Пошуковий запит: (<.>U=З852.3$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 170
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІВ219472
Baldauf, Tim.
Integration von Multi-Gate-Transistoren auf Basis einer 22 nm-Technologie [Text] : Diss. / Tim Baldauf ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden. - Dresden, 2014. - X, 187 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 173-184.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Technische Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
ІВ193268
Dilger, Markus.
Herstellung und Charakterisierung von Einzelektronentransistoren [Text] : Diss. / M. Dilger ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 199 S.:Abb. - Бібліогр.: s.191-199.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Physik
Видання зберігається у :
|
| 3. |
ІВ198317
Frohna, Michael.
Polykristalline CdSe-Dünnfilmtransistoren mit optimierten Eigenschaften und Technologie großflächiger ferroelektrischer Flüssigkristallanzeigen mit Foliensubstraten [Text] : Diss. / M. Frohna ; Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik. - Zürich : [б.в.], 2000. - 123 S.: Abb. - Бібліогр.: S.119-123.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Universität Stuttgart. Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
|
| 4. |
MFI2524/1-2
Herr, Egon.
Gate oxide integrity of BiMOS power devices [Text] : diss. / E. Herr ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1994. - 126 p.:fig. - (Diss. ETH ; 10678).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 5. |
MFI1990/1-2
Herrmann, Martin Rudolf.
Charge loss modelling for EPROMs with ONO Interpoly dielectric [Text] : diss. / M. R. Herrmann ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1991. - 103 p.:ill. - (Diss ETH ; 10817).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 6. |
MFI4561/1-4
Huber, Dieter.
InP/InGaAs single hetero-junction bipolar for integrated photoreceivers at 40 Gb/s and beyond [Text] : diss. / D. Huber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2002. - 213 p.: fig. - (ETH Diss ; 14504).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 7. |
ІВ213887
Kaihovirta, Nikolai.
Ion modulated organic transistors [Text] : diss. / Nikolai Kaihovirta ; Dep. of natural sciences Åbo Akad. Univ. [etc.]. - Åbo : Åbo Akad. Univ., 2010. - 98 p. : fig. - Рез. швец. - Бібліогр.: с. 49-57.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Åbo Akademi University. Department of natural sciences. Physics; FunMut, center for functional materials; Graduate school of materials research
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
В276000/Cz. 1
Laboratorium układów elektronicznych [Text]. - Wrocław : Oficyna wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 1998 .
Cz. 1 / red. A. Prałat. - 1998. - 227 s.: rys. - Бібліогр.: v kinci st.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Prałat, Andrzej (red.)
Видання зберігається у :
|
| 9. |
ІС11858
Löken, Michael.
Herstellung und Charakterisierung von ultraschnellen Photodetektoren [Text] : Diss. / M. Löken ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 1999. - IV, 140 S.: Abb. - Бібліогр.: S.129-134.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.
Видання зберігається у :
|
| 10. |
ІВ195322
Maier, Gert.
Technologie und Ansteuerung von Spatialen Flüssigkristall-Lichtmodulatoren mir amorphen Silizium-Dünnschichttransistoren [Text] : Diss. / G. Maier ; Universität Stuttgart. Fak. für Elektrotechnik. - Stuttgart : Institut für Netzwerk-und Systemtheorie der Univ. Stutt., 1998. - 126 S.: Abb. - Бібліогр.: S. 124-126.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Die Universität Stuttgart. Fak. für Elektrotechnik
Видання зберігається у :
|
| 11. |
ІВ199021
Mietzner, Torsten-Karl-Rudolf.
Elektronenverteilungen in kurzen n-Kanal Si-MOSFETs unter Berücksichtigung von Elektron-Elektron-Wechselwirkung [Text] : Diss. / T. Mietzner ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 2001. - 124 S.: Abb. - Бібліогр.: S.119-124.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Universität zu Köln. Math. -Naturwiss. Fak.
Видання зберігається у :
|
| 12. |
MFI5983/1-5
Palmero, Jose Miguel Ruiz.
Physical IrP-based HBT models for ultimate digital [Text] : diss. / J. M. Palmero ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2006. - 295 p. - (ETH-Diss ; 16859).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 13. |
MFI6266/1-2
Pernstich, Kurt Peter.
The influence of trap states on charge transport in organic transistors [Text] : diss. / K. P. Pernstich ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2007. - 133 p. - (ETH-Diss ; 17245).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 14. |
MFI2777/1-2
Riccobene, Concetta.
Multidimensional analysis of galvanomagnetic effects in magnetotransistors [Text] : diss. / C. Riccobene ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1995. - 186 p.:ill. - (Diss ETH ; 11077).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 15. |
MFI4501/1-3
Rohner, Marcel.
Physical limitations of InP/InGaAs1/3 heterojunction-bipolar transistors [Text] : diss. / M. Rohner ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2002. - 176 p.: fig. - (ETH-Diss ; 14508).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 16. |
MFI2885/1-3
Ryter, Roland.
Analysis and development of high voltage bipolar transistors for BiCMOS smart power applications [Text] : diss / R. Ryter ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1996. - 211 p.:ill. - (Diss ETH ; 11446).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 17. |
MFI3859/1-2
Scholze, Andreas.
Simulation of single-electron devices [Text] : diss. / A. Scholze ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 161 p.: fig. - (Diss ETH ; 13526).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 18. |
ІВ229779
Schwarz, Maximiliam.
Fabrication and Electrical Transport Properties of Silver Selenide Nanowire Field-Effect Transistors Obtained via Cation Exchange [Text] : diss. for the attaintment of the degree doctor rerum naturalium (Dr. rer. nat.) / Maximilian Schwarz ; Fakultät für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften, Institut für Physikalische Chemie, Universität Hamburg. - Hamburg : Dr. Hut, 2021. - XV, 173 p. : fig., tab. - Назва на корінці : Electrical Transport Properties of Silver Selenide Nanowire. - Бібліогр.: с. 137-157.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Die Universität Hamburg. Institut für Physikalische Chemie; Institut für Physikalische Chemie (Hamburg). Fakultät für Mathematik, Informatik und Naturwissenschaften
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
MFI3801/1-2
Schär-Sager, Adrian.
Kritischer Vergleich unterschiedlicher MCT-Strukturen [Text] : Abh. / A. Schär-Sager ; Eidgenössische Technische Hochschule Zürich. - Zürich : [б.в.], 1997. - 99 S.:Abb. - (Diss ETH ; 12310).
Дод. точки доступу:
Eidgenössische Technische Hochschule Zürich
Видання зберігається у :
|
| 20. |
ІВ219473
Teng, Lichao.
Sub-100 nm channel length organic field effect transistor fabricated by wafer-scale nanoimprint lithography [Text] : Diss. / Lichao Teng ; Fak. Elektrotechnik und Informationstechnik der Techn. Univ. Dresden. - Dresden : TUDpress, 2014. - XV, 145 p. : fig. - Бібліогр.: с. 135-145.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Technische Universität (Dresden). Fakultät Elektrotechnik und Informationstechnik
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Книжкові видання
