За результатом окиснення ZnSe одержано полікристалічні плівки оксиду цинку товщиною 0,1 - 1 мкм. Установлено, що перехід від сфалеритної структури ZnO до вюрцитної супроводжується різким зростанням низькопольової електронної емісії, що свідчить про визначальну роль п'єзоефекту у даному явищі. Уперше досліджено польову електронну емісію з п'єзоактивного квантоворозмірного оксиду цинку. Енергетичні стани електронів у ZnO розглянуто у наближенні трикутної потенціальної ями. Установлено резонансний характер їх тунелювання у разі збільшення зовнішньої напруги. та зміну прозорості потенціального бар'єра на межі ZnO - вакуум.

  Скачати повний текст