Пошуковий запит: (<.>U=з852$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 49
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
1.  |
| Ж4399:физ. и техн./1998/88 | Софийски университет Св. Климент Охридски
Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците, София.- Отримується з 1979. | 1998 | | Т. 88
|
|
| 2. |
Ж4399:физ. и техн.
Софийски университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полдупроводниците. Годишник на Софийския университет "Св. Климент Охридски". Институт физика и техника на полупроводниците [Текст]/ Софийски ун-т "Св. Климент Охридски", Институт физика и техника на полдупроводниците ; ред. И. Янчев. - София : Унив. изд-во "Св. Климент Охридски".- Отримується з 1979.
Ред. : Янчев И. - ISSN 02-05-168
РОКИ: 1998
Тематичний рубрикатор: | |
| 3. |
| Ж29409:А/2001/427 |
Національний університет "Львівська політехніка".
Вісник національного університету "Львівська політехніка" [Текст] / ред. Є. Крикавський. - Львів : Нац.ун-т "Львівська політехніка" (ЛП), 1996 - . - ISSN 0321-0499.
2001, №427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / ред. Я. Буджак. - Львів : Нац.ун-т "Львівська політехніка" (ЛП), 2001. - 151 с. (Вісник Національного університету "Львівська політехніка", ISSN 0321-0499 ; 2001, №427).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Крикавський, Є.В. \ред.\; Буджак, Я.С. (ред.); Національний університет "Львівська політехніка"
|
2001 | | № 427
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 4. |
| Ж39507/2001/6523 |
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft.
Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft [Text] / Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. - Karlsruhe. - Скорочена назва : FZKA. - ISSN 0947-8620.
2001, №6523 : Wirtschaftliche Produktionstechnik für oxidische Mehrschichtsysteme mit lateraler Mikrostruktur am Beispiel eines Mikrogas-Sensorsystems (PROXI). Ergebnisbericht des Verbundprojektes / Hrsg. J. Fuchs [a.o.]. - Karlsruhe : [б.в.], 2001. - 121 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 2001, №6523). - Bibliogr.: S.119-121.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Fuchs, J. (hrsg.); Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft
|
2001 | | № 6523
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 5. |
| Ж39507/1999/6226 |
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft.
Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft [Text] / Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. - Karlsruhe. - Скорочена назва : FZKA. - ISSN 0947-8620.
1999, №6226 : Untersuchung des epitaktischen wachstums dünner Pb(Zr0,52Ti0,48)03- schichten und ihre Anwendung in ferroelektrischen supraleitenden Feldeffakttransistoren / R. Aidam. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 92 S. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6226).
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft
|
1999 | | № 6226
|
Видання зберігається у :
|
| 6. |
| Ж39507/1999/6293 |
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft.
Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft [Text] / Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. - Karlsruhe. - Скорочена назва : FZKA. - ISSN 0947-8620.
1999, №6293 : Messung der Elektronendichte im Beschleunigungsspalt von Hochleistungsionendioden mit Hilfe eines hochempfindlichen Zweiwellenlängen-Dispersions-Interferometers / V. Licht. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 103 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6293). - Bibliogr.: S.101-103.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft
|
1999 | | № 6293
|
Видання зберігається у :
|
| 7. |
| Ж39507/1993/5195 |
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft.
Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft [Text] / Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. - Karlsruhe. - Скорочена назва : FZKA. - ISSN 0947-8620.
1993, №5195 : Feldeffektsrukturen mit Agl-Aufdampfschichten als chemische Sensoren / M. J. Schöning. - Karlsruhe : [б.в.], 1993. - 95 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1993, №5195). - Bibliogr.: S.85-91.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft
|
1993 | | № 5195
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 8. |
| Ж39507/1999/6301 |
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft.
Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft [Text] / Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft. - Karlsruhe. - Скорочена назва : FZKA. - ISSN 0947-8620.
1999, №6301 : Entwicklung von magnetron-gesputterten B-C-N-Schichten / A. Kratzsch. - Karlsruhe : [б.в.], 1999. - 139 S.: Abb. (Wissenschaftliche Berichte [Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft, ISSN 0947-8620 ; 1999, №6301). - Bibliogr.: S.120-139.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Karlsruhe in der Helmholtz- Gemeinschaft
|
1999 | | № 6301
|
Видання зберігається у :
|
| 9. |
| Ж42214/2005/425 |
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf .
Wissenschaftlich-Technische Berichte [FZD] [Text] / Forschungszentrum Dresden-Rossendorf . - Dresden : FZD. - ISSN 1437-322X.
№ 425 : Synthesis of silicon nanocrystal memories by sputter deposition / Jan Uwe Schmidt. - Rossendorf : FZR, 2005. - 162 p. : il., tab. (Wissenschaftlich-Technische Berichte [HZDR], ISSN 2191-8708 ; № 425). - Рез. нім. - Бібліогр.: с.137-150 .
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf
|
2005 | | № 425
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 10. |
| Ж42214/2009/526 |
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf .
Wissenschaftlich-Technische Berichte [FZD] [Text] / Forschungszentrum Dresden-Rossendorf . - Dresden : FZR. - ISSN 1437-322X.
№ 526 : Silicon based microcavity enhanced light emitting diodes : Dissertation / Jaroslava Potfajova. - Dresden : FZD, 2009. - 148 p. : il., tab. (Wissenschaftlich-Technische Berichte [HZDR], ISSN 2191-8708 ; № 526). - Рез. нім. - Бібліогр.: с.131-139 .
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Forschungszentrum Dresden-Rossendorf
|
2009 | | № 526
|
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
| 11. |
| Ж34591:SM/2001/14/2 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2001 | Vol. 14 | № 2
|
|
| 12. |
| Ж34591:SM/2001/14/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2001 | Vol. 14 | № 3
|
|
| 13. |
| Ж34591:SM/2001/14/1 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2001 | Vol. 14 | № 1
|
|
| 14. |
| Ж34591:SM/2003/16/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2003 | Vol. 16 | № 3
|
|
| 15. |
| Ж34591:SM/2003/16/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2003 | Vol. 16 | № 4
|
|
| 16. |
| Ж34591:SM/2001/14/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 2001 | Vol. 14 | № 4
|
|
| 17. |
| Ж34591:SM/1996/9/3 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 1996 | Vol. 9 | № 3
|
|
| 18. |
| Ж34591:SM/1996/9/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 1996 | Vol. 9 | № 4
|
|
| 19. |
| Ж34591:SM/1996/9/2 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 1996 | Vol. 9 | № 2
|
|
| 20. |
| Ж34591:SM/1999/12/4 | The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Transactions on semiconductor manufacturing, N.Y..- Отримується з 1989. | 1999 | Vol. 12 | № 4
|
|
| | |
Книжкові видання
Повний опис видання, надходження: