На підставі розв'язків рівняння електронейтральності та експериментальних результатів вимірювань п'єзо-холл-ефекту одержано залежності енергії активації глибокого рівня А-центра від одновісного тиску вздовж кристалографічних напрямків [100], [110] і [111] для монокристалів n-Ge, опромінених електронами з енергією 10 МеВ. За допомогою методу найменших квадратів одержано апроксимаційні поліноми для розрахунку даних залежностей. Показано, що енергія активації А-центра зменшується лінійно для всього діапазону одновісних тисків уздовж кристалографічного напрямку [100]. Для випадків одновісної деформації вздовж кристалографічних напрямків [110] і [111] зменшення енергії активації за лінійним законом спостерігається лише за високих одновісних тисків, коли глибокий рівень А-центра взаємодіє з тими мінімумами зони провідності германію, які виявилися нижніми у випадку деформації.