Рассмотрены вопросы контроля технологических параметров выращивания слитков кремния большого диаметра, метод контроля диаметра слитка и мениска в процессе роста, контроля уровня расплава, основанный на анализе видеоизображения, получаемого с телевизионной камеры, а также метод контроля температуры расплава. Приведены оценки адекватности стохастических моделей передаточных функций системы управления процессом выращивания монокристаллов кремния, надежности оптоэлектронных систем с многоэлементными светодиодными шкальными индикаторами. Освещены вопросы идентификации параметров математической модели примеси кислорода в расплаве кремния.

Проанализировано влияние отклонения исходного состава расплава от стехиометрии на концентрацию фоновых примесей в кристаллах полуизолирующего нелигированного GaAs, выращенных методом Чохральского с жидкостной герметизацией в камере низкого давления. Рассмотрены проблемы определения кинематических параметров шлифования кремниевых пластин на станке САШ-420М. Предложены процедура оптимизации параметров шлифования пластин, алгоритм управления параметрами процесса шлифовки кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Освещены особенности термического разделения различных эмульсионных сред с учетом установленных закономерностей фазовых переходов и гидродинамики вихревого течения.

Розглянуто питання моделювання процесу утворення мікродефектів під час вирощування зливків кремнію діаметром 200 мм, а також оптимізації процесу зонної очистки телуру від домішки атомів кисню. Висвітлено фізико-технічні аспекти підвищення радіаційної стійкості виробів електронної техніки. Проаналізовано систему ідентифікації мікродефектів зливків кремнію за допомогою телевізійного методу, інформаційну модель тракту передачі енергії випромінювання розплаву кремнію на пірометричний приймач. Описано методи реалізації взаємодії програмних модулів, реалізованих мовою JAVA з функціональним програмним забезпеченням. Розкрито вплив інформаційних технологій на реінжиніринг бізнес-процесів підприємств.

Рассмотрены вопросы моделирования процесса образования микродефектов в условиях выращивания слитков кремния диаметром 200 мм, а также вопросы оптимизации процесса зонной очистки теллура от примеси атомов кислорода. Освещены физико-технические аспекты повышения радиационной устойчивости изделий электронной техники. Проанализированы система идентификации микродефектов слитков кремния с помощью телевизионного метода, информационная модель тракта передачи энергии излучения расплава кремния на пирометрический приемник. Представлены методы реализации взаимодействия программных модулей, реализованных на языке JAVA с функциональным программным обеспечением. Изучено влияние информационных технологий на реинжиниринг бизнес-процессов предприятий.

Проведено дослідженя результати яких дали змогу враховувати найбільш важливі вимоги споживачів до художньо-композиційного рішення, вибору та насиченості кольорів, а також стилю одягу та конструктивно-декоративних елементів.

Результаты проведенных исследований дали возможность учесть наиболее важные требования потребителей к художественно-композиционному решению, цветовому решению, насыщенности цветовой гаммы, а также относительно стиля одежды и конструктивно-декоративных элементов.

The outcomes of the carried outresearches have enabled to take into account the most important demands of customers to an art and composite solution, colour score, saturation colour, and also style of clothes both constructive and dingbats.

Розглянуто призначення та можливості текстового процесора Word, зокрема, режими перегляду та редагування (обробку тексту, настроювання панелі інструментов), ефективні способи форматування (шрифту, абзацу), засоби підвищення швидкості роботи з документом (автотекст, автозаміну, автоформат, бібліотеку стилей), роботу з таблицями. Проаналізовано графічні можливості Word: створення та обробку графічних об'єктів, вставку зображень у документи. Розкрито суть основних понять інтерфейс-редактора Visual Basic.

Рассмотрены назначение и возможности тестового процессора Word, в частности, режимы просмотра и редактирования (обработка текста, настраивание панели инструментов), эффективные способы форматирования (шрифта, абзаца), средства повышения скорости работы с документом (автотекст, автозамена, автоформат, библиотека стилей), работа с таблицами. Проанализированы графические возможности Word: создание и обработка графических объектов, вставка изображений в документы. Раскрыта сущность основных понятий интерфейс-редактора Visual Basic.

Описана технология контроля качества формообразования критических поверхностей коммутационных волоконно-оптических компонентов. Освещены факторы, определяющие радиальный градиент температуры при выращивании бездефектных слитков кремния. Проанализировано влияние рентгеновского, гамма- и нейтронного облучения на фоточувствительные характеристики электронно-дырочных структур. Рассмотрены высокоточный метод контроля скорости выращивания слитков кремния, способ автоматизированного контроля температурных процессов при выращивании слитков монокристаллов кремния, вопросы моделирования температурных градиентов в системе расплав - кристалл в процессе выращивания монокристаллов кремния.

Індекс рубрикатора НБУВ: У049(4Укр) + У9(4Укр)23

Рубрики:

Економічна географія окремих країн (економіко-географічне країнознавство)

Економіка окремих країн і частин світу

Шифр НБУВ: Ж69299 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Освещены особенности применения и приведены характеристики сцинтилляторов для рентгеновской интроскопии. Приведены результаты исследования детекторов на основе сцинтиллятора и фотоприемного устройства для цифровой радиографии, однородности свойств неорганических сцинтилляторов. Изучено влияние адсорбции газов на фотовольтаические эффекты в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении. Описаны электретные свойства кристаллов силикосилленита, рассмотрены вопросы диэлектрической релаксации в его легированных кристаллах, восстановления сигнала спектрометра на базе широкополосного перестраиваемого светофильтра методом обратной задачи. Приведены спектрометрические характеристики сцинтилляторов ZnSe, легированных кадмием. Проанализированы процесс теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского с применением математического моделирования, особенности получения и свойства монокристаллов кремния, выращенных в атмосфере азота.

Определены факторы, влияющие на возникновение микродефектов в бездислокационных слитках кремния. Рассмотрены вопросы математического моделирования термо- и гидродинамических процессов в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов методом Чохральского. Освещена спецификация прогнозирующей модели для системы оперативного управления производством монокристаллов кремния. Описана методика определения неравномерности содержания кислорода в слитках кремния большого диаметра. Предложены новые сверхвысокочастотные методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Проанализировано влияние динамики управления нагревателем на структурное совершенство кристаллов кремния большого диаметра, выращиваемых методом Чохральского. Изложен системный подход к построению регрессионной модели по временным рядам. Рассмотрены принципы построения интеллектуальных сетей пьезоэлектрических датчиков деформации, система анализа и идентификации изображений дистанционного зондирования с применением вейвлет-преобразования. Изучены ресурсосберегающие способы переработки отходов твердых сплавов карбид вольфрама-кобальта в растворах фосфорной кислоты, экстракции вольфрама из вольфрамовых руд и концентратов.

Описано сегрегаційні процеси в багатошарових тонких плівках. Розглянуто питання формування плівок силіциду платини на поверхні кремнію зі структурно-домішковими дефектами. Проаналізовано вплив телуру на гальваномагнітні властивості вісмуту, механізми реакцій дефектів домішок перехідних металів у кремнії. Висвітлено кінетику процесу конверсії тетрахлориду кремнію. Наведено технологічні вимоги до сплавів металів, використовуваних для виробництва робочих органів машин, що працюють в газових середовищах і за високих температур.

Описаны сегрегационные процессы в многослоевых тонких пленках. Рассмотрены вопросы формирования пленок силицида платины на поверхности кремния со структурно-примесными дефектами. Проанализированы влияние телура на гальваномагнитные свойства висмута, механизмы реакций дефектов примесей переходных металлов в кремнии. Освещена кинетика процесса конверсии тетрахлорида кремния. Приведены технологические требования к сплавам металлов, используемых для производства рабочих органов машин, работающих в газовых средах и при высоких температурах.

Розглянуто питання оптимізації процесу дистиляційного очищення телуру від домішкового кисню, зонного очищення компонентів та синтезу телуриду кадмію у багатозонній печі. Проаналізовано транспортні властивості носіїв заряду у радіаційно чутливих монокристалах GaAs. Вивчено вплив інертного газу на концентрацію домішок кисню в кремнії. Описано методи вимірювання термопружних напруг в зливках кремнію великого діаметра, модель автоматизованої системи оперативно-диспетчерського управління кар'єрним автотранспортом.

