Пошуковий запит: (<.>U=З852.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 169
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Руденко Т. В. Характеристики параллельного соединения силовых транзисторов в режиме переключения : Дис...канд.техн.наук:05.09.12 / Руденко Татьяна Владимировна. - К., 1992. - 179 л. (Шифр: ДС42289)
|
| 2. | Политанский Л. Ф. Разработка высоковольтных переключающих устройств на ДМОП-структурах : Дис...д-ра техн.наук в форме науч.докл.:05.27.05;05.27.01 / Политанский Леонид Францевич ; Львовский политехнический ин-т. - Львов, 1992. - 64 с. (Шифр: ДС43426сл)
|
| 3. | Викулина Л. Ф. Магниточувствительные полупроводниковые сенсоры : Дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / Викулина Лидия Федоровна ; Одесский ин-т сухопутных войск. - О., 1999. - 251 л. (Шифр: ДС66284сл)
|
| 4. | Геллер В. І. Конструктивно- технологічні методи виробництва перемикаючих напівпровідникових виробів на основі метал- діелектрик- напівпровідник структур з подвійною дифузією : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Геллер Віталій Ізраїльович ; Особливе конструкторське бюро "Рута". - Чернівці, 1996. - 146 л. (Шифр: ДС53439)
|
| 5. | Корначевський Я. І. Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем : Дис... канд. техн. наук: 05.13.12 / Корначевський Ярослав Ілліч ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2004. - 151 арк.: рис. (Шифр: ДС82901)
|
| 6. | Стовповой М. А. Формирование и исследование термостойких омических и барьерных контактов к СВЧ приборам на основе GaAs : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Стовповой Михаил Алексеевич ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - К., 2005. - 141 л.: рис., табл. (Шифр: ДС90464)
|
| 7. | Сундучков И. К. Разработка малошумящих усилителей миллиметрового диапазона с использованием модифицированной модели транзисторов с высокой подвижностью электронов : дис... канд. техн. наук: 05.12.13 / Сундучков Игорь Константинович ; Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Сатурн". - К., 2007. - 157 л. (Шифр: ДС101376)
|
| 8. | Войцеховська О. В. Нелінійні властивості комбінованих транзисторних негатронів та пристрої автоматики на їх основі : дис... канд. техн. наук: 05.13.05 / Войцеховська Олена Валеріївна ; Вінницький національний технічний ун-т. - Вінниця, 2007. - 176 арк. (Шифр: ДС105355)
|
| 9. | Молчанов П. А. Теорія нелінійних транзисторних негатронів для пристроїв систем керування : Дис... д-ра техн. наук: 05.13.05 / Молчанов Павло Анатолійович ; Вінницький держ. технічний ун-т. - Вінниця, 1998. - 292 л. (Шифр: ДС59127)
|
| 10. | Павлишин О. В. Термофоторезистивний ефект для мікроелектронних сенсорів : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Павлишин Олег Володимирович ; Особливе конструкторське бюро "РУТА". - Чернівці, 1998. - 135 л. (Шифр: ДС58580)
|
| 11. | Тарновський М. Г. Дослідження фотоелектричних властивостей арсенід- галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі та розробка оптоелектронних комутуючих пристроїв : Дис... канд. техн. наук: 05.13.05 / Тарновський Микола Геннадійович ; Вінницький держ. технічний ун-т. - Вінниця, 1998. - 212 л. (Шифр: ДС62421)
|
| 12. | Макар В. М. Математичне моделювання механічних коливальних процесів в силових напівпровідникових приладах на основі методу скінченних елементів : Дис... канд. техн. наук: 01.05.02 / Макар Володимир Мирославович ; Львівський держ. ун-т ім. Івана Франка. - Л., 1999. - 150 л. (Шифр: ДС62395)
|
| 13. | Фролов А. Н. Оптимизация конструкции и технологии планарных дрейфовых n-p-n транзисторов : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Фролов Александр Николаевич ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 1999. - 142 л. (Шифр: ДС61712)
|
| 14. | Григорук А. А. Нелинейное моделирование СВЧ и КВЧ цепей на субмикронных гетероструктурных транзисторах : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Григорук Александр Александрович ; Национальный технический ун-т Украины "Киевский политехнический ин-т". - К., 1999. - 195 л.: рис. (Шифр: ДС60215)
|
| 15. | Ренгевич А. Е. Влияние гамма-радиации и СВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ренгевич Алексей Евгеньевич ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 2001. - 158 л.: табл. (Шифр: ДС69239)
|
| 16. | Герасим В. В. Розробка перемикальних р-канальних МОН-структур, керованих малопотужними сигналами : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Герасим Василь Васильович ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2001. - 140 арк. (Шифр: ДС71238)
|
| 17. | Осадчук О. В. Радіовимірювальні мікроелектронні перетворювачі на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором : Дис... д-ра техн. наук: 05.11.08 / Осадчук Олександр Володимирович ; Вінницький держ. технічний ун-т. - Вінниця, 2002. - 385 арк. (Шифр: ДС76664)
|
| 18. | Іващук А. В. Формування омічних контактів до напівпровідників A3B5 для НВЧ польових транзисторів із наднизьким рівнем шуму : Дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Іващук Анатолій Васильович ; ВАТ "Науково-технічне підприємство "Сатурн". - К., 2003. - 174 арк. (Шифр: ДС79499сл)
|
| 19. | Куракін А. М. Радіаційні ефекти в польових транзисторах на базі гетеропереходів AlGaN/GaN : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Куракін Андрій Михайлович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 127 арк.: рис. (Шифр: ДС96205)
|
| 20. | Марколенко П. Ю. Переключение в тиристорных структурах при высоком уровне инжекции и действии внешних факторов (свет, магнитное поле, радиация) : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Марколенко Павел Юрьевич ; Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова. - О., 2006. - 130 л.: рис. (Шифр: ДС98047)
|
| | |
Книжкові видання
