Пошуковий запит: (<.>U=К345.5$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 72
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Нгуен Суан Нгиа Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик : Дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Нгуен Суан Нгиа ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1994. - 219 л. (Шифр: ДС44390)
|
2. | Козицький С. В. Фізичні властивості та структура сульфіду і селеніду цинку, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козицький Сергій Васильович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 1995. - 305 л. (Шифр: ДС51485)
|
3. | Притчин С. Э. Усовершенствание технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Притчин Сергей Эмильевич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2003. - 239 л.: ил. (Шифр: ДС82577)
|
4. | Порєв Г. В. Вдосконалення методів і засобів вимірювання параметрів електронно-променевої безтигельної зонної плавки : Дис... канд. техн. наук: 05.11.13 / Порєв Геннадій Володимирович ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2004. - 182 арк. (Шифр: ДС82803)
|
5. | Михальчук В. И. Разработка высокоточных устройств контроля температуры расплава и оптимизация тепловых условий при выращивании слитков кремния диаметром 150 мм : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Михальчук Виктор Ильич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2004. - 174 л.: рис. (Шифр: ДС86216)
|
6. | Рудько Г. Ю. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності : Дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; НАН України, Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 300 арк.: рис. (Шифр: ДС88946)
|
7. | Вашерук А. В. Анализ влияния тепловых условий на структурное совершенство монокристаллов кремния и разработка теплового узла для выращивания бездефектных слитков в промышленных условиях : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Вашерук Александр Васильевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2006. - 139 л.: рис. (Шифр: ДС91890)
|
8. | Тербан В. А. Получение теллура высокой чистоты с пониженным содержанием кислорода для жидкофазной эпитаксии твердых растворов кадмий-ртуть-теллур : Дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Тербан Виктор Андреевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления, ОАО "Чистые металлы". - Кременчуг, 2005. - 132 л. (Шифр: ДС92013)
|
9. | Єгоров С. Г. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію : Дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк. (Шифр: ДС92913)
|
10. | Паранчич Ю. С. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості : Дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 133 с. (Шифр: ДС51946)
|
11. | Урум Г. Д. Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках : Дис... канд. техн. наук:05.15.20 / Урум Галина Дмитриевна ; Украинская гос. академия связи им. А.С.Попова. - О., 1998. - 134 л.: рис. (Шифр: ДС62609)
|
12. | Порєв В. А. Аналіз параметрів зони плавки за допомогою приладів з електронним розгортанням зображення : Дис... д-ра техн. наук: 05.11.13 / В.А.Порєв ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 1999. - 300 арк. (Шифр: ДС65628сл)
|
13. | Комарь В. К. Технологические основы выращивания кристаллов соединений AIIBVI из расплава под давлением инертного газа : Дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Комарь Виталий Корнеевич ; НАН Украины, Науч.-технол. концерн "Ин-т монокристаллов", Науч.-исслед. отд-ние "Оптич. и конструкц. кристаллы". - Х., 2001. - 218 л. (Шифр: ДС72395)
|
14. | Старжинский Н. Г. Физико-технологические основы получения АIIВVI сцинтилляторов, их свойства и особенности применения : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Старжинский Николай Григорьевич ; НАН Украины, Ин-т сцинтилляц. материалов. - Х., 2006. - 300 л.: рис., табл. (Шифр: ДС97332)
|
15. | Баганов Є. О. Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Баганов Євген Олександрович ; Херсонський національний технічний ун-т. - Херсон, 2006. - 178 арк. (Шифр: ДС98323)
|
16. | Критская Т. В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики : дис... д-ра техн. наук: 05.16.03 / Критская Татьяна Владимировна ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 2006. - 342 л.: фотоил., рис., табл. (Шифр: ДС99679)
|
17. | Герега О. М. Використання перколяційних моделей у дослідженнях властивостей молекулярних систем : Автореф. дис...канд. техн. наук: 01.04.14 / Герега Олександр Миколайович ; Одеська академія харчових технологій. - О., 1995. - 15 с. (Шифр: РА288516)
|
18. | Оскар Хосе Араика Ривера Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния n-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка : Автореф.дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера ; Белорусский ун-т. - Минск, 1993. - 14 с. (Шифр: РА281031)
|
19. | Паранчич Ю. С. Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 19 с. (Шифр: РА293663)
|
20. | Рудько Г. Ю. Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2005. - 24 с.: рис. (Шифр: РА337036)
|
| |