Рассмотрены вопросы оптимизации процесса дистиляционной очистки теллура от примесей кислорода, зонной очистки компонентов и синтеза теллурида кадмия в многозонной печи. Проанализированы транспортные свойства носителей заряда в радиационно чувствительных монокристаллах GaAs. Изучено влияние инертного газа на концентрацию примесей кислорода в кремнии. Представлены методы измерения термоупругих напряжений в слитках кремния большого диаметра, модель автоматизированной системы оперативно-диспетчерского управления карьерным автотранспортом.

Изложены вопросы технологии и производства электронной техники, информационных технологий и систем, вычислительной техники, инженерной механики, материаловедения и экологической безопасности. Рассмотрены закономерности формирования структурного совершенства в монокристаллах GaAs, по спектрам комбинационного рассеяния света проанализировано влияние дефектов структуры на фоторефрактивные свойства номинальночистых монокристаллов ниобота лития конгруэнтного и стехиометрического состава. Определены причины образования газовых раковин в кремниевых изделиях, полученных методом литья. Описан незагрязняющий метод уменьшения конвекции Марангони (тормокапиллярных потоков) для зонной плавки агрессивных материалов в условиях космической микрогравитации. Освещены особенности моделирования функциональной структуры информационной системы, установлены возможности повышения точности измерения флуктуаций скорости и идентификации турбулентности гидродинамических потоков с помощью гибридных биморфных пьезопреобразователей и комплексных амплитудно-фазовых анализаторов корреляционного типа.

Вивчено показник стехіометричності кристалів GaAs з дисплейними методами хемометрики. Описано емісійні властивості розвиненої кремнієвої поверхні, покритої алмазоподібною плівкою. Проаналізовано вплив теплових умов на вміст кисню та розподіл щільності мікродефектів у процесі вирощування монокристалів кремнію діаметром 200 мм. Розглянуто питання застосування лазерних технологій для виготовлення нанорозмірних структур, формування впорядкованих масивів квантових точок телуриду свинцю за умов пружнопластичної деформації поверхні фториду барію (ІІІ), самоорганізації наноструктур на поверхні шаруватого кристала GaSe, вирощування масивів квантових точок у процесі рідиннофазної епітаксії. Висвітлено метод підвищення точності виміру товщини тонких плівок, визначено зміну їх складу та структури під час напилення з капілярних випарників.

Изучен показатель стехиометричности кристаллов GaAs с дисплейными методами хемометрики. Освещены эмиссионные свойства развитой кремниевой поверхности, покрытой алмазообразной пленкой. Проанализировано влияние тепловых условий на содержание кислорода и распределение плотности микродефектов в процессе выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм. Рассмотрены вопросы применения лазерных технологий для изготовления наноразмерных структур, формирования упорядоченных массивов квантовых точек телурида свинца в условиях упругопластической деформации поверхности фторида бария (ІІІ), самоорганизации наноструктур на поверхности слоевого кристалла GaSe, выращивания массивов квантовых точек в процессе жидкостнофазовой эпитаксии. Представлен метод повышения точности измерения толщины тонких пленок, определено изменение их состава и структуры при напылении с капиллярных испарителей.

Проаналізовано технологічні ефекти цільового впливу на електрофізичні параметри напівпровідникових матеріалів і приладів, вплив теплових умов на монокристалічний кремній, що використовується в перетворювачах інфрачервоного випромінювання. Розглянуто енергостатичний метод визначення технічного стану цифрових пристроїв. Висвітлено особливості алгоритмів цифрової обробки сигналів в адаптивних системах захисту від шумових перешкод, методи об'єднання окремих критеріїв у процесі оптимізації систем управління телекомунікаційними мережами.

