|
РА407415 Гайдар, Галина Петрівна. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2014. - 32 с. : рис., табл.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу: Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|