Пошуковий запит: (<.>U=З854.22$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 47
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
ІР8267
Dąbrowski, Władysław.
Fast neutron damage of silicon pin photodiodes [Text] / Władysław Dąbrowski, Kazimierz Korbel, Andrzej Skoczeń. - Kraków : Inst. fizyki i techniki jądrowej AGH, 1990. - 26 p. : fig., tab. - (Report INT / Instytut fizyki i techniki jądrowej AGH, ISSN 0302-9034 ; 248/PS). - На тит. арк. назва парал. англ., пол., рос. - Рез.: англ., пол., рос. - Текст англ. - Бібліогр.: с. 26. - 176 прим.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Korbel, Kazimierz; Skoczeń, Andrzej
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
РА307712
Файсал, Али.
Разработка и исследование эффективных фотопреобразователей и модулей для гелиотехнических устройств [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.14.04 ; 05.14.08 / Файсал Али. - Алматы, 1999. - 22 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 3. |
РА309299
Добровольський, Юрій Георгійович.
Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Добровольський Юрій Георгійович ; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2000. - 17 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
ДС65153
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 125 л. - л. 114-125.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
РА310217
Івасів, Зіновія Федорівна.
Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Івасів Зіновія Федорівна ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 6. |
ДС66061
Добровольський, Юрій Георгійович.
Розробка кремнієвих фотодіодів підвищеної надійності [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Добровольський Юрій Георгійович ; Чернівецький держ. ун-т. - Чернівці, 2000. - 144 арк. - арк. 126-139.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький державний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
MFI3845/1-2
Biber, Alice Irene.
Avalanche photodiode image sensing in standard silicon BICMOS technology [Text] : diss. / A. I. Biber ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 155 p.: fig. - (Diss ETH ; 13544).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 8. |
Р92074
О перспективах использования новых кремниевых лавинных фотоприемников с локальной отрицательной обратной связью [Текст] / З. Я. Садыгов [и др.]. - Дубна : [б.и.], 2000. - 8 с.: ил. - (Препр. / Объединенный ин-т ядерных исследований ; р1-2000-194) (Сообщения ОИЯИ). - Библиогр.: с. 7.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Садыгов, З. Я.; Воеводин, М. А.; Бокова, Т. Ю.; Пиляр, Н. В.; Сайфулин, М. К.; Объединенный институт ядерных исследований
Видання зберігається у :
|
| 9. |
РА314530
Горбулик, Володимир Іванович.
Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Горбулик Володимир Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 18 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
ДС71129
Горбулик, Володимир Іванович.
Розробка високоефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Горбулик Володимир Іванович ; Чернівецький національний ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2001. - 196 арк. - арк.158-168.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Ю. Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
РА324912
Данилець, Євген Валентинович.
Позиційно-чутливі фотоприймачі на основі Si і епітаксійних структур GaAs (отримання, властивості, застосування) [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Данилець Євген Валентинович ; Херсонський держ. технічний ун-т. - Херсон, 2003. - 18 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Херсонський державний технічний університет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
ДС78777
Данилец, Евгений Валентинович.
Позиционно-чувствительные фотоприемники на основе Si и эпитаксиальных структур CaAs (получение, свойства, применение) [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Данилец Евгений Валентинович ; Херсонский гос. технический ун-т. - Херсон, 2003. - 134 л. - Библиогр.: л. 124-134.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Херсонский государственный технический университет
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА331403
Сидорець, Ростислав Григорович.
Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Р.Г.Сидорець ; Одеська національна академія зв'язку ім. О.С.Попова. - О., 2004. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеська національна академія зв'язку імені О. С. Попова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
ДС82729
Сидорец, Ростислав Григорьевич.
Влияние структуры базовой области и контактов на характеристики инжекционных фотодиодов [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Сидорец Ростислав Григорьевич ; Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова. - О., 2004. - 200 л.: рис. - Библиогр.: л. 182-197.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одесская национальная академия связи имени А. С. Попова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
ДС90485
Черненко, Володимир Васильович.
Процеси фотогенерації і збирання носіїв заряду в кремнійових структурах з дифузійно-польовими бар'єрами [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Черненко Володимир Васильович ; НАН України, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К., 2005. - 170 арк.: рис., табл. - арк. 143-154.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
ДС90540сл
Супрун, Жанна Михайловна.
Оптимизация параметров кремниевых монокристаллических фотопреобразователей [Текст] : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Супрун Жанна Михайловна ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2005. - 165 л.: рис. - Библиогр.: л. 153-165.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харьковский национальный університет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
РА341531сл
Супрун, Жанна Михайлівна.
Оптимізація параметрів кремнієвих монокристалічних фотоперетворювачів [Текст] : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Супрун Жанна Михайлівна ; Харківський національний ун-т радіоелектроніки. - Х., 2005. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харківський національний університет радіоелектроніки
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 18. |
РА338146
Черненко, Володимир Васильович.
Процеси фотогенерації і збирання носіїв заряду в кремнійових структурах з дифузійно-польовими бар'єрами [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Черненко Володимир Васильович ; Київський національний ун-т ім. Тараса Шевченка. - К., 2005. - 21 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
РА352916
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
ДС103237
Герман, Іванна Іванівна.
Механізми переносу заряду та фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6 [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Герман Іванна Іванівна ; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці, 2007. - 129 арк. - арк. 118-127.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Книжкові видання
