Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Наукове дослідження проведено шляхом моделювання з використанням спеціально розроблених комп'ютерних програм, що реалізують нові різновиди методики кінетичного Монте-Карло моделювання та удосконаленої методики моделювання дифузійних процесів за методом сіток. Встановлено, як на однорідність плівок під час рідкофазної епітаксії впливають величина переохолодження й енергія зв'язку з підкладкою. Шляхом Монте-Карло моделювання росту кристалів зі змішаних розплавів встановлено, як величина міжатомної взаємодії різнойменних атомів впливає на структуру поверхні первинних гранних кристалів. Виявлено природу ефекту покращання адгезії до підкладки потрійного розплаву з активним В-компонентом у разі введення С-компонента, який сильно взаємодіє з основним А-компонентом і слабо взаємодіє з В-компонентом. Вперше відтворено всі стадії процесу утворення плівок з газової фази. Визначено фактори, що впливають на щільність напилених плівок, а також на контактні кути малих крапель, що зростають під час конденсації. Уперше виконано моделювання спрямованого твердіння з одночасним урахуванням анізотропії швидкості росту й поверхневого натугу. Встановлено що ця анізотропія більше впливає на розвиток збурень і сприяє утворенню більш регулярних структур. Встановлено, що теоретично очікувана стійкість фронту за дуже низьких швидкостей протягування зразка не підтверджується результатами Монте-Карло моделювання через локальні флуктуації швидкості росту, а структура кристала, що утворюється за таких умов, є вкрай недосконалою.

Розроблено загальну математичну постановку двовимірної осесиметричної задачі радіаційно-конвективного теплообміну кристалізаційної установки з урахуванням селективності оптичних властивостей напівпрозорих матеріалів. Проведено розрахунки та вивчено процеси кристалізації в системі кристал-розплав з властивостями оксидних і лужно-галоїдних кристалів з урахуванням селективності їх коефіцієнтів поглинання та з використанням сітки, що динамічно перебудовується. Проаналізовано спрощені варіанти глобальних чисельних моделей для застосування їх під час оперативного контроля ходу процесів направленої кристалізації. Показано, що регулювання радіаційного тепловідводу від розплаву шляхом екранування або введення поглинальних домішок є ефективними методами керування тепловими режимами процесів вирощування кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.9 + В375.143.1,022

Рубрики:

Коштовне і напівкоштовне каміння

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: РА403686 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1,022 + В381.531,022

Рубрики:

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Сцинтилятори для лічильників

Шифр НБУВ: РА404606 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розроблено метод для обчислення фізичних характеристик при одновісних деформаціях тугоплавких кристалів, що мають щільноупаковані атомні площини, а також модель, за допомогою якої можливо оцінити поверхневу енергію наночастинки. На основі створених методів і моделей оцінена міцність нанокристалів в залежності від розмірного фактора і форми. За допомогою квантово-механічних методів (метод псевдопотенціалу) побудований термодинамічний потенціал бінарних систем. Характерні параметри евтектики (концентрація і температура) обчислені за допомогою системи рівнянь, які отримані з умови екстремуму термодинамічного потенціалу. За допомогою побудованого методу «квазігармонійного наближення» досліджені температурні залежності деяких фізичних характеристик боридів і композитів на їх основі. Розроблено метод для врахування міжкомпонентної взаємодії в композитах, оцінена її роль при утворенні евтектики, досліджені міцнісні характеристики бінарних композитів при високих температурах. Показано, що міжкомпонентна взаємодія утворюється за допомогою загальних атомів, які належать обом компонентам, або загальними кристалічними вузлами (заселеними різними атомами, що належать двом компонентам) по лінії стикування двох структур.