Пошуковий запит: (<.>U=З854.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 243
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Ж29221 Мартыненко С. О. Зависимость параметров фотоприемника от структуры p-i-n диода [Текст]: Вып. 110 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.106-112
|
| 2. | Ж27665/рад.эл. Хрипко С. Л. Исследование электрофизических и оптических характеристик ITO/nSi/n+-Si фотопреобразователей с различной структурой поверхности кремния [Текст] 41: 11 // Изв. вузов. Радиоэлектроника .-С.67-72
|
| 3. | Ж29221 Шостко C. Н. Исследование эффектов воздействия мощного широкополосного оптического излучения на оптико-электронные приборы [Текст]: Вып. 108 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.146-152
|
| 4. | Ж16425 Bogoboyashchiy V. V. Effect of annealing on activation of native acceptors in narrow-gap p-HgCdTe crystals [Текст] 2: 1 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.-С.62-69
|
| 5. | Ж29221 Антонова В. А. К вопросу о новых конструктивно-технологических решениях при создании высокоэффективных кремниевых фотоприемников большой площади [Текст]: Вып. 109 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.131-138
|
| 6. | Ж60673 Горбань А. П. Оптимизация параметров кремниевых солнечных элементов с n+ - p - p+-структурой. Теоретические соотношения [Текст]: Вып. 34 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.119-128
|
| 7. | Ж60673 Семикина Т. В. Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода alpha-C/Si [Текст]: 33 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-С.163-167
|
| 8. | Ж29221 Стрелков А. И. Сравнительный анализ вероятностного и детерминированного методов ослабления световых потоков [Текст]: Вып. 108 // Радиотехника:Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон.-С.27-33
|
| 9. | Ж14479 Добровольский Ю. Г. Двухспектральный фотоприемник [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.18-22
|
| 10. | Ж14479 Иванченко И. А. Дистанционный оптико-электронный датчик с растровой решеткой [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.31-34
|
| 11. | Ж14479 Войцеховский А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/<$Eroman bold {SiO sub 2 "/"Si sub 3 N sub 4 }> [Текст]: 4 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.35-38
|
| 12. | Ж14479 Ковалюк З. Д. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел - InSe - окисел" [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.38-40
|
| 13. | Ж14479 Рюхтин В. В. Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.4548
|
| 14. | Ж14479 Рева В. П. Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.56-60
|
| 15. | Ж14479 Корнейчук В. И. Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.54-55
|
| 16. | Ж14479 Докторович И. В. Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников [Текст]: 6 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.14-15
|
| 17. | Ж14479 Колежук К. В. Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6 [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.49-50
|
| 18. | Ж14479 Колежук К. В. Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения [Текст]: 3 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.51-52
|
| 19. | Ж14479 Викулина Л. Ф. Определение диаметра луча с помощью фотоприемника [Текст]: 2 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.30-31
|
| 20. | Ж14479 Марончук И. Е. Получение кремния электродным восстановлением продуктов пиролиза рисовой лузги [Текст]: 1 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.-С.42-42
|
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка