Наведено результати теплового моделювання інтегральної мікросхеми з використанням програми Circuit Maker 6 PRO. Запропонований підхід забезпечує необхідну точність моделювання.

Розглянуто методи, які складають основу квазістатичного аналізу багатопровідних та багатошарових смужкових структур на підкладці з діелектричних пластин зі скінченними розмірами. Запропоновано простий і універсальний метод моделювання функцій Гріна досліджуваних структур з використанням декомпозиційних схем. Для розв'язку систем рівнянь великої розмірності, що виникають у результаті алгебризації інтегрального рівняння, розроблено ітераційний алгоритм з високою швидкістю збіжності.

Розроблено та експериментально досліджено методи, алгоритмив і моделі, які дають змогу реалізувати ефективні програмні системи проектування широкого класу електронних пристроїв, включаючи комп'ютери п'ятого покоління. Основою алгоритмів є метод оптимального згортання графів, використання якого розширено до категорій неповного і нечіткого згортання, згортання з обмеженнями, накладання і перетину макромоделей, використання принципу побудови дерева згортання в задачах пакування, побудови мінімальних зв'язуючих дерев і міжз'єднань на площині.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.16

Рубрики:

Друковані прилади та схеми

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрена проблема оптического контроля качества печатных плат. Отмечено, что сегодняшние системы оптического контроля являются сложными программно-аппаратными комплексами. Представлена система оптического контроля, не требующая применения специализированного аппаратного обеспечения. Ввод изображений осуществлен с помощью планшетного сканера, а анализ дефектов выполнен на стандартном персональном компьютере. Такой подход, во-первых, позволяет на два порядка снизить стоимость системы контроля, во-вторых, алгоритмическое и математическое обеспечение такой системы представляет заметно больший научно-прикладной интерес, так как может применяться при построении широкого спектра аналогичных продуктов.

Наведено постановки задач взаємодифузії з реакцією в системі контактуючих плівок, які дозволяють визначати межі нової фази.

Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований диффузии примесей в монокристаллические пластины кремния при воздействии лазерного инфракрасного излучения и влияния напряжений на этот процесс. Рассмотрен лазерный нагрев пластины путем облучения всей ее поверхности однородным пучком и сканирования поверхности узким пучком. Во втором случае температурные напряжения достигают границы текучести материала, о чем свидетельствуют значительные искажения кристаллической решетки и остаточные напряжения. Предложена математическая модель для описания механотермодиффузионных процессов, воспроизводящая форму экспериментальных диффузионных кривых. Исследования выявили способы целенаправленного влияния на свойства диффузионных слоев, в частности, на концентрационный профиль. Если при легировании создать упругую деформацию, изменяющуюся по толщине, то, в зависимости от знака градиента деформации, можно приблизить либо отдалить максимум концентрационной кривой от поверхности пластины.

Предложены альтернативные формы представления логических функций для обеспечения экономии площади программируемых логических матриц. Исследована динамика изменения мощности подмножеств логических функций с увеличением количества аргументов.

Запропоновано прості аналітичні співвідношення для розрахунку частотної залежності ефективної діeлектричної проникності в багатопровідних зв'язаних мікросмужкових лініях із різною шириною провідників.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1 я431(0)

Рубрики:

Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка

Шифр НБУВ: СО24324 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Узагальнено практичний досвід передового вітчизняного та, частково, закордонного дизайну й ергономіки електронної апаратури. Розглянуто питання проектування, розробки та випробування систем, принципи художнього конструювання, основні вимоги ергономіки та естетики.

Наведено результати досліджень електродинамічних характеристик напівпровідникової елементної бази РЕА за допомогою випробувального стенду на базі хвилеводного панорамного вимірювача КСХ. Виміряно частотні характеристики КСХ і коефіцієнт відбиття за різних діапазонів довжини хвиль. Показано вплив структури елементів на вид частотної залежності та резонансні частоти досліджених елементів. Отримані дані дозволяють уточнити параметри антенної моделі взаємодії електромагнітного випромінювання з елементною базою для забезпечення електромагнітної сумісності РЕА.