Проанализированы технологические эффекты целевого влияния на электрофизические параметры полупроводниковых материалов и приборов, влияние тепловых условий на монокристаллический кремний, используемый в преобразователях инфракрасного излучения. Рассмотрен энергостатический метод определения технического состояния цифровых устройств. Освещены особенности алгоритмов цифровой обработки сигналов в адаптивных системах защиты от шумовых преград, методы объединения отдельных критериев в процессе оптимизации систем управления телекоммуникационными сетями.

Описано електричні властивості епітаксіальних шарів GaAs, отриманих за низької температури в системі Ga-AsC13-H2. Проаналізовано вплив водню на якість литих кремнієвих виробів. Розглянуто питання розробки неруйнуючого способу визначення неоднорідності фотоелектричних властивостей напівпровідникових з'єднань CdxHg1-xTe, алгоритмізації нелінійно-динамічного підходу до прогнозування часових рядів. Висвітлено природу переходів в задачах підвищення ефективності генерацій в лазерах на gGaAS, синтез програмно-апаратного комплексу багатофункціонального діагностування теплових режимів роботи силових електродвигунів.

Описаны электрические свойства эпитексиальных слоев GaAs, полученных в условиях низкой температуры в системе Ga-AsC13-H2. Проанализировано влияние водорода на качество литых кремниевых изделий. Рассмотрены вопросы разработки неразрушающего способа определения неоднородности фотоэлектрических свойств полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe, алгоритмизации нелинейно-динамического подхода к прогнозированию временных рядов. Освещены природа переходов в задачах повышения эффективности генераций в лазерах gGaAS, синтез программно-аппаратного комплекса многофункционального диагностирования тепловых режимов работы силовых электродвигателей.

Розглянуто питання моделювання процесу кристалізації двокомпонентного твердого розчину, утворення вторинних мікродефектів у бездислокаційному монокристалі кремнію, електроміграції домішок в кристалах металів і напівпровідників. Описано програмно-апаратний комплекс керування процесом термічного випаровування, перколяційні 3D моделі структуроутворень металів, алгоритм мультифрактального аналізу зображень тривимірних об'єктів, моделі та технології в системах одержання та обробки фотограмметричних зображень. Наведено порівняльну оцінку технології векторних редакторів Corel Draw і Adobe Illustrator 10.0 під час виготовлення окремих графічних елементів.

Рассмотрены вопросы моделирования процесса кристаллизации двухкомпонентного твердого раствора, образования вторичных микродефектов в бесдислокационном монокристале кремния, электромиграции примесей в кристаллах металлов и полупроводников. Описаны программно-аппаратный комплекс управления процессом термического испарения, перколяционные 3D модели структурообразований металлов, алгоритм мультифрактального анализа изображений трехмерных объектов, модели и технологии в системах получения и обработки фотограмметрических изображений. Приведена сравнительная оценка технологии векторных редакторов Corel Draw и Adobe Illustrator 10.0 при изготовлении отдельных графических элементов.

Проведено оцінку адекватності математичної моделі взаємозв'язку осьового та радіального розподілів питомого електроопору в зливках монокремнію. Проаналізовано вплив умов попередньої термообробки теплового вузла на електрофізичні параметри ПІН GaAs за вирощування монокристалів методом Чохральського. Розглянуто питання 3D-візуалізації розподілу внутрішніх напруг у напівпровідникових пластинах, поляризації люмінесценції в поруватому кремнії, математичного моделювання теплообміну в процесі одержання цеоліту. Описано магнітоелектричні двигуни для сервоприводу.

Проведена оценка адекватности математической модели взаимосвязи осевого и радиального распределений удельного электросопротивления в слитках монокремния. Проанализировано влияние условий предварительной термообработки теплового узла на электрофизические параметры ПИН GaAs при выращивании монокристаллов методом Чохральского. Рассмотрены вопросы 3D-визуализации распределения внутренних напряжений в полупроводниковых пластинах, поляризации люминесценции в пористом кремнии, математического моделирования теплообмена в процессе получения цеолита. Описаны магнитоэлектрические двигатели для сервопривода.

