Рассмотрен алгоритм расчета оптических и терморадиационных характеристик ультрадисперсных селективных покрытий согласно теории эффективной среды оптических свойств тонких пленок.

Наведено результати вивчення кількісних характеристик, що дозволяють описати поширювання плоскої електромагнітної хвилі на поверхні плівки, зробленої з високотемпературного надпровідника. Глибину проникання магнітного поля та поверхневий імпеданс викорастано в якості даних характеристик.

Предложен и проанализирован комплексный метод вычисления оптических потерь в тонкопленочных солнечных элементах, включающий: определение оптических констант тонких металлических пленок и (или) пленок прозрачных проводящих окислов на спутниковых прозрачных подложках в режимах обычной отражательной многоугловой эллипсометрии и эллипсометрии с возбуждением поверхностных плазменных поляритонов, измерение относительных спектров отражения света для тех же пленок на полупроводниковой подложке, расчет спектров пропускания света в фотоактивную область тонкопленочного элемента с плоскими или микрорельефными границами раздела со специальным видом микрорельефа.

Ключ. слова: интегральные схемы, резистивные пленки, дисперсность компонентов.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395-06

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрено влияние методов термического испарения, ионно-плазменного магнетронного распыления и осаждения тонких пленок из ионного пучка на характеристики поверхности фотонных кристаллов. Приведены схемы процессов формирования тонких пленок на опаловых матрицах и конструкции технологической оснастки. Представлены результаты измерения электрического сопротивления пленок и характеристики топографии поверхности образцов фотонных кристаллов, полученные с помощью атомно-силового микроскопа.

The influence of such methods as thermal evaporation, ion-plasma magnetron sputtering, ion-beam deposition on properties of photon crystal surface was examined.

Рассмотрены конструктивные особенности распылительной системы установки магнетронного распыления и условия формирования пленок AlN и ZnO с контролируемым содержанием и строением кристаллической фазы. Показаны условия получения и эксплуатационные характеристики слоистых структур, включающих слои AlN, ZnO, алмаза и алмазоподобного углерода, при их применении в акусто- и эмиссионной электронике.

The condition of obtaining and operating performances of layers structures including AlN, ZnO, diamond and diamond-like carbon for acoustic- and emission electronics are presented.

Проанализированы сходства и различия размерно-геометрических параметров моделей микроструктуры серебро-палладиевых толстопленочных резисторов (ТПР). Впервые по структурной модели металлических кластеров и кластерной модели электрических связей на основе экспериментальных данных оценено число выборок гауссовского нормального распределения для длины и площади проводящих гранул и межгранулярного расстояния в широком диапазоне удельных сопротивлений толстопленочных резисторов. Результаты работы использованы при исследовании процессов протекания тока в ТПР.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Разработана методика принятия решений в условиях неопределенности с применением байесовой теории решений для выбора варианта технологического процесса с минимальной стоимостью. Описан пример использования компьютерной программы для термообработки пленочных элементов толстопленочных микросборок. Метод адаптивен к наблюдаемым результатам эксперимента.

Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO2-Nd2O3, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Установлено, что данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использованы для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO2-Nd2O3.

The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO2-Nd2O3, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results ofexperiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HfO2-Nd2O3.Z

Приведены основы метода контролируемого анодного окисления ("анодной спектроскопии"), методики его применения, результаты исследований многослойных тонкопленочных структур. Получены и проанализированы профили анодирования структур, сформированных при осаждении пленок Nb и Al электронно-лучевым способом и магнетроном, с формированием барьерного оксида AlOx термическим окислением и в тлеющем разряде магнетрона. Продемонстрировано применение метода для контроля формирования наноструктурированных анодных пленок оксида алюминия. Показана плодотворность метода для экспресс-контроля тонкопленочных технологий.

