Пошуковий запит: (<.>K=ИНЖЕКЦИ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 22
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Акопян, Арсен Арташесович.
Теория нелинейных инжекционных и эксплуатационных биполярных явлений в сильных электрических полях : дис...д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / Акопян Арсен Арташесович ; АН Украины, Ин-т физики полупроводников. - К., 1993. - 274 л. - л.:256-270
Дод. точки доступу:
Академия наук Украины (Киев); Институт физики полупроводников (Киев)
|
| 2. |
Пащенко, Алексей Георгиевич.
Разработка математической модели для расчета полупроводниковых квантоворазмерных инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs c учетом экситонных эффектов : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Пащенко Алексей Георгиевич ; Харьковский гос. технический ун-т радиоэлектроники. - Х., 1996. - 199 с.
Дод. точки доступу:
Харьковский гос. технический университет радиоэлектроники
|
| 3. |
Рогозин, Игорь Викторович.
Структура и инжекционная электролюминесценция гетероперехода ZnO-ZnSe полученного методом радикало- лучевой гетерирующей эпитаксии : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рогозин Игорь Викторович ; Бердянский педагогический ин-т им. П.Д.Осипенко. - Бердянск, 1996. - 168 л.
Дод. точки доступу:
Бердянский педагогический институт имени П. Д. Осипенко
|
| 4. |
Сидорец, Ростислав Григорьевич.
Влияние структуры базовой области и контактов на характеристики инжекционных фотодиодов : дис... канд. техн. наук: 05.12.20 / Сидорец Ростислав Григорьевич ; Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова. - О., 2004. - 200 л.: рис. - Библиогр.: л. 182-197
Дод. точки доступу:
Одесская национальная академия связи имени А. С. Попова
|
| 5. |
Седуш, Виктор Сергеевич.
Развитие теоретических основ расчета и совершенствование конструкции аэрационного питателя для инжекционных систем обработки металлургических расплавов : дис... канд. техн. наук: 05.05.08 / Седуш Виктор Сергеевич ; Донецкий национальный технический ун-т. - Донецк, 2004. - 149 л.: рис. - Библиогр.: л. 135-144
Дод. точки доступу:
Донецкий национальный технический университет
|
| 6. |
Богословская, Алла Борисовна.
Инжекционно-термические и рекомбинационные процессы в многобарьерных A3B5 - полупроводниковых излучателях инфракрасного диапазона : дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Богословская Алла Борисовна ; Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины. - К., 2005. - 192 л. - Библиогр.: л. 174-193
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт физики полупроводников (Киев)
|
| 7. |
Стоянов, Александр Николаевич.
Разработка и освоение технологии инжекционной обработки стали твёрдыми шлакообразующими смесями : дис... канд. техн. наук: 05.16.02 / Стоянов Александр Николаевич ; Национальная металлургическая академия Украины. - Д., 2006. - 162 л. - Библиогр.: л. 137-151
Дод. точки доступу:
Национальная металлургическая академия Украины (Днепропетровск)
|
| 8. |
Марколенко, Павел Юрьевич.
Переключение в тиристорных структурах при высоком уровне инжекции и действии внешних факторов (свет, магнитное поле, радиация) : дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Марколенко Павел Юрьевич ; Одесская национальная академия связи им. А.С.Попова. - О., 2006. - 130 л.: рис. - Библиогр.: л. 121-129
Дод. точки доступу:
Одесская национальная академия связи имени А. С. Попова
|
| 9. |
Архипов, Николай Иванович.
Инжекция и удержание плотной высокотемпературной плазмы с бета=1 в длинной антипробочной ловушке : автореф. дис... канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Архипов Николай Иванович ; Московский физико-технический ин-т. - М., 1992. - 15 с.
Дод. точки доступу:
Московский физико-технический институт
|
| 10. |
Капанадзе, Зураб Бидзинович.
Получение и исследование эпитаксиальных гетероструктур на основе твердых растворов индий-галлий-мышьяк-сурьма для инжекционных лазеров : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Капанадзе Зураб Бидзинович ; Московский ин-т стали и сплавов. - М., 1992. - 20 с.
Дод. точки доступу:
Московский институт стали и сплавов
|
| 11. |
Медведев, Дмитрий Викторович.
