Роботу присвячено розробці генератора дельта ритмів електроенцефалограми (ЕЕГ) людського мозку на основі дослідження електрофізичних характеристик зростків нанодротів Si. Кремнієві мікро- та нанодроти вирощували за допомогою методу хімічного осадження з газової фази і мали діаметр від 100 нм до 20 мкм. Вольтамперні характеристики зростків мікро- та нанодротів Si одержували шляхом пропускання струму через поздовжню гілку та вимірювання напруги на поперечній гілці зростка. Пропускання струму призводить до нагрівання вузла зростка і виникнення термо-ерс за рахунок різниці температур між вузлом і кінцем мікро- та нанодроту. Дослідження вольтамперних характеристик зростків нанодротів Si показали, що при досягненні критичного значення струму порядку 10 мкА спостерігається поява генерації коливань напруги. Період коливань становить близько 1 с, тоді як їх амплітуда складає 100 - 120 мкВ, що нагадує коливання дельта-ритму в мозку людини. Обговорено різні причини коливань: контактні явища; наявність механічного напруження у вузлі зростка; існування нескомпенсованого заряду обірваних зв'язків у приповерхневих шарах нанодротів. Детальний розгляд запропонованих причин показав, що ефект не пов'язаний з контактними явищами, а також із наявністю механічних напружень у вузлі зростка нанодротів. Можливим механізмом виявленого ефекту є стрибкоподібний перерозподіл заряду в приповерхневих шарах нанодроту, що призводить до компенсації наведеної термо-ерс. Однак, це відповідає нерівноважному стану кристалу. Повернення нанодроту до рівноважного стану зумовлює періодичні коливання напруги. Виявлений ефект надав змогу розробити генератор дельта-ритмів, який може бути використаний для лікування різних захворювань (діти з розладами спектра аутизму, внутрішньо переміщені особи із зони антитерористичної операції тощо).