Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 е(4УКР) л2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В3 е(4УКР) л2

Рубрики:

Фізика

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Подано стислу історичну довідку про розвиток теоретичних досліджень, розпочатих у різні часи в Інституті фізики НАН України. Крізь призму особистого внеску визначних теоретиків, їх колег і учнів відтворено першопочатки і розвиток наукових колективів і шкіл, чия творча діяльність активно триває і в наші дні. Описано з'яву і становлення першої дослідної фізичної установи - Інституту фізики, визначної ролі в цім Олександра Гольдмана, учня Йосипа Косоногова. Зазначено, що почав теоретичні дослідження в Інституті фізики професор Леон Кордиш, що утривалив традиції теоретичних студій, започатковані в Університеті Св. Володимира професором Миколою Шіллером і розвинені Йосипом Косоноговим. По смерті Кордиша чотири роки розвій теоретичних студій визначав Лев Штрум, що знаний оригінальністю й майстерним підходом до складних проблем. Після ліквідації Штрума й ув'язнення Гольдмана два роки результативної праці в Інституті фізики належать Розену. З початком німецько-радянської війни інститут вивезли до Уфи, де роботу було скеровано на оборонну тематику, сам інститут суттєво скорочено й об'єднано з Інститутом математики. У 1944 р. інститут повернули до Києва, його очолив академік Олександр Лейпунський, а теоретичні дослідження головно вели Соломон Пекар зі співробітниками й Олександр Давидов з його групою. До 1960 р. Пекар створив потужний колектив теоретиків, з яким він перейшов до новоствореного Інституту напівпровідників. Від 1964 р. з утворенням нового теоретичного відділу, очолюваного Давидовим, розширено й поглиблено тематику дослідження властивостей молекулярних кристалів. Важливими для науки й історії теоретичних досліджень в Інституті фізики були кількарічні епізоди праці в ньому Миколи Миколайовича Боголюбова й професора Олексія Ситенка. Колишні співробітники й учні зазначених видатних учених і тепер активно рухають вперед теорію. А власне в Інституті фізики дуже плідно працює колектив теоретичного відділу під проводом члена-кореспондента НАНУ Петра Михайловича Томчука.

Si - CN films exhibit high mechanical and optoelectronic properties such as photoconductivity, photoluminescence, variable energy gap in the range of 1,37 - 5,2 eV, high mechanical and thermal strength, low thermal expansion, which allows them to be used in semiconductor devices, and in microelectronic mechanical systems. They are obtained by chemical deposition methods, and to activate the reaction using thermal heating, plasma or ultraviolet radiation, and by physical methods of deposition at relatively low temperatures by magnetron sputtering. The structure of the films can vary from microcrystalline to amorphous, the main influence being the deposition temperature. Chemical bonding in films is carried out mainly due to the interaction of Si - N, Si - C, C - C, C - N. Despite a significant amount of experimental work to study the properties of Si - C - N films, there are virtually no studies of films deposited by plasma chemical methods using hexamethyldisilazane as the main precursor. The review analyzes the influence of the main parameters of plasma chemical deposition, such as substrate temperature, reagent flow rate, high-frequency discharge power and displacement on the substrate on the physical properties of the films. It is shown that the main mechanism of transport of charge carriers in the investigated films is the space charge limited current. Based on electrical measurements, a number of band parameters as well as parameters of deep traps in a-SiCN films were estimated for the first time.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35 + В378.25

Рубрики:

Плазмові коливання

Поверхневі явища в монокристалах металів

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Р345.1 с

Рубрики:

Дослідження крові

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Четвертьволновые суперахроматические пластины широко используются для преобразования линейной поляризации в круговую, для поляризационных измерений, для предотвращения обратного отражения в оптических изоляторах. Многокомпонентные полимерные суперахроматические волновые пластины могут состоять из любого нечетного числа компонентов, симметрично расположенных относительно центрального. Исследованы закономерности влияния конструкции многокомпонентных четвертьволновых суперахроматических пластин на область их ахроматизации и форму кривой зависимости фазового сдвига от длины волны. Оптимизация конструкции проведена для пяти- и семикомпонентных четвертьволновых суперахроматических пластин. Экспериментально показано, что незначительные изменения углов поворота оптических осей внутренних компонент волновых пластин, по сравнению с теоретическими, приводит к расширению спектральной области ахроматизации пластин, изменению формы кривой зависимости фазового сдвига от длины волны и сдвигу этой зависимости по оси ординат.

