Пошуковий запит: (<.>U=К345.5$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 72
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ДС44390
Нгуен Суан Нгиа
Процессы эпитаксиального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик [Текст] : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Нгуен Суан Нгиа ; НАН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1994. - 219 л. - л.:208-219.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников (Киев)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
ДС51485
Козицький, Сергій Васильович.
Фізичні властивості та структура сульфіду і селеніду цинку, отриманих методом самопоширюваного високотемпературного синтезу [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Козицький Сергій Васильович ; Одеський держ. ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 1995. - 305 л.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеський державний университет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 3. |
ДС82577
Притчин, Сергей Эмильевич.
Усовершенствание технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Притчин Сергей Эмильевич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2003. - 239 л.: ил. - Библиогр.: л. 173-179.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Институт экономики и новых технологий (Кременчуг)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
ДС82803
Порєв, Геннадій Володимирович.
Вдосконалення методів і засобів вимірювання параметрів електронно-променевої безтигельної зонної плавки [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.11.13 / Порєв Геннадій Володимирович ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 2004. - 182 арк. - арк. 141-148.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
ДС86216
Михальчук, Виктор Ильич.
Разработка высокоточных устройств контроля температуры расплава и оптимизация тепловых условий при выращивании слитков кремния диаметром 150 мм [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Михальчук Виктор Ильич ; Институт экономики и новых технологий. - Кременчуг, 2004. - 174 л.: рис. - Библиогр.: л. 141-147.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Институт экономики и новых технологий (Кременчуг)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
ДС88946
Рудько, Галина Юріївна.
Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; НАН України, Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 300 арк.: рис. - Бібліогр.: арк. 260-300.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
ДС91890
Вашерук, Александр Васильевич.
Анализ влияния тепловых условий на структурное совершенство монокристаллов кремния и разработка теплового узла для выращивания бездефектных слитков в промышленных условиях [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Вашерук Александр Васильевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления. - Кременчуг, 2006. - 139 л.: рис. - Библиогр.: л. 126-135.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
ДС92013
Тербан, Виктор Андреевич.
Получение теллура высокой чистоты с пониженным содержанием кислорода для жидкофазной эпитаксии твердых растворов кадмий-ртуть-теллур [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Тербан Виктор Андреевич ; Кременчугский ун-т экономики, информационных технологий и управления, ОАО "Чистые металлы". - Кременчуг, 2005. - 132 л. - Библиогр.: л. 119-130.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
ОАО "Чистые металлы"; Кременчугский университет экономики, информационных технологий и управления; ОАО "Чистые металлы"
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
ДС92913
Єгоров, Сергій Геннадійович.
Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.16.03 / Єгоров Сергій Геннадійович ; Запорізька держ. інженерна академія. - Запоріжжя, 2006. - 134 арк. - арк. 106-118.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Запорізька державна інженерна академія
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
ДС51946
Паранчич, Юрій Степанович.
Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 133 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
ДС62609
Урум, Галина Дмитриевна.
Фотоструктурные превращения и деградационные процессы в фоточувствительных аморфных полупроводниках [Текст] : дис... канд. техн. наук:05.15.20 / Урум Галина Дмитриевна ; Украинская гос. академия связи им. А.С.Попова. - О., 1998. - 134 л.: рис. - л.125-134.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Украинская государственная академия связи имени А. С. Попова (Одесса)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
ДС65628сл
Порєв, Володимир Андрійович.
Аналіз параметрів зони плавки за допомогою приладів з електронним розгортанням зображення [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.11.13 / В.А.Порєв ; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". - К., 1999. - 300 арк. - арк. 273-290.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
ДС72395
Комарь, Виталий Корнеевич.
Технологические основы выращивания кристаллов соединений AIIBVI из расплава под давлением инертного газа [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Комарь Виталий Корнеевич ; НАН Украины, Науч.-технол. концерн "Ин-т монокристаллов", Науч.-исслед. отд-ние "Оптич. и конструкц. кристаллы". - Х., 2001. - 218 л. - Библиогр.: л. 199-218.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; "Институт монокристаллов", научно-технологический концерн. "Оптические и конструкционные кристаллы", научно-исследовательское отделение
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
ДС97332
Старжинский, Николай Григорьевич.
Физико-технологические основы получения АIIВVI сцинтилляторов, их свойства и особенности применения [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.02.01 / Старжинский Николай Григорьевич ; НАН Украины, Ин-т сцинтилляц. материалов. - Х., 2006. - 300 л.: рис., табл. - Библиогр.: л. 259-295.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт сцинтилляционных материалов (Харьков)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
ДС98323
Баганов, Євген Олександрович.
Керування умовами гетероепітаксійного росту з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb/InAs [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Баганов Євген Олександрович ; Херсонський національний технічний ун-т. - Херсон, 2006. - 178 арк. - арк. 146-167.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Херсонський національний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
ДС99679
Критская, Татьяна Владимировна.
Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики [Текст] : дис... д-ра техн. наук: 05.16.03 / Критская Татьяна Владимировна ; Запорожская гос. инженерная академия. - Запорожье, 2006. - 342 л.: фотоил., рис., табл. - Библиогр.: л. 290-358.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Запорожская государственная инженерная академия
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
РА288516
Герега, Олександр Миколайович.
Використання перколяційних моделей у дослідженнях властивостей молекулярних систем [Текст] : автореф. дис...канд. техн. наук: 01.04.14 / Герега Олександр Миколайович ; Одеська академія харчових технологій. - О., 1995. - 15 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеська академія харчових технологій
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 18. |
РА281031
Оскар Хосе Араика Ривера
Радиационные дефекты в имплантированных слоях кремния n-типа и их воздействие на диффузию сурьмы и мышьяка [Текст] : автореф.дис.канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Оскар Хосе Араика Ривера ; Белорусский ун-т. - Минск, 1993. - 14 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Белорусский университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
РА293663
Паранчич, Юрій Степанович.
Нові напівмагнітні напівпровідники MxHg1-xSe(M-Cr,Co), одержання і їх основні властивості [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Паранчич Юрій Степанович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 1996. - 19 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
РА337036
Рудько, Галина Юріївна.
Структурні перетворення та зміни енергетичного спектру в напівпровідникових матеріалах електроніки при легуванні та пониженні розмірності [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Рудько Галина Юріївна ; Ін-т напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - К., 2005. - 24 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Книжкові видання
