Пошуковий запит: (<.>U=з852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
| Ж29409:А/2001/427 |
Національний університет "Львівська політехніка".
Вісник національного університету "Львівська політехніка" [Текст] / ред. Є. Крикавський. - Львів : Нац.ун-т "Львівська політехніка" (ЛП), 1996 - . - ISSN 0321-0499.
2001, №427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / ред. Я. Буджак. - Львів : Нац.ун-т "Львівська політехніка" (ЛП), 2001. - 151 с. (Вісник Національного університету "Львівська політехніка", ISSN 0321-0499 ; 2001, №427).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Крикавський, Є.В. \ред.\; Буджак, Я.С. (ред.); Національний університет "Львівська політехніка"
|
2001 | | № 427
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 2. |
| Ж36641:SD/2002/681 |
Uppsala University.
Acta Universitatis Upsaliensis, Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology [Text] / Uppsala University. - Uppsala. - ISSN 1104-232X.
2002, №681 : Design and modeling of high- frequency LDMOS transistors / L. Vestling. - Uppsala : [б.в.], 2002. - 50 p.: ill. (Acta Universitatis Upsaliensis Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology, ISSN 1104-232X ; 2002, №681). - Bibliogr.: p.47-50.
Дод. точки доступу:
Uppsala University
|
2002 | | № 681
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 3. |
| Ж36641:SD/1999/479 |
Uppsala University.
Acta Universitatis Upsaliensis, Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology [Text] / Uppsala University. - Uppsala. - ISSN 1104-232X.
1999, №479 : Silicon germanium heterojuntion bipolar transistors : large-signal modeling and low-frequency noise characterization aspects / S. Bruce. - Uppsala : [б.в.], 1999. - 126 p. (Acta Universitatis Upsaliensis Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology, ISSN 1104-232X ; 1999, №479). - Bibliogr.: p.109-112.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Uppsala University
|
1999 | | № 479
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
| Ж36641:SD/1999/491 |
Uppsala University.
Acta Universitatis Upsaliensis, Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology [Text] / Uppsala University. - Uppsala. - ISSN 1104-232X.
1999, №491 : The influence of Na on the growth of Cu(In,Ga)Se2 layers fir thin film solar cells / K. Granath. - Uppsala : [б.в.], 1999. - 51 p.: fig. (Acta Universitatis Upsaliensis Comprehensive summaries of Uppsala dissertations from the Faculty of science and technology, ISSN 1104-232X ; 1999, №491). - Bibliogr.: S.47-51.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Uppsala University
|
1999 | | № 491
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
Ж4399:физ. и техн.
Софийски университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полдупроводниците. Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците [Текст]/ Софийски ун-т "Св. Климент Охридски", Институт физика и техника на полдупроводниците ; ред. И. Янчев. - София : Унив. изд-во "Св. Климент Охридски".- Отримується з 1979.
Ред. : Янчев И. - ISSN 02-05-168
РОКИ: 1998
Тематичний рубрикатор: | |
| 6. |
| Ж4399:физ. и техн./1998/88 | Софийски университет Св. Климент Охридски
Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците, София.- Отримується з 1979. | 1998 | | Т. 88
|
|
| 7. |
Ж34591:SM
The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). Transactions on semiconductor manufacturing [Текст]/ The Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) ; ed. D. S. Boning. - N.Y. : [б.в.]. - Виходить щоквартально.- Отримується з 1989.
Ed. : Boning D. S. - ISSN 0894-6507
РОКИ: 1996
1999
2001
2003
2004
2006
2007
2008
Тематичний рубрикатор: | |
| 8. |
| Ж34591:SM/2008/21/1 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2008 | Vol. 21 | № 1
|
|
| 9. |
| Ж34591:SM/2007/20/1 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2007 | Vol. 20 | № 1
|
|
| 10. |
| Ж34591:SM/2007/20/2 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2007 | Vol. 20 | № 2
|
|
| 11. |
| Ж34591:SM/2007/20/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2007 | Vol. 20 | № 3
|
|
| 12. |
| Ж34591:SM/2007/20/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2007 | Vol. 20 | № 4
|
|
| 13. |
| Ж34591:SM/2006/19/1 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2006 | Vol. 19 | № 1
|
|
| 14. |
| Ж34591:SM/2006/19/2 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2006 | Vol. 19 | № 2
|
|
| 15. |
| Ж34591:SM/2006/19/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2006 | Vol. 19 | № 3
|
|
| 16. |
| Ж34591:SM/2006/19/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2006 | Vol. 19 | № 4
|
|
| 17. |
| Ж34591:SM/2004/17/1 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2004 | Vol. 17 | № 1
|
|
| 18. |
| Ж34591:SM/2004/17/2 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2004 | Vol. 17 | № 2
|
|
| 19. |
| Ж34591:SM/2004/17/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2004 | Vol. 17 | № 3
|
|
| 20. |
| Ж34591:SM/2004/17/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2004 | Vol. 17 | № 4
|
|
| | |
Книжкові видання