Приведены результаты исследований электродинамических характеристик полупроводниковой элементной базы РЭА с помощью испытательного стенда на основе волноводного панорамного измерителя КСВ. Измерены частотные зависимости КСВ и коэффициента отражения в различных диапазонах длины волн. Показано влияние структуры элементов на вид частотной зависимости и резонансные частоты исследуемых элементов. Полученные результаты позволяют уточнить параметры антенной модели взаимодействия электромагнитного излучения с элементной базой с целью обеспечения электромагнитной совместимости РЭА.

The investigation results of electrodynamic characteristic of semiconductor radioelectronics elements are given based on waveguide panoramic SWAR measurements. Frequency characteristics of SWAR and reflection efficiency have been measured in any broadband. Dependence of frequency characteristics and resonant frequencies on the element structure is shown. The obtained results allow to refine the parameters of the antenna model of electromagnetic radiation with the elements for the REE electromagnetic compatibility.

Рассмотрены вопросы теории и способы построения интегральных силовых модулей на базе составных и функционально-интегрированных приборов для создания малогабаритных, экономичных и надежных полупроводниковых преобразователей. Предложены пути дальнейшего повышения степени интеграции узлов, блоков, устройств преобразователей на базе физической интеграции элементов и схемных функций. Определены оптимальные площади кристаллов приборов и интегральных схем, обоснованы методы использования единого конструктивно-технологического подхода к созданию микроэлектронных преобразователей различного назначения, диапазонов мощностей и частот.

Розглянуто питання моделювання газофазної операції "дифузія" в проточному реакторі в процесі виробництва інтегральних схем. Розроблена математична модель дозволяє отримати характеристики газового потоку в реакторі і оцінити їх вплив на величини розкиду поверхневої концентрації домішки по поверхні пластини та групи пластин.

Представлено основну термінологію і класифікацію мікроелектроніки, систему умовних позначень мікросхем, розглянуті основні тенденції її розвитку. Наведено методи конструювання та розрахунку елементів гібридних мікросхем: плівкових резисторів, плівкових конденсаторів, плівкових індуктивностей, тонкоплівкових розподілених RC-структур, плівкових провідників, навісних елементів. Висвітлені методи проектування топології гібридних мікросхем, а також контрольно-перевіркові розрахунки топології гібридних мікросхем.

Розглянуто вимоги до елементів напівпровідникових мікросхем, їх технологічні та конструкторські особливості. Висвітлено питання розрахунку елементів напівпровідникових мікросхем, а також вибір фізичної структури, розрахунок діодів, транзисторів, конденсаторів і резисторів. Описано основні правила проектування топології напівпровідникових мікросхем та вимоги до конструкторської документації. Відображено питання проектування схем на структурах метал - діелектрик - напівпровідник. Наведено велику кількість довідкового матеріалу та числові приклади розрахунків.

Предложены алгоритмы адекватного временного анализа высокоинтегрированных МОП-цепей, основанные на релаксационной концепции с применением обобщенного метода аппроксимации экспоненциальными функциями. Первый алгоритм является релаксационным на уровне систем алгебраических уравнений, второй - на уровне систем дифференциальных уравнений. Результат экспериментов показывает быстроту новых алгоритмов (10-50 раз быстрее универсальных) при небольшой потере точности.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15-03

Рубрики:

Інтегральні схеми

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто математичне та програмне забезпечення для моделювання температурних полів мікроелектронних пристроїв (МЕП) різного конструктивно-технологічного виконання, що грунтується на аналітичних, чисельних та аналогових методах розв'язання фізико-математичних задач теплообміну. Зокрема, запропоновано моделювання теплових характеристик конструкцій напівпровідникових інтегральних схем (ІС), стаціонарного температурного поля кристала ІС із жорсткими виводами, нестаціонарних температурних полів у МЕП.

Наведено загальну характеристику систем ортогональних функцій і перетворень, які доцільно використовувати для спектральної обробки (ШПФ, дисперсійні алгоритми, колманівська фільтрація). Розглянуто їх практичну реалізацію з використанням сучасних ВІС пам'яті, однокристалевих процесорів, матричних НВІС та пристроїв функціональної мікроелектроніки.