Ускорение ионов полем пространственного заряда сильноточного релятивистского электронного пучка с инжекцией плазмы и модуляцией пространственно-периодическим магнитным полем : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.20 / Медведев Дмитрий Викторович ; ННЦ "Харьк. физ.-техн. ин-т". - Х., 2008. - 182 л. : рис., табл. - Библиогр.: л.164-182
Дод. точки доступу:
"Харьковский физико-технический институт", национальный научный центр
|
| 12. |
Анциферов, В. В..
Инжекция и лазерное ускорение ионов на основе резонансной поверхностной фотоионизации / В. В. Анциферов [и др.] ; Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера СО РАН. - Новосибирск : [б.в.], 1993. - 11 с. - (Препр. / Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН ; 93-110)
Дод. точки доступу:
Смирнов, Г. И.; Телегин, Г. Г.; Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера СО РАН
|
| 13. |
Худик, В. Н..
Высокочастотные неустойчивости плазмы при инжекции жесткого релятивистского пучка заряженных частиц / В. Н. Худик, М. П. Федорук ; Государственный научный центр РФ. Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера. - Новосибирск : [б.в.], 1995. - 23 с. - (Препр. / Государственный научный центр РФ. Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера ; 95-71)
Дод. точки доступу:
Федорук, М. П; Государственный научный центр РФ. Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера
|
| 14. |
Бондаренко, Дмитрий Владимирович.
Математическое моделирование переходных процессов в инжекционных полупроводниковых лазерах / Д. В. Бондаренко ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т электродинамики. - К. : [б.в.], 1998. - 19 с. - (Препр. / НАН Украины, Институт электродинамики ; 813)
Дод. точки доступу:
Национальная академия наук Украины; Институт электродинамики (Киев)
|
| 15. |
Иванов, А. А..
Моделирование динамического перехода плазмы в ГДЛ через границу МГД- устойчивости при инжекции атомарных пучков / А. А. Иванов, А. Н. Карпушов. - Новосибирск : [б.в.], 1996. - 22 с. - (Препр. / Государственный научный центр Российской Федерации Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН ; 2)
Дод. точки доступу:
Карпушов, А. Н.; Государственный научный центр Российской Федерации Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера СО РАН
|
| 16. |
Котельников, И. А..
Равновесие плазмы при инжекции жесткого пучка заряженных частиц / И. А. Котельников, В. Н. Худик. - Новосибирск : [б.в.], 1995. - 34 с. - (Препр. / Государственный научный центр Институт ядерной физики им. Г.И.Будкера СО РАН ; 53)
Дод. точки доступу:
Худик, В. Н.; Государственный научный центр Институт ядерной физики имени Г. И. Будкера СО РАН
|
| 17. |
Свечников, Георгий Сергеевич.
Некоторые физико-технические аспекты оптоэлектроники и инжекционных источников излучения в ней / Г. С. Свечников, С. В. Свечников. - О. : Астропринт, 2004. - 56 с.: рис. - ISBN 966-318-179-6
Дод. точки доступу:
Свечников, Сергей Васильевич
|
| 18. |
Коростик, Константин Николаевич.
Управляемые инжекционные лазеры в информационно-измерительных системах / К. Н. Коростик. - Минск : БГУ, 2003. - 200 с.: рис. - Библиогр.: с. 186-197. - ISBN 985-445-951-9
|
| 19. |
Антонов, В. Б.
Генератор токовых импульсов для возбуждения инжекционных лазеров / В. Б. Антонов, Ф. Г. Геокчаев, Э. Ю. Салаев. - Баку : [б. и.], 1973. - 8 с. : рис. - (Препр. / АН АзССР, Ин-т физики, Лаб. полупроводниковой квантовой электроники. №20). - Библиогр.: с. 6. - 100 прим.
Дод. точки доступу:
Геокчаев, Ф. Г.; Салаев, Э. Ю.; Академия наук Азербайджанской ССР; Институт физики (Баку). Лаборатория полупроводниковой квантовой электроники
|
| 20. |
Шевченко, Сергей Анатолиевич.
Разработка научных положений и технологии инжекционного процесса десульфурации чугуна диспергированным магнием в большегрузных ковшах : дис. ... канд. техн. наук : 05.16.02 / Шевченко Сергей Анатолиевич ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т черной металлургии им. З. И. Некрасова. - Д., 2010. - 217 л. : рис., табл. - Бібліогр.: арк. 209-215.
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут чорної металургії імені З. І. Некрасова (Дніпропетровськ)
|
| | |
Простий
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
