The problem of heat transfer by vacancies in simple molecular crystals is considered. The experimental method of obtaining a possible vacancy contribution to thermal conductivity based on a comparative analysis of the behavior of isochoric and isobaric thermal conductivities is proposed. Such an analysis as well as theoretical estimations of the vacancy contribution to thermal conductivity of a number of simple molecular crystals makes it possible to conclude that a maximum value of the vacancy contribution to thermal conductivity does not exceed 3 - 4% of the lattice component even at premelting temperatures. It is suggested that the heat transfer by vacancies may be noticeable in some solid solutions.

За допомогою позитронної спектроскопії досліджено еволюцію дефектної структури за умов ізохронного відпалювання загартованих у воді сплавів Cu - 4,83 % ат. In і Cu - 4,94 % ат. Sn. Виявлено аналогічний характер змін параметрів позитронних спектрів з температурою відпалу в обох сплавах. Дефектна структура залишається незмінною до 450 К. В інтервалі від 450 до 550 К концентрація утворених під час гартування нерівноважних вакансій зменшується. Вище за 550 К анігіляційні характеристики стабілізуються і залишаються майже незмінними до температури переходу в однофазну область. Після перетину цієї температури вони починають змінюватися знов. Доведено, що нерівноважні вакансії утворюють з атомами легуючого елемента комплекси, які беруть участь у процесі розпаду пересиченого твердого розчину, транспортують легуючі атоми до зародків нової фази і сприяють релаксації напруг на межах виділень, які виникають внаслідок різниці питомих об'ємів твердого розчину і випадаючої фази.

Ключ. слова: diffusion mechanism, vacancy, dynamic pairs, activation barrier, static relaxation
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.31

Рубрики:

Дефекти

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.714

Рубрики:

Фотоелектричні явища (фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В345 + В378.26 + К232.026

Рубрики:

Люмінесценція

Тонкі шари металів

Тонкі шари (плівки) важких кольорових металів і сплавів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, селенід свинцю, легування, квазіхімічні рівняння
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.402.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) свинцю та його сплавів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено результати квантовохімічних розрахунків процесів адсорбції і десорбції водню на кластерах, що моделюють вакансійні дефекти на Ge(100). Обговорено можливі механізми протікання цих реакцій за різних ступенів покриття таких поверхонь дигідридною і моногідридною хемосорбційними фазами. Проводено порівняння результатів моделювання з існуючими експериментальними даними для упорядкованих і модифікованих поверхонь Ge.

The results of quantum-chemical calculations of hydrogen adsorption and desorption processes on clusters, simulating vacancy defect on Ge(100), are presented in the work. The possible reaction mechanisms at different coverage of such surfaces by dihydride and monohydride chemisorption phases are discussed. The comparison of simulation results with experimental data for ordered and disordered Ge surfaces is carried out

Ключ. слова: тонкі плівки, рідкоземельні матеріали, опромінення електронами і ?-квантами, структура, електропровідність
Індекс рубрикатора НБУВ: К202.6 + В372.7 + В372.6

Рубрики:

Тонкі шари (плівки) металів і сплавів

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: silicon, ion implantation, radiation defects, defect annihilation, nitrogen
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: бляклі руди, тетраедрит, свинець, сульфосолі, епітермальні родовища, Закарпаття.
Індекс рубрикатора НБУВ: Д332.331.2

Шифр НБУВ: Ж28470 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено дію лазерного випромінювання з довжиною хвилі lambda = 0,694 мкм, енергією в імпульсі W ~ 1,6 Дж і тривалістю tau = 1 мс на поверхню (112) монокристалічного германію. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримано залежності густини оптичної потужності, яку поглинає поверхня Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~450 К, де фотонагрівання не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають завдяки гетерогенному зародженню і розширенню призматичних петель, орієнтованих у періодично-індукованому полі концентрації вакансій.

The influence of 1 ms laser pulse with energy 1.6 J and wavelength 0,694 мm on the surface (112) of Ge single crystal was investigated. Time dependence of optical power density absorbed by the Ge surface as well as temperature distribution on the surface along the laser spot radius was found by solving the heat-conduction equation. Physical mechanism of dislocation generation in the spot area with temperature ~450 K, where heating was not the main factor of defect generation, was analyzed. It was concluded that dislocations ranged in linear periodical structures were arising owing to heterogeneous springing and growing of prismatic loops oriented in periodic deformation-induced vacancy concentration field.

У рамках моделі розірваних зв'язків розраховано зміни поверхневої енергії лужних галоїдів, що виникає в разі переходу через точку плавлення. Вихідним пунктом для розрахунку були фундаментальні припущення про вакансійну модель плавлення, запропоновано та експериментально обгрунтовано у попередніх працях. На підставі виконаних розрахунків можна зробити висновок, що за температури плавлення співвідношення поверхневих енергій для твердої та рідкої фаз є однаковим для усіх лужних галоїдів і дорівнює 1,3. З метою перевірки такого припущення проаналізовано доступні літературні дані про експериментально визначені значення поверхневих енергій твердих і рідких фаз лужних галоїдів за температури плавлення. Такий аналіз свідчить про правильність припущень вакансійної моделі плавлення та правильність моделі в цілому.

In the frames of the broken bonds model the changes in the surface energy of alkali halides, occurring on passing through the melting point, have been calculated starting from fundamental assumptions of the vacancy model of melting, presented and experimentally well substantiated in [5-8]. The calculations lead to the conclusion that at the melting temperature the ratio of the value of the surface energy for the solid and liquid phases is for all the alkali halides the same and amounts 1,3. For checking this supposition the accessible in the literature data on the experimentally determined values of the surface energy of the solid and liquid phases of alkali halides (at the melting point) have been collected. Analysis of these data very positively verifies the predictions of the vacancy model of melting, and the model itself.

Ключ. слова: melting, Schottky defects, rare gas solids, heat capacity
Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1

Рубрики:

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К232.104

Рубрики:

Стани та структура міді та її сплавів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Використано вакансійну модель плавлення металів для одержання виразу, що дозволяє визначити енергію зв'язку вакансія - домішка, ефективну енергію формування вакансій із кривої солідуса подвійних сплавів. Одержано узгодження між розрахованими значеннями енергій для бінарних сплавів на основі міді та завдяки експериментальним даним.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Фундаментальні припущення стосовно вакансійної моделі плавлення використано як вихідні дані для одержання виразів для енергії активації самодифузії інертних газів під час переходу з твердого стану у рідкий. Результати розрахунків свідчать, що відношення величини енергії активації в твердому стані до її значення у рідкому становить 4,14 і є однаковим для всіх інертних газів. Одержані результати підтверджено літературними експериментальними даними, що обгрунтовує вакансійну модель плавлення.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377 + В372.3

Рубрики:

Електричні та магнітні властивості твердих тіл

Кристалічний стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

A self-consistent statistical method is used to calculate the Gibbs free energy of vacancy formation in heavy rare gas crystals at high temperature. It is shown that the vacancy formation free energy rapidly falls in the vicinity of the melting point of the crystal. Such behavior is attributed to approaching the anharmonic instability point of vibrational subsystem of the solid.