Розглянуто каналювання релятивістських електронів у заряджених площинах іонних кристалів LiH і LiD. Показано, що у випадку переходу в цих кристалах до високоіндексних кристалографічних площин можливі інверсії потенціальних ям у потенціальні бар'єри. Досліджено вплив температурного фактора на структури потенціалів взаємодії релятивістських електронів з такими високоіндексними зарядженими площинами. У випадку заряджених площин (111) проведено розрахунок енергетичних рівнів і спектральних інтенсивностей, а на їх основі здійснено ідентифікацію спектральних ліній з експериментально існуючими спектрами випромінювання.

Проведено дослідження процесу каналювання релятивістських електронів у заряджених площинах іонного кристала LiF, зокрема показано, що у випадку переходу в цьому кристалі до високоіндексних кристалографічних площин відбуваються інверсії потенціальних ям у потенціальні бар'єри. Досліджено вплив температурного фактора на структури потенціалів взаємодії релятивістських електронів з такими високоіндексними зарядженими площинами. У випадку заряджених площин (111) проведено аналітичний розрахунок енергетичних рівнів і спектральних інтенсивностей, а на їх основі здійснено ідентифікацію спектральних ліній з експериментально існуючими спектрами випромінювання. Зроблено акцент на позитроноподібність орієнтаційного руху електронів в заряджених кристалографічних площинах.

Розглянуто хвилеві розв'язки рівнянь теплопровідності для класичної моделі, а також для 2-х альтернативних нестаціонарних моделей. Наведено результати моделювання поширення температурних імпульсів з урахуванням дисперсійних співвідношень, одержаних на основі класичної моделі теплопровідності, гіперболічної моделі теплопровідності та моделі з часом затримки.