| Ж42214/2005/433 |
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf .
Wissenschaftlich-Technische Berichte [FZD] [Text] / Forschungszentrum Dresden-Rossendorf . - Dresden : FZD. - ISSN 1437-322X.
№ 433 : HeT-SiC-05 : international topical workshop on heteroepitaxy of 3C-SiC on silicon and its application to sensor devices / ed.: G. Brauer, W. Skorupa. - Rossendorf : FZR, 2005. - 87 p. : il., tab. (Wissenschaftlich-Technische Berichte [HZDR], ISSN 2191-8708 ; № 433). - Рез. нім. - Бібліогр. в кінці ст.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Brauer, Gerhard (ред.); Forschungszentrum Dresden-Rossendorf
|
2005 | | № 433
|
