Ключові слова: тонкі плівки --
технологія осадження --
способи отримання
Доброго дня! Сподіваємось, Вам стануть у нагоді наступні джерела. Також рекомендуємо здійснити додатковий самостійний пошук у реферативній базі даних НБУВ (див. посилання).
Видання є в НБУВ: 
ВА587692 Філинюк М. А. Конструювання та розрахунок гібридних мікросхем : навч. посіб. / М. А. Філинюк ; Вінниц. держ. техн. університет. - Вінниця, 1998. - 97 c. (Представлено основну термінологію і класифікацію мікроелектроніки, систему умовних позначень мікросхем, розглянуті основні тенденції її розвитку. Наведено методи конструювання та розрахунку елементів гібридних мікросхем: плівкових резисторів, плівкових конденсаторів, плівкових індуктивностей, тонкоплівкових розподілених RC-структур, плівкових провідників, навісних елементів. Висвітлені методи проектування топології гібридних мікросхем, а також контрольно-перевіркові розрахунки топології гібридних мікросхем.),
ВА598631 Проценко І. Ю. Технологія та фізика тонких металевих плівок : навч. посіб. для студентів фіз.-техн. ф-тів ун-тів / І. Ю. Проценко ; Сум. держ. університет. - Суми, 2000. - 148 c. (Розглянуто питання технології одержання, фізичних властивостей та методів дослідження металевих плівок (тобто плівкового матеріалознавства), зокрема, одержання вакуумних конденсатів, взаємозв'язок між умовами їх одержання та структурними особливостями.),
РА314238 Шагінян Л. Р. Механізми формування тонких плівок, отримуваних різними методами іонно-плазмового осаджування : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. Р. Шагінян ; НАН України, Ін-т проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича. - Київ, 2001. - 37 c. (Встановлено загальні закономірності та виявлено найважливіші фізичні фактори, відповідальні за формування складу та структури тонких плівок, отримуваних термоіонним і реакційним термоіонним осадженням, різними модифікаціями магнетронного розпилення, методами активованого плазмою хімічного осадження та лазерного випаровування. Вирішено важливу фізико-технічну проблему плівкового матеріалознавства, що дозволяє науково обгрунтовано вибирати оптимальний метод одержання плівок з необхідними характеристиками. Установлено, що вигляд плівкоутворювальних частинок (атомів, атомних кластерів, молекул) та енергія часток, які надходять на поверхню росту, для всіх методів осадження плівок є універсальними факторами, що визначають їх склад і структуру. Ці фактори визначаються методом осаджування
плівки і залежать від фізико-технологічних параметрів процесу. Показано, що умовами, які визначають повну керованість властивостями плівок, є атомарний склад плівкоутворювальних частинок і регульована енергія частинок, що бомбардують поверхню росту. Присутність на поверхні конденсації поряд з атомами молекул сполук і неконтрольоване бомбардування швидкими частинками зростаючої
плівки істотно перешкоджають формуванню плівок з досконалим складом і структурою та ускладнюють керування процесом їх осаджування. Отримані результати дозволяють прогнозувати характеристики плівок залежно від методу їх осадження та керувати ними.),
РА306018 Лоп’янка М. А. Оптимізація технології і моделювання фізичних процесів у тонких плівках АIVBVI та структурах на їх основі : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.18 / М. А. Лоп'янка ; Прикарпат. ун-т ім. В. Стефаника. - Івано-Франківськ, 1999. - 19 c. (Дисертацію присвячено з'ясуванню впливу операційних технологічних факторів на фізичні властивості тонких плівок монохалькогенідів свинцю, олова і твердих розчинів на їх основі: Pb1-xSnxTe, PbSe1-xTex, Pb1-xSnxSe, (PbSe)1-x(SnTe)x і (PbTe)1-x(SnSe)x (вирощених з парової фази методом гарячої стінки). Одержані поліноміальні рівняння, побудовані технологічні діаграми і оптимізована технологія забезпечують умови вирощування тонкоплівкового матеріалу із наперед заданими властивостями. Процеси вирощування, радіаційної і термічної обробок епітаксійних плівок описано єдиною моделлю френкелівських пар і рівнянням неперервності для концентрації дефектів. На основі моделі існування виродженої області з n-типом на поверхні p-PbSe проведено розрахунок вольт-фазних характеристик діодів Шотткі.),
Ж14161 Research of the Mass Diffusion Transfer in the Nanocrystalline Materials = Исследование диффузионного массопереноса в нанокристаллических материалах / L. N. Larikov, S. I. Sidorenko, N. P. Deyneka, T. V. Litvinova // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - № 2. - С. 22-25. (Досліджено нанокристалічну дифузійну систему Cr/Al.
Тонкі плівки Cr наносились методом осадження із парової фази на алюмінієву (25 мкм) підкладку в камері високого вакууму. Використовувались MCBI та електронна оже-мікроскопія. До відпалу має місце ефект конденсаційно-стимульованої дифузії. При температурах 723 та 823 К визначено коефіцієнти об'ємної та зернограничної дифузії. Згідно з розрахунками після відпалу дифузія протікає головним чином вздовж меж зерен.),
Ж14161 Импульсный фотонный отжиг как альтернативный метод термической обработки тонкопленочных систем тантал, титан--вольфрам на кремнии / Ю. Н. Макогон, Л. П. Максимович, С. И. Сидоренко, И. С. Фирстова // Металлофизика и новейшие технологии. - 1999. - № 8. - С. 55-60. (Методами фізичного матеріалознавства досліджено процеси фазових перетворень, перерозподілу домішок та електрофізичні властивості тонкоплівкових (завтовшки до 300 нм) систем тантал - кремній, титан - вольфрам - кремній, які піддано імпульсному фотонному відпалу та відпалу у вакуумі. Встановлено послідовність фазових перетворень, які відбуваються у досліджуваних системах у процесі відпалу; імпульсний фотонний відпал є переважним методом термічної обробки. Досліджено роль поверхні в процесах перерозподілу домішок по товщині
плівки.),
Ж26990 Левченко И. С. Моделирование процесса формирования тонких силицидных пленок на кремнии при высокотемпературном отжиге / И. С. Левченко, А. А. Сукенник, Г. А. Чечко // Пробл. упр. и информатики. - 2000. - № 6. - С. 51-59. (Розроблено дифузійну модель процесу формування тонких силіцидних плівок на кремнії. Одержано розрахункові формули для визначення швидкості руху міжфазної границі силіцид-кремній і часу закінчення формування силіцидного шару залежно від товщини напиленої металевої
плівки, температури відпалу, коефіцієнта дифузії та максимальної розчинності дифузанта в силіциді.),
Ж28502 Дворина Л. А. Применение тугоплавких соединений в микроэлектронике / Л. А. Дворина, А. С. Драненко // Порошковая металлургия. - 2000. - № 9/10. - С. 116-121. (Виконано огляд літературних джерел щодо використання тугоплавких сполук для формування тонких плівок. Використання цих матеріалів класифіковано за схемою: низькоомні сполучення, омічні контакти, бар'єри Шотткі, оптоелектроніка, магнітні матеріали, бар'єрні шари. Наведено сукупність властивостей та основні параметри плівкової продукції. Указано на найперспективніші області використання плівок тугоплавких сполук у мікроелектроніці. Зазначено, що складалися умови для заміни традиційних металевих плівок на тугоплавкі сполуки.),
Ж21854 Battiston G. A. Kinetic studies in a hot-wall MOCVD reactor = Кінетичне дослідження хімічного осадження металоорганічних сполук з газової фази в реакторі з нагрітими стінками / G. A. Battiston, R. Gerbasi, P. Zanella // Укр. хим. журнал. - 1999. - № 5. - С. 5-12. (Розглянуто один з головних аспектів LP-MOCVD (хімічне осадження з парової фази при низькому тиску) - кінетика росту тонких плівок. Термічний розклад вихідних речовин вивчено з допомогою інфрачервоної Фур'є-спектроскопії газової фази. Досліджено протікання паралельних реакцій в однорідній газовій або неоднорідній газово-твердій фазі, які складаються з ряду послідовних стадій. Полікристалічні
тонкі плівки TiO2 отримано за відсутності кисню з використанням Ti(OPr-i)4) як вихідної речовини. Аморфні чорні (забруднені вуглецем) та гладкі
плівки Al2O3 одержано в присутності кисню з Et2Alacac, а полікристалічні
плівки Pt (не забруднені вуглецем) - з Pt(acac)2. Моделі добре передбачають швидкості осадження, відносячи до лімітуючої стадії енергію активації 126 кДж/моль для росту тонких плівок TiO2, 97 кДж/моль - для плівок Al2O3 і коефіцієнт дифузії 1062 см2/хв - для росту тонких плівок Pt.),
Ж14161 Mulenko S. A. Laser deposition of semiconductor thin films from iron carbonyl vapours = Лазерне осадження напівпровідникових тонких плівок з пари карбонілу заліза / S. A. Mulenko // Металлофизика и новейшие технологии. - 2001. - № 1. - С. 35-41. (Запропоновано метод формування напівпровідникових плівок і шарів, який базується на лазерному хімічному осадженні елементів з пари пентакарбоніла заліза (Fe(CO)5). Осадження елементів з пари Fe(CO)5 проведено за умов опромінення поверхні підкладки з Si сфокусованим випромінюванням Ar+- лазера (lambdaL = 488 нм). Наступна обробка осадженої
плівки випромінюванням сфокусованого YAG:Nd+3-лазера (lambdaL = 1064 нм) за густини потужності 105 Вт/см2 призводить до утворення напівпровідникового шару з таким стехіометричним складом: FeSi2 - XCX. Обробка випромінюванням YAG:Nd+3-лазера призводить до збільшення ширини забороненої зони (Ei) напівпровідникового матеріалу від (0,01 +- 0,001) до (0,1 +- 0,01) еВ. Карбідо-силіциди з використанням заліза (FeSi2 - XCX) можна використовувати як неохолоджувані фототермоперетворювачі.),
Ж21854 Заславський О. М. Особливості структуроутворення в лазерних оксидних конденсатах за умов швидкісної конденсації парового потоку / О. М. Заславський // Укр. хим. журнал. - 1999. - № 7. - С. 23-27. (Розглянуто аспекти формування плівок індивідуальних оксидів MO2 і M2'O3, (M = Ti, Zr, Hf, M' = Al, Sc, Y, La - Lu) при лазерному випаровуванні оксидів. Досліджено процеси утворення фаз і росту кристалітів в залежності від температури субстрату. Показано, що особливості структуроутворення в тонких лазерних конденсатах оксидів визначаються температурним режимом осадження, який визначає рівень внутрішніх напружень в утворюваних плівках.),
Ж29112 Удовиченко В. В. Мультифрактальные свойства пленки сульфида меди, полученной в самоорганизующейся химической системе / В. В. Удовиченко, П. Е. Стрижак // Теорет. и эксперим. химия. - 2002. - № 4. - С. 253-256. (Досліджено ріст фрактальних плівок CuS, що утворюються в реакції окиснення аскорбінової кислоти киснем повітря за присутності координаційної сполуки міді та сульфіду натрію. Процес росту плівок можна розділити на три стадії: зародження центрів росту CuS; ріст CuS відповідно до механізму дифузно лімітованої агрегації; на заключній стадії структура
плівки не змінюється. Розроблено спосіб одержання плівок з однаковою фрактальною розмірністю, але різними значеннями фрактальної дивергенції.),
Ж21854 CVD-синтез тонких оксидных пленок Zn и Al при ультразвуковой активации / В. П. Овсянников, Е. А. Мазуренко, А. И. Герасимчук [и др.] // Укр. хим. журнал. - 2002. - № 1-2. - С. 87-90. (Розглянуто теоретичні передумови, що обгрунтовують зміни в фізико-хімічних властивостях плівкових матеріалів за ультразвукового впливу на підкладку в процесі їх синтезу, а також наведено конкретні приклади покращання функціональних характеристик плівок, що осаджуються за такої активації процесу.),
Ж28502 Andreeva A. F. The structure and some properties of Pb(Zr,Ti)O3 thin films = Структура и некоторые свойства тонких пленок Pb(Zr,Ti)O3 / A. F. Andreeva, A. M. Kasumov // Порошковая металлургия. - 2002. - № 11/12. - С. 9-11. (Досліджено можливість одержання плівок Pb(Zr,Ti)O3(PZT) окисненням багатошарової системи Pb - Zr - Ti.
Плівки одержано випаровуванням у вакуумі на підкладині з полірованого кварцу та ситалу за температури 300 - 800 К.
Плівки PZT, одержані за умов температури 500 К, були аморфними. Зі збільшенням температури до 600 К спостережено кристалізацію конденсатів з утворенням структури типу перовскіта. Вивчено діелектричні й оптичні властивості конденсатів. Для структур метал - діелектрик - метал товщиною 0,8 мкм ємність складала 2,60 мкФ, діелектрична стала - 74 880. Ширина забороненої зони, визначена по краю власного поглинання, дорівнювала 3,5 еВ. Перевагою запропонованого методу одержання тонких плівок PZT є низька температура осадження, а також можливість проведення всіх технологічних операцій, у тому числі зміни складу та властивостей плівок шляхом легування.),
Ж16425 Interfacial architecture on the fractal support: polycrystalline gold films as support for self-assembling monolayers / B. Snopok, P. Strizhak, E. Kostyukevich [et al.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - N 3. - P. 86-97. (Для опису топографії поверхні тонких полікристалічних плівок золота використано мультифрактальний аналіз.
Плівки виготовлялись термічним випаровуванням у вакуумі. Їх структуру модифіковано за допомогою відпалу за різних температур в інтервалі 20 - 200 °С. Зображення поверхні плівок одержували за допомогою силової мікроскопії. Зображення проаналізовано як набір шарів, що розташовані паралельно деякій усередненій поверхні. Фрактальні субнабори з різними масштабними властивостями описано в термінах мультифрактальної дивергенції (тобто різниці між максимальними та мінімальними значеннями спектра f(alpha)). Це дозволило одержати нові дані про вплив температури відпалу плівок на структуру поверхні. Знайдено, що різноманітність фракталів різко зменшується в області температур 130 - 140 °С. Зроблено висновок про наявність фазового переходу в цій системі. Нижче температури фазового переходу топографія поверхні характеризується більш високою шорсткістю та наявністю дрібномасштабних нерегулярностей. За кімнатної температури структура поверхні зазнає морфологічного переходу, який викликаний плавленням дрібномасштабних нерегулярностей. Плавлення приводить також до зменшення шорсткості за рахунок розтікання кристалітів золота. Показано, що перетворення поверхні під час низькотемпературного відпалу змінює спектральну густину потужності та функції розподілу імовірностей висот.)
Реферативна база даних
Простий пошук
Віртуальна довідка
Відповідь бібліотекаря