Пошуковий запит: (<.>U=з852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 735
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. | Кристаллические выпрямители и усилители / ред. С. Г. Калашников. - М. : Сов. радио, 1954. - 56 с. (Шифр: ВА578076)
|
| 2. | Герасимов С. М. Розрахунок напівпровідникових підсилювачів і генераторів / С. М. Герасимов [та ін]. - К. : Держтехвидав України, 1958. - 288 с.: іл. (Шифр: ВА578025)
|
| 3. | Научная литература по полупроводниковым электронным приборам (детекторы и транзисторы) : библиография 1945- 1955 / АН СССР, Ин-т полупроводников ; сост. В. П. Жузе. - М. : [б.в.] ; Л. : Изд-во АН СССР, 1959. - 328 с. (Шифр: ВА578015)
|
| 4. | Федотов Я. А. Транзисторы Транзисторы / Я. А. Федотов, Ю. В. Шмарцев. - М. : Сов. радио, 1960. - 430 с.: ил. (Шифр: ВА578029)
|
| 5. | Попова М. В. Разработка и исследование германиевых инжекционно-полевых триодов (N-триодов) : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 049 / М. В. Попова ; Акад. наук СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. - Л., 1970. - 15 с. (Шифр: РА412172)
|
| 6. | Алиярова З. А. Запоминающие устройства с применением диодов на основе сложных полупроводников / З. А. Алиярова, Г. А. Аббасов. - Баку : [б. и.], 1974. - 11 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковых приборов с управляемой памятью. №25) (Шифр: Р116276)
|
| 7. | Костенко В. Л. Адаптивно регулируемые комбинированные твердотельные структуры и устройства функциональной электроники на их основе : Дис... д-ра техн. наук: 05.27.03 / Костенко Виталий Леонидович ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 1977. - 299 л. с прил. (Шифр: ДС55919сл.)
|
| 8. | Гуревич Б. М. Полупроводниковые приборы и устройства электриники : Учеб. пособие для проф.-техн. учеб. заведений / Б. М. Гуревич, Н. С. Иваненко. - М. : Высшая школа, 1979. - 72 с.: рис. - (Профтехобразование. Электроника) (Шифр: ВА618337)
|
| 9. | Капцов Л. Н. Электроны - полупроводники - транзисторы : Книга для внеклассного чтения учащихся. 8-10 классы / Л. Н. Капцов, В. А. Курочкин. - М. : Просвещение, 1982. - 96 с.: рис. - (Мир знаний) (Шифр: ВА618335)
|
| 10. | Dąbrowski W. Excess generation-recombination noise in reverse biased Schottky-barrier diodes / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel. - Kraków : [s. n.], 1988. - 21 p. : fig. - (Raport / Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; INT 220/E) (Шифр: ІР8193)
|
| 11. | Шумовые характеристики полевого транзистора КП 601А при Т= 77 К и 300 К / Р. Н. Краснокутский [и др]. - Серпухов : [б.в.], 1989. - 6 с. - (Препр. / Институт физики высоких энергий ; 89-20) (Шифр: Р86818)
|
| 12. | Статические и шумовые характеристики полевых транзисторов SNJ903 и SNJ3600L при Т=300 К и 77 К / Р. Н. Краснокутский [и др.]. - Серпухов : [б.в.], 1989. - 15 с. - (Препр. / Институт физики высоких энергий ; 89-134) (Шифр: Р86809)
|
| 13. | Торчинская Т. В. Процессы преобразования дефектов в фотоэлектрических и светоизлучающих структурах : Автореф. дис... д-ра физ.- мат. наук: 01.04.10 / Торчинская Татьяна Викторовна ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1990. - 30 с. (Шифр: РА294809сл)
|
| 14. | Павлов С. Н. Микроэлектронные управляющие элементы и устройства на базе обобщенных преобразователей иммитанса : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.13.05 / Павлов Сергей Николаевич ; АН УССР, Ин-т кибернетики им. В. М. Глушкова. - К., 1990. - 15 с. (Шифр: РА290912сл)
|
| 15. | Илькаев Д. Р. Моделирование и оптимизация процессов экспонирования и проявления фоторезистов : Автореф. дис... канд. физ.- мат. наук: 05.27.01 / Илькаев Дмитрий Радиевич ; АН СССР, Физико- технологический ин-т. - М., 1990. - 17 с. (Шифр: РА305308)
|
| 16. | Миленин Г. В. Деградация полупроводниковых изделий при зарядовой нестабильности и электрохимической коррозии : Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Миленин Григорий Владимирович ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1990. - 16 с. (Шифр: РА291346сл)
|
| 17. | Herrmann M. R. Charge loss modelling for EPROMs with ONO Interpoly dielectric : Diss. / M. R. Herrmann ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1991. - 103 p.:ill. - (Diss ETH ; 10817) (Шифр: MFI1990/1-2)
|
| 18. | Осиюк И. Н. Влияние активных воздействий на спектры электронных состояний границ раздела и приповерхностных областей слоистых структур на основе Si и CaAs : Автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Осиюк Игорь Николаевич ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1991. - 16 с. (Шифр: РА291362сл)
|
| 19. | Heiser G. Design and implementation of a three-dimensional, general purpose semiconductor device simulator : Diss. / G. Heiser ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1991. - 149 p.:ill. - (Diss ETH ; 9382) (Шифр: MFI1989/1-2)
|
| 20. | Матвеева Л. А. Исследование процессов структурной релаксации в полупроводниковых гетеросистемах : Автореф. дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Матвеева Людмила Александровна ; АН УССР, Ин-т полупроводников. - К., 1991. - 32 с. (Шифр: РА290894сл)
|
| | |
Книжкові видання