Описано автономні геліоенергетичні системи для мобільних об'єктів. Проаналізовано вплив параметрів меніска на сигнал вагової системи на основі математичної моделі зважування зливки у процесі LEC-вирощування монокристалів арсеніду галію. Розглянуто питання вирощування тонких плівок оксиду цинку за допомогою методу імпульсного лазерного напилення за низьких температур підкладки, застосування нечітких моделей для ідентифікації залежності щільності дислокацій від умов вирощування монокристалів напівпровідників. Визначено профіль розподілу концентрації домішки в процесі дифузійного легування кремнію. Описано автоматизовану систему промислового контролю параметрів зливків монокристалічного кремнію. Викладено нейромережевий підхід до структурного синтезу моделей передатних функцій лінійних динамічних об'єктів, концептуальний підхід до розробки методології системного технологічного проектування гнучких виробничих систем.

Описаны автономные гелиоэнергетические системы для мобильных объектов. Проанализировано влияние параметров мениска на сигнал весовой системы на основе математической модели взвешивания слива в процессе LEC-выращивания монокристаллов арсенида галия. Рассмотрены вопросы выращивания тонких плёнок оксида цинка с помощью метода импульсного лазерного напыления при низких температурах подкладки, применения нечётких моделей для идентификации зависимости плотности дислокаций от условий выращивания монокристаллов полупроводников. Определен профиль распределения концентрации примеси в процессе диффузионного легирования кремния. Описана автоматизированная система промышленного контроля параметров слитков монокристаллического кремния. Изложены нейросетевой подход к структурному синтезу моделей передаточных функций линейных динамических объектов, концептуальный подход к разработке методологии системного технологического проектирования гибких производственных систем.

Описано технологію виготовлення і фотолюмінесцентні властивості нанокристалів Si та Ge в діелектричних матрицях. Проаналізовано вплив тепломасопереносу на розподілення кисню в розплаві під час вирощування зливків кремнію. Розглянуто питання фотолюмінісценції поруватих плівок кремнезему зі структурою аерогелю, удосконалення технології вирощування ниткоподібних кристалів кремнію та дослідження їх магнетизму, управління дефектною структурою бездислокаційних монокристалів кремнію на стадії росту кристалу. Визначено механізми переносу носіїв заряду в нанорозмірному поруватому кремнії. Наведено результати спектроскопічних досліджень впливу ультразвуку на кристали сульфіду цинку.

Описаны технология изготовления и фотолюминесцентные свойства нанокристаллов Si та Ge в диэлектрических матрицах. Проанализировано влияние тепломассопереноса на распределение кислорода в расплавлении в период выращивания слитков кремния. Рассмотрены вопросы фотолюминисценции пористых пленок кремнезема со структурой аэрогеля, усовершенствования технологии выращивания нитеобразных кристаллов кремния и исследования их магнетизма, управления дефектной структурой бездислокационных монокристаллов кремния на стадии роста кристалла. Определены механизмы переноса носителей заряда в наноразмерном пористом кремнии. Приведены результаты спектроскопических исследований влияния ультразвука на кристаллы сульфида цинка.

Висвітлено технологічні аспекти вирощування нанокристалів телуриду свинцю методом осадження газодинамічного потоку пари. Проаналізовано вплив стану електронної підсистеми на величину електричного заряду нерухомих дислокацій у кристалах сульфіду цинку, природу фазового переходу в даних кристалах. Разглянуто питання радіаційної модифікації властивостей кремнієвих транзисторів. Описано особливості вирощування монокристалів кремнію з заданою концентрацією кисню за використання методу Чохральського. Визначено процеси на поверхні та неоднорідності профілів електричних параметрів епітаксійних плівок халькогенідів свинцю.

Освещены технологические аспекты выращивания нанокристаллов телурида свинца методом осаждения газодинамического потока пара. Проанализированы влияние состояния электронной подсистемы на величину электрического заряда неподвижных дислокаций в кристаллах сульфида цинка, природа фазового перехода в данных кристаллах. Рассмотрены вопросы радиационной модификации свойств кремниевых транзисторов. Описаны особенности выращивания монокристаллов кремния с заданной концентрацией кислорода при использовании метода Чохральского. Определены процессы на поверхности и неоднородности профилей электрических параметров эпитаксионных пленок халькогенидов свинца.