Пошуковий запит: (<.>U=З843.31$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 97
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІР7405
Anokhin, Igor Evgenovych.
Coordinate determination of high energy charged particles by silicon strip detectors [Text] / I. E. Anokhin, O. S. Zinets. - Kyiv : [б.в.], 2002. - 12 p.: fig. - (Prepr. / National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research ; 02-2). - Бібліогр.: P.12.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Zinets, Oleg Sergijovych; National Academy of science of Ukraine. Institute of nuclear research
Видання зберігається у :
|
| 2. |
ІВ225857
Mehringer, Christian.
Aerosol synthesis and characterization of semiconducting nanoparticles from the elements Si and Ge for the application in printable electronics [Text] : diss. / Christian Mehringer ; Technischen Fak. der Friedrich-Alexander-Univ. Erlangen-Nürnberg. - Nürnberg, 2018. - 180 p. : fig. - Бібліогр.: с. 155-165.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Friedrich-Alexander-Universität (Erlangen-Nürnberg). Technischen Fakultät
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 3. |
ІР5831
Two-wavelength laser-induced dissociation of silicon tetrafluoride with CW CO2-lasers [Text] / M. Ehbrecht [a.o.]. - Moscow : [б.в.], 1995. - 27 p.: fig. - (Prepr. / Russian academy of sci. General physics inst. ; 24).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Ehbrecht, M.; Huisken, F.; Karpov, N.A.; Luk'ashko, A.P.; Panasenko, D.Yu.; Russian academy of sci. General physics inst.
Видання зберігається у :
|
| 4. |
ДС92913
Єгоров, Сергій Геннадійович.
Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк. - арк. 106-118.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
РА342431
Єгоров, Сергій Геннадійович.
Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 22 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
Р92167
Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ [Текст] / А. Л. Суворов [и др.]. - М. : [б.и.], 2000. - 35 с.: рис. - (Препр. / Институт теоретической и экспериментальной физики ; 27-00). - Библиогр.: c.32-35.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Суворов, А. Л.; Чаплыгин, Ю. А.; Тимошенков, С. П.; Прокопьев, Е. П.; Графутин, В. И.; Институт теоретической и экспериментальной физики
Видання зберігається у :
|
| 7. |
РА366023
Банзак, Оксана Вікторівна.
Методи та засоби радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових матеріалів та приладів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Банзак Оксана Вікторівна ; Одеський національний політехнічний ун-т. - О., 2009. - 22 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеський національний політехнічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
ДС145278
Банзак, Оксана Викторовна.
Методы и средства радиационной модификации свойств полупроводниковых материалов и приборов [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Банзак Оксана Викторовна ; Одес. нац. политехн. ун-т. - Одесса, 2009. - 180, [4] л. : табл., рис. - Бібліогр.: арк. 170-179.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одесский национальный политехнический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
РА343811
Братусь, Віктор Якович.
Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Братусь Віктор Якович ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2006. - 28 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
ДС93633
Братусь, Віктор Якович.
Природа та структура парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC і кремнієвих матеріалах з наноструктурами [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Братусь Віктор Якович ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2006. - 288 арк.: рис. - арк. 245-288.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
ДС96033
Будзуляк, Сергій Іванович.
Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Будзуляк Сергій Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2006. - 128 арк. - арк. 115-128.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
РА342393
Будзуляк, Сергій Іванович.
Механізми тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах кремнію та германію n-типу [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Будзуляк Сергій Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2006. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА332035
Власкіна, Світлана Іванівна.
Монокристалічні плівки SiC на чужорідних підкладках, їх структурні та електро-оптичні властивості [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Власкіна Світлана Іванівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2004. - 31 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
ДС88121
Власкина, Светлана Ивановна.
Монокристаллические пленки SiC на инородных подложках, их структурные и электро-оптические свойства [Текст] : дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Власкина Светлана Ивановна ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - К., 2004. - 318 л.: ил. - Библиогр.: л. 298-318.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
РА407415
Гайдар, Галина Петрівна.
Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge [Текст] : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - Київ, 2014. - 32 с. : рис., табл.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
ДС149251
Гайдар, Галина Петрівна.
Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge [Текст] : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Гайдар Галина Петрівна ; НАН України, Ін-т ядер. дослідж. - Київ, 2014. - 362 арк. : табл., рис. - Бібліогр.: арк. 315-358.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України (Київ); Інститут ядерних досліджень (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
ВА693039
Герасименко, Николай Николаевич.
Кремний - материал наноэлектроники [Текст] : учеб. пособие для студ. вузов, обучающихся по направлениям подгот. 210600 "Нанотехнология" и 210100 "Электроника и микроэлектроника" / Н. Н. Герасименко, Ю. Н. Пархоменко. - М. : Техносфера, 2007. - 351 с.: рис. - (Мир материалов и технологий ; 6-12). - Библиогр.: в конце глав.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Пархоменко, Юрий Николаевич
Видання зберігається у :
Універсальний підсобний фонд
|
| 18. |
ДС112703
Голота, Віктор Іванович.
Автоемісійні мікрокатоди з елементами керування на структурах "кремній-на-ізоляторі" [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 / Голота Віктор Іванович ; Нац. ун-т "Львів. політехніка". - Л., 2009. - 193 арк. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 179-193.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
"Львівська політехніка", національний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
РА363745
Голота, Віктор Іванович.
Автоемісійні мікрокатоди з елементами керування на структурах "кремній-на-ізоляторі" [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Голота Віктор Іванович ; Національний ун-т "Львівська політехніка". - Л., 2009. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національний університет "Львівська політехніка" (Львів)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
ДС53436
Горін, Андрій Євгенович.
Дослідження анізотропії теозорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge та Si [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Горін Андрій Євгенович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1996. - 108 л.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Книжкові видання
