|
|
ВС51818
Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes [Text] / A. E. Belyaev [et al.] ; under the gen. ed. of corr. mem. of NASU prof. A. E. Belyaev, dr. phys.-math. sci.; prof. R. V. Konakova, dr. tech. sci. ; Nat. acad. of sciences of Ukraine, V. Lashkaryov inst. of semicondutor physics, State enterprise research inst. "Orion" = Фізико-технологічні аспекти деградації кремнієвих НВЧ діодів / О. Є. Бєляєв [та ін.] ; під заг. ред. О. Є. Бєляєва, Р. В. Конакової : [monograph]. - K. : Akademperiodyka, 2011. - 181 p. : fig., tab. - (Project "Ukrainian scientific book in a foreign language"). - Текст англ. - Парал. тит. арк. укр. - Бібліогр.: с. 162-180. - 300 ex. прим.
Тематичний рубрикатор:
Дод. точки доступу:
Belyaev, A. E.; Бєляєв, Олександр Євгенович; Boltovets, N. S.; Болтовець, Микола Силович; Venger, E. F.; Венгер, Євген Федорович; Konakova, R. V.; Конакова, Раїса Василівна; Kudryk, Ya. Ya; Кудрик, Ярослав Ярославович; Belyaev, A. E. (ред.); Konakova, R. V. (ред.); Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ); "Оріон", науково-дослідний інститут, державне підприємство
Видання зберігається у :
Основний фонд
Відділ обмінно-резервних фондів
|
|