular beam epitaxy methods on high resistivity CdZnTe or GaAs substrates, with bow-type antennas were considered both as sub-terahertz direct detection bolometers and 3 - 10-micrometer infrared photoconductors. Optical system with aspheric THz lenses were designed and manufactured. An antenna pattern of structures on the thick substrate was discussed, and sensitivity of detector in both IR and sub-THz regions was measured. Індекс рубрикатора НБУВ: З845.4 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 6. | Shapovalov A. P. Structure and optical properties of AlN films obtained using the cathodic arc plasma deposition technique / A. P. Shapovalov, I. V. Korotash, E. M. Rudenko, F. F. Sizov, D. S. Dubyna, L. S. Osipov, D. Yu. Polotskiy, Z. F. Tsybrii, A. A. Korchovyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2015. - 18, № 2. - С. 117-122. - Бібліогр.: 18 назв. - англ. Aluminum nitride (AlN) film coatings have been obtained by a new technique of hybrid helikon-arc ion-plasma deposition. Possibility to combine the magnetic-filtered arc plasma deposition technique with a treatment in RF plasma of helicon discharge allowed us to deposit AlN coatings on thermolabile substrates, significantly increasing the deposition rate. A study of spectral properties of AlN films (reflection and transmission spectra within the range 2 - 25 µm) has been carried out by using the infrared Fourier spectrometer Spectrum BX-II. It has been shown that the obtained composite structures (AlN coatings on teflon and mylar substrates) could be used as passive filters in the infrared spectral range. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж671 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 7. | Tsybrii Z. F. Infrared blocking materials = Матеріали, які блокують інфрачервоне випромінювання / Z. F. Tsybrii, F. F. Sizov, A. G. Golenkov // Доп. НАН України. - 2020. - № 2. - С. 24-28. - Бібліогр.: 3 назв. - англ. Тонкі плівки AlN на гнучких полімерних підкладках тефлону та майлару характеризуються властивостями ефективних інфрачервоних (ІЧ) блокуючих фільтрів. Вони можуть придушувати теплові потоки від гарячих частин об'єктів (T ~ 300 - 500 K) і блокувати ІЧ випромінювання від них, але є прозорими у видимому, мікрохвильовому та ТГц спектральних діапазонах на відміну від спеціальних фарб, що демонструють відносно високу випромінювальну здатність в ІЧ області спектра. Індекс рубрикатора НБУВ: В349.1 + В342.8 фільтри Рубрики: Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 8. | Tsybrii Z. F. Spintronics phenomena induced by THz radiation in narrow-gap HgCdTe thin films in an external constant electric field = Явища спінтроніки, індуковані ТГц випромінюванням, у вузькощілинних тонких плівках HgCdTe у зовнішньому постійному електричному полі / Z. F. Tsybrii, S. N. Danilov, J. V. Gumenjuk-Sichevska, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, E. O. Melezhik, F. F. Sizov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 2. - С. 185-191. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
| 9. | Melnichuk O. V. Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics = Особливості спектрів дзеркального інфрачервоного відбивання кераміки на основі оксиду цинку / O. V. Melnichuk, N. O. Korsunska, I. V. Markevich, V. V. Boyko, Yu. O. Polishchuk, Z. F. Tsybrii, L. Yu. Melnichuk, Ye. F. Venger, V. P. Kladko, L. Yu. Khomenkova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2021. - 24, № 4. - С. 390-398. - Бібліогр.: 28 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Категорія: Фізика | |||||
| 10. | Sizov F. F. Spin-dependent polarization response in HgCdTe hot-electron bolometers = Спін-залежний поляризаційний фотовідгук у HgCdTe болометрах на гарячих електронах / F. F. Sizov, J. V. Gumenjuk-Sichevska, S. N. Danilov, Z. F. Tsybrii // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2022. - 25, № 3. - С. 254-261. - Бібліогр.: 30 назв. - англ.
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ | ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського