Ключ. слова: тунельний дiод, 2D електрони, дельта-легування
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: резонансне тунелювання, gamma-випромiнювання, дефекти
Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:

Приймально-підсилювальні лампи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A theoretical and experimental justification of an approach proposed and developed by us for surface impedance standard measurements of HTS films is presented. An analysis of the electromagnetic properties of quasi-optical dielectric resonators with conducting endplates, which provides a theoretical background for studies of HTS films in the millimeter wave range, is performed. With this technique, the highest quality modes, namely whispering gallery modes, are excited in a dielectric cylindrical disc sandwiched between HTS films. Considerable enhancement of the sensitivity of surface resistance measurements in the millimeter wave range is demonstrated, which is important for the fundamental investigation of superconductor physics. It is also shown that the measured frequency shift in the resonator with the HTS endplates as a function of the temperature reveals a possibility for accurate evaluation of the field penetration depth in HTS films.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено зразки двобар'єрних резонансно-тунельних діодів (ДБ-РТД) на основі гетероструктур GaN/AlGaN, вирощених за допомогою плазмової молекулярно-променевої епітаксії. За допомогою методів тунельної та ємнісної спектроскопії проведено вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) та вольт-фарадних залежностей удіапазоні температур від 4,2 K до 300 K. Знайдено, що вимірювані характеристики мають складний нелінійний характер поведінки та розриви ВАХ. Це можна пояснити наявністю поляризаційних полів та інтерфейсних дефектів. Ці ефекти сильно впливають на вигляд потенціального профілю ДБ-РТД структур. Проведено числове моделювання даних структур з використанням математичної моделі, що базується на нерівноважних функціях Гріна в реальному часі. На підставі порівняльного аналізу експериментальних і теоретично розрахованих величин показано, що струмову нестабільність та нелінійність характеристик нітридних ДБ-РТД можна пов'язати з захопленням і утриманням електронів у межових та дислокаційних станах гетероструктур.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Mechanical properties: The Vickers hardness and bending strength of porous biomorphic SiC (bioSiC) ceramics fabricated from different natural hardwoods were investigated. It was been found that these parameters are highly dependent on the geometrical densities of ceramics, and Vickers hardness values can be well described using the Ryskevitch-type equation. It is shown that the data of geometrical density bioSiC ceramics can be used to estimate mechanical parameters such as bending strength. Materials with advanced properties appropriate for surgical applications are being designed. Further ways to improve the mechanical properties of ceramics and ceramic products are been discussed.

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.74

Рубрики:

Діелектричні хвилеводи

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35

Рубрики:

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.7

Рубрики:

Опори. Реостати

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено властивості електронного транспорту у транзисторних гетероструктурах AlGaN/GaN з нанодротами різної ширини. Такі структури широко вивчаються для застосування в електронній біосенсориці завдяки їх електронним та сенсорним перевагам. Досліджено явище збіднення та вплив ультрафіолетового збудження на електронний транспорт у наборах нанодротів різної ширини від 1110 до 185 нм. Виявлено значну відмінність у поведінці електричної характеристики між широкими (1110 - 480 нм) та вузькими (280 - 185 нм) нанодротами та спостережено області, що відповідають транспорту, обмеженому просторовим зарядом у випадку найтонших нанодротів. Також одержано явну залежність вольтамперної характеристики нанодротів від довжини хвилі та енергії УФ збудження. Зовнішнє УФ збудження надає змогу керувати шириною збідненої зони у нанодротах і, таким чином, оперативно налаштовувати транспорт, обмежений просторовим зарядом.