Пошуковий запит: (<.>A=Катеринчук В$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 15
Представлено документи з 1 до 15
|
| 1. | Ж26988 Катеринчук В. М. Гетероперехід GaSe - InSe із властивостями структур напівпровідник - тонкий діелектрик - напівпровідник [Текст] 45: 1 // Укр. фіз. журн.-С.87-91
|
| 2. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел - InSe - окисел" [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.38-40
|
| 3. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.7-9
|
| 4. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Влияние <$Ebold gamma>-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.47-48
|
| 5. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Гетеропереход на основе кристалла <$Eroman {FeIn sub 2 Se sub 4}>, полученного методом Бриджмена [Текст]: 5 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.43-45
|
| 6. | Ж14479 Катеринчук В. Н. Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов <$Eroman bold {SnS sub 2 }> [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.41-42
|
| 7. | РА359279 Катеринчук В. М.Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10.- URL: /ard/2008/
|
| 8. | Ж24835 Катеринчук В. М. Температурна динаміка спектрів поляризаційної чутливості гетеропереходів власний оксид - р-InSe [] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013. т.Т. 10,N № 4.-С.92-96
|
| 9. | Ж100357 Ковалюк З. Д. Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3/p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2013. т.Т. 5,N 3 (ч. 2).-С.03027-1-03027-5
|
| 10. | Ж24835 Ковалюк З. Д. Топологія поверхні тонкої оксидної плівки ZnCdO гетеропереходу n-ZnCdO - p-GaSe [] // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2015. т.Т. 12,N № 2.-С.78-81
|
| 11. | Ж26618 Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO - p-InSe [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2013. т.Т. 14,N № 1.-С.218-221
|
| 12. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO-p-InSe [] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015,N № 5/6.-С.50-54
|
| 13. | Ж100357 Кудринський З. Р. Структура окиснених і неокиснених поверхонь шаруватих кристалів InTe [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2015. т.Т. 7,N № 4.-С.04049-1-04049-4
|
| 14. | Ж100357 Катеринчук В. М. Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In4Se3 [] // Журнал нано- та електронної фізики, 2016. т.Т. 8,N № 3.-С.03032-1-03032-4
|
| 15. | Ж26618 Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe [] // Фізика і хімія твердого тіла, 2016. т.Т. 17,N № 4.-С.507-510
|
Простий пошук
Віртуальна довідка