Проведено огляд та моделювання впливу механічних напружень на коефіцієнт розпилення кремнію іонним пучком. Показано, що утворюваний під час іонного розпилення кратер є концентратором напружень, які можуть досягати екстремальних величин. Моделювання прогнозує збільшення коефіцієнта розпилення до 40 %, що пов'язано з інтенсивною деформаційно-стимульованою міграцією слабозв'язаних поверхневих атомів по поверхні стінок і дна кратера, яка відбувається у процесі іонного розпилення.

Рассмотрены общие принципы изготовления волновых пластин. Исследована возможность формирования искусственной оптической анизотропии полиметилметакрилата (ПММА) с помощью метода его одноосной вытяжки. Изучены закономерности формирования искусственной оптической анизотропии ПММА. Измерены зависимости величин двулучепреломления одноосно вытянутого ПММА от температуры вытяжки и степени вытяжки. Измерена спектральная зависимость величины двулучепреломления. Изготовлены ахроматические и суперахроматические волновые пластины из одноосно вытянутого ПММА. Приведены спектральные характеристики фазового сдвига изготовленных волновых пластин.

Індекс рубрикатора НБУВ: В342.8

Рубрики:

Окремі види оптичних приладів

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано основні етапи біографії, а також наукову, викладацьку й організаційнй діяльність директора Інституту фізики АН УРСР, академіка АН УРСР О. Г. Гольдмана. Систематизовано наукову спадщину академіка Гольдмана, заборонену на довгий час цензурою до публічного обігу, що призвело до замовчування його діяльності. Відзначено основні наукові напрямки з фізики та техніки напівпровідників, закладені акад. О. Г. Гольдманом в Україні до 1938 р., що надає змогу встановити їх пріоритетний характер. Проаналізовано особливості взаємовідносин провідних на той час в СРСР наукових шкіл з фізики напівпровідників, очолюваних академіками А. Ф. Йоффе та О. Г. Гольдманом, які могли вплинути на його арешт у 1938 р.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.35

Рубрики:

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально доведено, що використання додаткового наношару політетрафторетилену (ПТФЕ) на поверхні плівки золота чутливого елемента ППР-сенсора забезпечує підсилення відгуку для зразків з шаром ПТФЕ товщиною 30 та 40 нм до насичених парів метанолу, етанолу, ацетону та ізопропанолу за рахунок збільшення площі поверхні взаємодії. У представленій роботі досліджено ППР-сенсори з додатковим шаром ПТФЕ товщинами 5, 10, 20, 30, 40 та 50 нм. Підсилення відгуку узгоджується зі збільшенням площі поверхні чутливого елемента сенсора з коефіцієнтом кореляції 0,88. Шорсткість поверхні спочатку зростає через збільшення її неоднорідності (для товщини ПТФЕ - від 5 до 40 нм включно), а потім спадає через утворення більш однорідного шару ПТФЕ (для товщини ПТФЕ 50 нм). Для чутливого елемента з товщиною ПТФЕ 20 нм чутливість падає внаслідок процесів розсіяння, що характерно для тонких неоднорідних плівок товщиною менше 15 нм. При цьому для чутливого елемента з товщиною шару ПТФЕ 30 нм демонструється найбільше зростання відгуку: майже утричі для насичених парів ацетону. Для зразків з товщиною ПТФЕ 50 нм спостерігалось поглинання енергії для товстих плівок, що супроводжується додатковим розширенням резонансної характеристики та зменшення відгуку ППР-сенсора через зменшення площі взаємодії з аналітом. Відгук для всіх значень товщини ПТФЕ на насичені пари ацетону був більшим, ніж на насичені пари метанолу, що може бути пов'язано як з різними розмірами та молярними масами молекул газів (58,08 г/моль для ацетону та 32,04 г/моль для метанолу), так із полярністю молекул. З погляду найбільшої чутливості та селективності, плівки ПТФЕ товщиною 30 нм можуть використовуватись для детектування парів органічних речовин та розробки газових ППР-сенсорів.

