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Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
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1. | Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците - 1998 р., № 88 (Шифр: Ж4399:физ. и техн./1998/88)
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2. | Софийски университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полдупроводниците. Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците / Софийски ун-т "Св. Климент Охридски", Институт физика и техника на полдупроводниците ; ред. И. Янчев. - София : Унив. изд-во "Св. Климент Охридски". - Отримється з 1979 р. (Шифр: Ж4399:физ. и техн.)
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3. | Національний університет "Львівська політехніка" Вісник національного університету "Львівська політехніка". 2001, №427:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / ред. Я. Буджак. - Львів : Нац.ун-т "Львівська політехніка" (ЛП), 2001. - 151 с. (Вісник Національного університету "Львівська політехніка", ISSN 0321-0499 ; 2001, №427) (Шифр: Ж29409:А/2001/427)
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4. | Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. 2001, №6523:Wirtschaftliche Produktionstechnik für oxidische Mehrschichtsysteme mit lateraler Mikrostruktur am Beispiel eines Mikrogas-Sensorsystems (PROXI). Ergebnisbericht des Verbundprojektes / Hrsg. J. Fuchs [a.o.]. - Karlsruhe : [б.в.], 2001. - 121 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 2001, №6523) (Шифр: Ж39507/2001/6523)
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5. | Aidam R.Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. 1999, №6226:Untersuchung des epitaktischen wachstums dünner Pb(Zr0,52Ti0,48)03- schichten und ihre Anwendung in ferroelektrischen supraleitenden Feldeffakttransistoren / R. Aidam. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 92 S. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6226) (Шифр: Ж39507/1999/6226)
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6. | Licht V.Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. 1999, №6293:Messung der Elektronendichte im Beschleunigungsspalt von Hochleistungsionendioden mit Hilfe eines hochempfindlichen Zweiwellenlängen-Dispersions-Interferometers / V. Licht. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 103 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6293) (Шифр: Ж39507/1999/6293)
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7. | Schöning M. J.Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. 1993, №5195:Feldeffektsrukturen mit Agl-Aufdampfschichten als chemische Sensoren / M. J. Schöning. - Karlsruhe : [б.в.], 1993. - 95 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1993, №5195) (Шифр: Ж39507/1993/5195)
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8. | Kratzsch A.Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. 1999, №6301:Entwicklung von magnetron-gesputterten B-C-N-Schichten / A. Kratzsch. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 139 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6301) (Шифр: Ж39507/1999/6301)
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9. | Schmidt J. U.Forschungszentrum Dresden-Rossendorf Wissenschaftlich-Technische Berichte [FZD]. № 425:Synthesis of silicon nanocrystal memories by sputter deposition / Jan Uwe Schmidt. - Rossendorf : FZR, 2005. - 162 p. : il., tab. (Wissenschaftlich-Technische Berichte [HZDR], ISSN 2191-8708 ; № 425) (Шифр: Ж42214/2005/425)
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10. | Potfajova J.Forschungszentrum Dresden-Rossendorf Wissenschaftlich-Technische Berichte [FZD]. № 526:Silicon based microcavity enhanced light emitting diodes : Dissertation / Jaroslava Potfajova. - Dresden : FZD, 2009. - 148 p. : il., tab. (Wissenschaftlich-Technische Berichte [HZDR], ISSN 2191-8708 ; № 526) (Шифр: Ж42214/2009/526)
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11. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2001 р. Т. 14, № 2 (Шифр: Ж34591:SM/2001/14/2)
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12. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2001 р. Т. 14, № 3 (Шифр: Ж34591:SM/2001/14/3)
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13. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2001 р. Т. 14, № 1 (Шифр: Ж34591:SM/2001/14/1)
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14. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2003 р. Т. 16, № 3 (Шифр: Ж34591:SM/2003/16/3)
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15. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2003 р. Т. 16, № 4 (Шифр: Ж34591:SM/2003/16/4)
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16. | Transactions on semiconductor manufacturing - 2001 р. Т. 14, № 4 (Шифр: Ж34591:SM/2001/14/4)
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17. | Transactions on semiconductor manufacturing - 1996 р. Т. 9, № 3 (Шифр: Ж34591:SM/1996/9/3)
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18. | Transactions on semiconductor manufacturing - 1996 р. Т. 9, № 4 (Шифр: Ж34591:SM/1996/9/4)
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19. | Transactions on semiconductor manufacturing - 1996 р. Т. 9, № 2 (Шифр: Ж34591:SM/1996/9/2)
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20. | Transactions on semiconductor manufacturing - 1999 р. Т. 12, № 4 (Шифр: Ж34591:SM/1999/12/4)
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