Пошуковий запит: (<.>U=З86-531.8$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
MFI4273/1-2
Dülk, Marcus.
Active and hybrid mode-locked semiconductor lasers with external fiber bragg grating cavities for high-speed optical fiber networks [Text] : diss. / M. Dülk ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 179 p.: fig. - (Diss ETH ; 13886).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 2. |
ІВ212491
Wallikewitz, Bodo.
Aufbau und Charakterisierung eines elektrisch funktionalisierten organischen Laserbauteils [Text] : Diss. / B. Wallikewitz ; Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln. - Köln : [б.в.], 2008. - III, 152 S.: Abb., Tab. - Бібліогр.: S.145-148.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fak. der Univ. zu Köln
Видання зберігається у :
|
| 3. |
MFI5604/1-2
Pfeiffer, Michael.
Industrial-strength simulation of quantum-well semiconductor [Text] : diss. / M. Pfeiffer ; Swiss federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2004. - 122 p. - (ETH-Diss ; 15695).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 4. |
MFI5668/1-2
Hauri, Christoph Peter.
Intense ultrashort laser pulse generation for non [Text] : diss. / C. P. Hauri ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2005. - 139 p. - (ETH-Diss ; 16086).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
| 5. |
ІВ198022
Hendriks, Robert F.M..
Optically-pumped vertical-cavity semiconductor lasers [Text] : proefschrift / R. F. Hendriks ; Universiteit Leiden. Fak. der Sociale Wetenschappen. - Leiden : [б.в.], 1998. - 113 p.: fig. - Бібліогр.: P.91-97.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Universiteit Leiden. Fak. der Sociale Wetenschappen
Видання зберігається у :
|
| 6. |
В347623/Ч. 1
Анализ изотопического отношения углерода 13С/12С в СО2 методами диодной лазерной спектроскопии [Текст]. - М., 2002 .
Ч. 1 : Методика измерений / Е. В. Степанов, П. В. Зырянов. - М. : [б.и.], 2002. - 39 с.: ил. - (Препр. / РАН, Институт общей физики ; № 11). - Библиогр.: с. 37-39.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Зырянов, П. В.; РАНИнститут общей физики (Москва)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 7. |
В347623/Ч. 2
Анализ изотопического отношения углерода 13С/12С в СО2 методами диодной лазерной спектроскопии [Текст]. - М., 2002 .
Ч. 2 : Чувствительность и точность измерений / Е. В. Степанов, П. В. Зырянов. - М. : [б.и.], 2002. - 31 с.: ил. - (Препр. / РАН, Институт общей физики ; № 12). - Библиогр.: с. 30-31.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Зырянов, П. В.; РАНИнститут общей физики (Москва)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
ДС83023
Иванов, Павел Сергеевич.
Влияние модового состава на рабочие характеристики полупроводниковых лазеров с вертикальным резонатором [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Иванов Павел Сергеевич ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2004. - 150 л.: рис. - Библиогр.: л. 136-150.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 9. |
ДС66796
Лысак, Владимир Валериевич.
Влияние нелинейных эффектов усиления на параметры малосигнального режима генерации полупроводниковых лазеров [Текст] : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Лысак Владимир Валериевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 2000. - 134 л. - л. 121-134.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харьковский гос. технический университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
РА328590
Артеменко, Олена Сергіївна.
Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в P-N переходах на основі напівпровідників AIIIBV [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Артеменко Олена Сергіївна ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 2004. - 20 с.: рис., табл.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
ДС83854
Артеменко, Олена Сергіївна.
Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників AIIIBV [Текст] : дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Артеменко Олена Сергіївна ; Одеський національний ун-т ім. І.І.Мечникова. - О., 2004. - 150 арк.: рис. - арк. 135-150.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Одеський національний університет імені І. І. Мечникова
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 12. |
РА328989
Іванов, Павло Сергійович.
Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Іванов Павло Сергійович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2004. - 19 с.: рис.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 13. |
РА311644
Лисак, Володимир Валерійович.
Вплив нелінійних ефектів підсилення на параметри малосигнального режиму генерації напівпровідникових лазерів [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.05 / Лисак Володимир Валерійович ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2000. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 14. |
Р116274
Генератор высоковольтных наносекундных импульсов для накачки полупроводниковых лазеров пучком быстрых электронов [Текст] / В. Б. Антонов [и др.]. - Баку : [б. и.], 1972. - 11 с. : рис. - (Препр. / Ин-т физики АН АзССР, Лаб. полупроводниковой квантовой электроники ; №2). - Библиогр.: с. 8. - 150 прим.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Антонов, В. Б.; Каракашев, В. С.; Мехтиев, Т. Э.; Салаев, Э. Ю.; Фаривер, Г. А.; Академия наук Азербайджанской ССР; Институт физики (Баку). Лаборатория полупроводниковой квантовой электроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 15. |
Р116275
Антонов, В. Б.
Генератор токовых импульсов для возбуждения инжекционных лазеров [Текст] / В. Б. Антонов, Ф. Г. Геокчаев, Э. Ю. Салаев. - Баку : [б. и.], 1973. - 8 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковой квантовой электроники. №20). - Библиогр.: с. 6. - 100 прим.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Геокчаев, Ф. Г.; Салаев, Э. Ю.; Академия наук Азербайджанской ССР; Институт физики (Баку). Лаборатория полупроводниковой квантовой электроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 16. |
РА404178
Деребезов, Илья Александрович.
Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / Деребезов Илья Александрович. - Новосибирск, 2013. - 17 с. : рис.
Тематичний рубрикатор:
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 17. |
Р93357
Величанский, В. Л..
Диагностика и пространственное согласование пучков лазерных диодов [Текст] / В. Л. Величанский [и др] ; РАН, Физический институт имени П. Н. Лебедева. - М. : [б.и.], 2000. - 28 с.: рис. - (Препр. / РАН, Физический ин-т им. П.Н.Лебедева ; №27).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Котова, С. П.; Чернышов, А. К.; РАН; Физический институт имени П. Н. Лебедева
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 18. |
РА317477
Сухоіванов, Ігор Олександрович.
Динамічні процеси в напівпровідникових лазерах високошвидкісних волоконно-оптичних систем [Текст] : автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.05 / І.О.Сухоіванов ; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. - Х., 2001. - 32 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 19. |
ДС72308
Сухоиванов, Игорь Александрович.
Динамические процессы в полупроводниковых лазерах высокоскоростных волоконно-оптических систем [Текст] : дис... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.05 / Сухоиванов Игорь Александрович ; Харьковский национальный ун-т радиоэлектроники. - Х., 2001. - 348 л. - Библиогр.:л.294-329.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Харьковский национальный университет радиоэлектроники
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 20. |
РА412157
Обидин, Алексей Захарович.
Инверсная заселённость в полупроводниках АIIВVI, возбуждаемых направленным разрядом [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.03 / Обидин Алексей Захарович ; Акад. наук СССР, Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева. - М., 1983. - 20 с.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Академия наук СССР; Физический институт имени П. Н. Лебедева (Москва)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| | |
Книжкові видання