The base of controlled anodic oxidation method ("anodization spectroscopy"), technics of using, investigation results for multilayered thin film structures are represented. The anodization profiles of structures manufactured by electron beam deposition and magnetron sputtering of Nb and Al films with AlOx barrier formed by thermal and magnetron plasma oxidation. Using of the method for monitoring of nanostructured anodic oxide films on aluminium is demonstrated. Possibilities of the method for express-control of thin film technologies are shown

Ключ. слова: устройство, способ, структура, режим, эпитаксия, гетерослой
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто методи підготовки, аналізу, а також структурно-кристалографічні, морфологічні, оптичні, механічні, хімічні властивості підкладок, що використовуються для епітаксійного росту плівок GaN. Наведено матеріали експериментального дослідження та грунтовного аналізу підкладок на основі поруватих сполук GaAs. Описано основні властивості шарів GaN, одержаних такими технологічними методами, як гідридно-хлоридна газотранспортна епітаксія (HVPE), молекулярно-променева епітаксія (MBE), газотропна епітаксія з металево-органічних сполук (MOCVD). Розглянуто новий метод одержання тонких плівок GaN - радикально-променеву гетерувальну епітаксію (RBGE).

Рассмотрены методы подготовки, анализа, а также структурно-кристаллографические, морфологические, оптические, механические, химические свойства подкладок, использующихся для эпитаксионного роста пленок GaN. Приведены материалы экспериментального исследования и подробного анализа подкладок на основе пористых соединений GaAs. Описаны свойства слоев GaN, полученных такими технологическими методами, как гидридно-хлоридная газотранспортная эпитаксия (HVPE), молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), газотропная эпитаксия из металло-органических соединений (MOCVD). Рассмотрен новый метод получения тонких пленок GaN - радикально-лучевая гетерирующая эпитаксия (RBGE).

Рассмотрены микроструктура, оптические и электрические свойства, технологические аспекты получения пленок карбида кремния. Раскрыты особенности процессов формирования его автоэпитаксиальных слоев, влияние подложки на их оптические свойства, а также особенности влияния условий роста на процессы образования дефектов в гетероэпитаксиальных монокристаллических пленках. Описаны фотолюминенсценция, состав и микроструктура толстых пленок кубического карбида кремния.

Ключ. слова: высокотемпературная сверхпроводимость, наноструктурированные пленки, микрополосковый резонатор
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + З843.395-06

Рубрики:

Одержання плівок

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: эллипсометрия, методы измерения параметров пленок, контроль однородности
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395-06

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рассмотрены вопросы создания светофильтров с антибликовым покрытием и тонкопленочным прозрачным нагревателем на основе тонких (от 5 до 400 нм) пленок оксидов кремния, индия и титана. Разработаны компьютерные программы выбора оптимальной конструкции и режимов вакуумного напыления интерференционных покрытий светофильтра. Проведенные исследования параметров и характеристик четырех макетов светофильтров подтвердили правильность выбранных конструкторско-технологических решений.

Розглянуто питання щодо створення світлофільтрів з противідблискувальним покриттям і тонкоплівковим прозорим нагрівачем на основі тонких (від 5 нм до 400 нм) плівок оксидів кремнію, індію та титану. Розроблено комп'ютерні програми вибору оптимальної конструкції та режимів вакуумного напилення інтерференційних покриттів світлофільтра. Проведені досліди параметрів і характеристик чотирьох макетів світлофільтрів підтвердили правильність конструкторсько-технологічних рішень.

The basic questions on creation of colour-filters with an antireflection covering and thin-film transparent heater have been studied on the basis of a thin (from 5 нм up to 400 нм) film of silicon, indium and titanium oxides. There have been developed computer programs of selection of an optimum design and vacuum depositing modes of interferencial colour-filters coverings. The carried out researches of parameters and characteristics of four breadboard models of colour-filters have proved the correctness of constructional- technological decisions.

Ключ. слова: BaCuTeF, прозрачные полупроводники р-типа, p++-контакты.
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу атомної силової мікроскопії досліджено морфологію поверхні резистивних товстих плівок на основі порошків боридів нікелю, барію та склов'яжучого, оброблених лазерним випромінюванням. З використанням рентгенофазового аналізу вивчено фазовий склад цих плівок. Виявлено зміну морфології поверхні, фазового складу й електроопору досліджуваних плівок залежно від енергії лазерного випромінювання.

Наведено результати досліджень тензорезистивних властивостей одношарових Cr, Cu та двошарових Cu/Cr, Co/Cu плівок у разі великих деформацій (до 15 %).