Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов. Даются основные области их применения в электронной аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.

Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.

Приведены сведения о физике полупроводниковых оптоэлектронных приборов и особенностях их применения. Дана информация о параметрах, предельных эксплуатационных режимах и конструкциях отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых оптоэлектронных приборов широкого применения. По сравнению с изданием 1984 г. почти вдвое расширена номенклатура приборов. Для инженерно-технических работников и радиолюбителей.

Описаны принцип работы и конструкция отечественных серийно выпускаемых силовых полупроводниковых приборов и охладителей к ним. Приведены параметры и характеристики приборов и охладителей, методы расчета рабочих и аварийных режимов в зависимости от условий применения, рекомендации по групповому применению. Для инженерно-технических работников» занятых применением полупроводниковых приборов в различных областях техники.

Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время выполнения курсовых и дипломной работ.

Т. 1. - 2008. - 832 с.

В книге описано современное состояние техники генерации сигналов различной формы (синусоидальных и импульсных) в широком диапазоне частот (от инфранизких до десятков ГГц) и амплитуд. Особое внимание уделено описанию серийных генераторов синусоидальных и импульсных сигналов, функциональных генераторов, генераторов с цифровым синтезом формы сигналов и генераторов сигналов произвольной формы. Приведено много примеров применения генераторов сигналов в исследовании, тестировании и отладке современной телекоммуникационной, связной и радиолокационной аппаратуры, а также в технике физического эксперимента. Издание рассчитано на научных работников, инженеров, аспирантов, преподавателей и студентов университетов и вузов.

Рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД "Электроника". Приведены задания и методические указания к лабораторным работам по экспериментальному исследованию и моделированию полупроводниковых диодов, стабилитронов, полевых и биполярных транзисторов, включающие измерение их вольтамперных характеристик и параметров, исследование технологического разброса и работы на переменном токе. Предназначено для студентов и учащихся технических специальностей вузов, колледжей, профессиональных училищ и лицеев для использования в лабораторном практикуме дисциплины "Электроника" и других родственных дисциплин.

Для специалистов, занимающихся разработкой, проектированием и эксплуатацией полупроводниковых преобразовательных устройств.

В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим- изданием, вышедшим в 1978 г., первая часть книги, во вторую и третью части введены новые главы. Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов вузов, специализирующихся по микроэлектронике и прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике к приборостроению.

Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре.

Рассматриваются устройство, принципы действия и характеристики диодных и триодных тиристоров, показаны способы и возможности их применения на примерах схем различных устройств (выключатели и переключатели постоянного и переменного токов, реле времени, импульсные генераторы, регуляторы мощности и т. д. ). Приводятся рекомендации по выбору и расчету основных элементов схем. Первое издание вышло в 1978 г. Материал настоящего издания значительно обновлен. Для подготовленных радиолюбителей.

Основное внимание уделено принципам построения и расчета разнообразных устройств на мощных полевых транзисторах: однотактных и двухтактных ключей, регенеративных схем, импульсных усилителей, регуляторов и преобразователей, бестрансформаторных источников электропитания, генераторов импульсов с малыми временами нарастания и спада, усилителей НЧ, ВЧ, СВЧ и др. Приведены данные о конструкции и параметрах мощных полевых транзисторов и их электрических моделях.

За время, прошедшее с, момента выхода в свет первого издания книги, в области полупроводниковой электроники достигнуты серьезные успехи. В частности, отечественной промышленностью освоено производство большого количества новых, более совершенных полупроводниковых приборов различного назначения, имеющих большое научное и народно-хозяйственное значение. Широкое внедрение полупроводниковых -приборов во многих отраслях народного хозяйства имеет огромное значение для успешного решения грандиозных задач технического прогресса и в особенности для комплексной автоматизации и механизации производства. В книге описаны методы расчета различных элементов электронной аппаратуры с применением полупроводниковых триодов и диодов. Где это было возможным, методика расчета полупроводниковых устройств максимально приближена к методике, применяемой при расчете аналогичных ламповых схем. Последнее должно создать известные удобства для лиц, знакомых с ламповой электроникой.

В справочнике приводится кодовая маркировка (SMD-коды) для более чем 33 тысячи активных электронных компонентов (тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, интегральных микросхем, а также диодов). SMD-коды разделены по типам корпусов и расположены в таблицах в алфавитно-цифровом порядке. Представлены логотипы и адреса фирм-производителей электронных компонентов, схематические рисунки корпусов и назначение выводов (цоколевка) для дискретных полупроводниковых компонентов и большинства интегральных микросхем, типовые схемы подключения для большинства интегральных микросхем... Справочник предназначен для специалистов в области проектирования, наладки и ремонта бытовой и профессиональной аппаратуры, широкого круга радиолюбителей и радиоинженеров.

Приведены теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в современных приборах: лазерах, полевых и биполярных транзисторах, диодах с барьером Шоттки. Детально рассмотрены тепловые, генерационно-рекомбинационные, дробовые, фликкерные, взрывные шумы и шумы токораспределения этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников и студентов вузов, специализирующихся в области разработки и изготовления полупроводниковых приборов и приемно-усилительных устройств.

Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства усилитетей в интегральном исполнении. Книга предназначена для специалистов, занимающихся теоретическими и прикладными вопросами построения приемно-усилительных и передающих устройств. Она может быть также полезна студентам вузов.

В брошюре содержатся справочные сведения (параметры и чертежи корпусов) о наиболее распространенных типах транзисторов США» Японии, ГДР и ФРГ. Справочник предназначен для широкого круга радиолюбителей.

Описаны устройство, принцип действия, основные характеристики и параметры полевых транзисторов отечественного производства. Рассмотрены вопросы, связанные с работой этих приборов в различных радиоэлектронных устройствах. Приведены таблицы параметров и усредненные статические характеристики основных типов полевых транзисторов, а также методика расчета различных элементов схем с числовыми примерами.

В книге специалистов из ФРГ приведены параметры и описана структура современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем с различной степенью интеграции. Изложены принципы построения и методы расчета основных схем автоматики, радиоэлектроники и вычислительной техники. Для специалистов в области электронной и вычислительной техники, студентов соответствующих специальностей вузов и радиолюбителей.