|
|
ДС149251
Гайдар, Галина Петрівна.
Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge [Текст] : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Ін-т ядер. дослідж. - Київ, 2014. - 362 арк. : табл., рис. - Бібліогр.: арк. 315-358.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України (Київ); Інститут ядерних досліджень (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|