Розглянуто актуальні питання ризиків експлуатації безпілотних літальних апаратів (БПЛА) з літій-полімерними акумуляторами. На сьогодні БПЛА знайшли широке застосування в таких галузях, як медицина, сільське господарство, відеознімання, нафтогазова галузь, екологічний моніторинг, військова справа. Таке широке застосування БПЛА зумовлює актуальність питання забезпечення безпеки польоту такого літального апарата. Мета роботи - розроблення сенсорної системи моніторингу стану літій-полімерної акумуляторної батареї та системи прийняття рішення щодо продовження або припинення виконання польотного завдання БПЛА для безпечного повернення додому. На основі експериментальних термографічних досліджень залежності температури акумуляторів від їх розрядження вперше встановлено нелінійний характер цієї залежності. Використання одержаних термографічних результатів надало змогу розробити алгоритм та, на основі нечіткої логіки, надати пропозиції щодо системи керування БПЛА для забезпечення їх польоту та гарантованого повернення "додому". Розроблено метод моніторингу стану літій-полімерних акумуляторних батарей, адаптований до умов та особливостей використання на БПЛА. Він полягає в контролі вихідної напруги ЛПАБ, її поверхневої температури та температури на борту БПЛА і сили вітру під час його польоту в режимі реального часу та порівнянні одержаних даних з еталонними характеристиками, що занесені в пам'ять бортового мікрокомп'ютера БПЛА з подальшим винесенням рекомендацій щодо корекції польотного завдання. Для визначення дії вітру БПЛА може бути оснащеним спеціальним датчиком, який вимірює силу вітру. На сьогодні існує багато мініатюрних датчиків швидкості вітру, які можуть бути пристосовані, або на їх основі можуть бути зроблені спеціалізовані датчики для БПЛА. Якщо система контролю не передбачає наявності датчика вітру, то можна використовувати мінімальні значення, розраховані за програмою, для забезпечення гарантованого повернення літального апарата. Запропоновано систему моніторингу електрозабезпечення безпілотного літального апарата (СМЕ БПЛА). Запропонована структура повністю автономна, тобто розміщена на борту БПЛА і не потребує втручання наземного оператора у процес польоту, що, в свою чергу, забезпечує мінімізацію ризику втрати БПЛА у разі відсутності зв'язку із наземним пунктом керування.

Релаксація фотопровідності та час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії визначається з системи двох трансцендентних рівнянь. Рівняння виведено на основі моделі релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії, яка враховує проникнення світла в макропори та освітлення монокристалічної підкладки та вихідного макропористого кремнію через дно макропор. Одержана система рівнянь подібна до системи двох рівнянь, яка описує релаксацію фотопровідності в монокристалічному кремнії. Відмінність полягає в тому, що в рівняннях містяться вирази, які описують процеси, що відбуваються в макропористих шарах та на межі макропористого шару та монокристалічної підкладки. За відсутності макропор ця система рівнянь перетворюється в систему рівнянь для визначення релаксації фотопровідності в монокристалічному кремнії. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії знайдено з нестаціонарного рівняння дифузії неосновних носіїв заряду. Розв'язок нестаціонарного рівняння дифузії, записаного для кожного з макропористих шарів та монокристалічної підкладки, доповнюється граничними умовами на поверхнях зразка макропористого кремнію та на межі між макропористим шаром і монокристалічною підкладкою. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії залежить від таких величин, як об'ємний час життя неосновних носіїв заряду, коефіцієнт дифузії неосновних носіїв заряду, товщина монокристалічної підкладки між макропористими шарами. А також величин, записаних для кожного макропористого шару: глибина макропор, середній діаметр макропор, середня відстань між центрами макропор, об'ємна частка макропор, швидкість поверхневої рекомбінації. Розрахунки показали, що релаксація фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії визначається рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор кожного макропористого шару та обмежується дифузією носіїв заряду з підкладки до рекомбінаційних поверхонь. Час релаксації фотопровідності у двосторонньому макропористому кремнії розраховано та представлено на рисунку залежно від глибини макропор.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.5

Рубрики:

Перетворювачі та випрямлячі

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