Пошуковий запит: (<.>U=З86-531.8$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Генератор высоковольтных наносекундных импульсов для накачки полупроводниковых лазеров пучком быстрых электронов / В. Б. Антонов [и др.]. - Баку : [б. и.], 1972. - 11 с. : рис. - (Препр. / Ин-т физики АН АзССР, Лаб. полупроводниковой квантовой электроники ; №2) (Шифр: Р116274)
|
| 2. | Антонов В. Б. Генератор токовых импульсов для возбуждения инжекционных лазеров / В. Б. Антонов, Ф. Г. Геокчаев, Э. Ю. Салаев. - Баку : [б. и.], 1973. - 8 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковой квантовой электроники. №20) (Шифр: Р116275)
|
| 3. | Обидин А. З. Инверсная заселённость в полупроводниках АIIВVI, возбуждаемых направленным разрядом : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Обидин Алексей Захарович ; Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. - М., 1983. - 20 с. (Шифр: РА412157)
|
| 4. | Капанадзе З. Б. Получение и исследование эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов индий-галлий-мышьяк-сурьма для инжекционных лазеров : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Капанадзе Зураб Бидзинович ; Московский ин-т стали и сплавов. - М., 1992. - 20 с. (Шифр: РА336081)
|
| 5. | Пащенко А. Г. Разработка математической модели для расчета полупроводниковых квантоворазмерных инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs c учетом экситонных эффектов : Дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Пащенко Алексей Георгиевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 1996. - 199 с. (Шифр: ДС55024)
|
| 6. | Пащенко О. Г. Розробка математичної моделі для розрахунку напівпроводникових квантоворозмірних інжекційних лазерів на основі GaAs/AlGaAs з урахуванням екситонних ефектів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.04 / Пащенко Олексій Георгійович ; Нац. акад. наук України, Ін-т радіофізики і електроніки ім. О. Я. Усикова. - Х., 1997. - 16 с. (Шифр: РА296722)
|
| 7. | Птащенко Ф. О. Просторово- неоднорідні рекомбінаційні процеси і поляризація випромінювання в лазерних гетероструктурах на основі GaAs- AlGaAs : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Птащенко Федір Олександрович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - Одеса, 1998. - 16 с. (Шифр: РА300774)
|
| 8. | Бондаренко Д. В. Математическое моделирование переходных процессов в инжекционных полупроводниковых лазерах / Д. В. Бондаренко ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т электродинамики. - К. : [б.в.], 1998. - 19 с. - (Препр. / НАН Украины, Институт электродинамики ; 813) (Шифр: Р82899)
|
| 9. | Hendriks R. F. Optically-pumped vertical-cavity semiconductor lasers : Proefschrift / R. F. Hendriks ; Universiteit Leiden. Fak. der Sociale Wetenschappen. - Leiden : [б.в.], 1998. - 113 p.: fig. (Шифр: ІВ198022)
|
| 10. | Птащенко Ф. А. Пространственно- неоднородные рекомбинационные процессы и поляризация излучения в лазерных гетероструктурах на основе GaAs-AlGaAs : Дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Птащенко Федор Александрович ; Одесская гос. морская академия. - О., 1998. - 202 л. (Шифр: ДС58475)
|
| 11. | Васильев П. П. Полупроводниковый лазер с биконическим волноводом / П. П. Васильев [и др]. - М. : [б.и.], 1999. - 10 с.: рис. - (Препринт / РАН, Физический ин-т им. П.Н.Лебедева ; 71) (Шифр: Р91587)
|
| 12. | Dülk M. Active and hybrid mode-locked semiconductor lasers with external fiber bragg grating cavities for high-speed optical fiber networks : Diss. / M. Dülk ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 179 p.: fig. - (Diss ETH ; 13886) (Шифр: MFI4273/1-2)
|
| 13. | Жмудь, Вадим Аркадьевич Электронные системы управления лазерным излучением. Ч. 3. - [Б. м.] : [б.и.], 2000. - 52 с.: рис. (Шифр: В344354/Ч. 3)
|
| 14. | Величанский В. Л. Диагностика и пространственное согласование пучков лазерных диодов / В. Л. Величанский [и др] ; РАН, Физический институт имени П. Н. Лебедева. - М. : [б.и.], 2000. - 28 с.: рис. - (Препр. / РАН, Физический ин-т им. П.Н.Лебедева ; №27) (Шифр: Р93357)
|
| 15. | Лисак В. В. Вплив нелінійних ефектів підсилення на параметри малосигнального режиму генерації напівпровідникових лазерів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Лисак Володимир Валерійович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2000. - 20 с. (Шифр: РА311644)
|
| 16. | Лысак В. В. Влияние нелинейных эффектов усиления на параметры малосигнального режима генерации полупроводниковых лазеров : Дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Лысак Владимир Валериевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 2000. - 134 л. (Шифр: ДС66796)
|
| 17. | Сухоиванов И. А. Динамические процессы в полупроводниковых лазерах высокоскоростных волоконно-оптических систем : Дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Сухоиванов Игорь Александрович ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2001. - 348 л. (Шифр: ДС72308)
|
| 18. | Бондаренко Д. В. Моделювання динамічних процесів в електроінжекційних напівпровідникових лазерах : Дис... канд. техн. наук: 05.09.05 / Бондаренко Дмитро Володимирович ; НАН України, Інститут електродинаміки. - К., 2001. - 199 арк.: рис. (Шифр: ДС70225)
|
| 19. | Бондаренко Д. В. Моделювання динамічних процесів в електроінжекційних напівпровідникових лазерах : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.09.05 / Бондаренко Дмитро Володимирович ; НАН України, Інститут електродинаміки. - К., 2001. - 20 с. (Шифр: РА313041)
|
| 20. | Сухоіванов І. О. Динамічні процеси в напівпровідникових лазерах високошвидкісних волоконно-оптичних систем : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.05 / І.О.Сухоіванов ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2001. - 32 с. (Шифр: РА317477)
|
| | |
Книжкові видання
