Реєстрація
Користувач
Пароль
 

Каталоги бібліотек установ Національної академії наук України

Бази даних


Інститут фізики напівпровідників - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
у знайденому
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
 Знайдено в інших БД:Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського (8835)Інститут археології (8)Інститут біоорганічної хімії та нафтохімії (38)Інститут біохімії імені О. В. Палладіна (606)Інститут гідробіології (113)Інститут географії (129)Інститут економіки та прогнозування (842)Інститут електродинаміки (39)Інститут зоології (97)Інститут історії України (122)Інститут клітинної біології та генетичної інженерії (230)Інститут літератури імені Т. Г. Шевченка (11)Інститут математики (19)Інститут проблем кріобіології і кріомедицини (45)Інститут проблем міцності
імені Г. С. Писаренка (24)
Інститут сходознавства імені А. Ю. Кримського (27)Інститут теоретичної фізики імені М. М. Боголюбова (2)Інститут технічної теплофізики (32)Інститут фізики (1)Інститут фізіології імені О. О. Богомольця (942)Інститут філософії (3)Інституту соціології (121)
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
Пошуковий запит: (<.>K=АКТИВНІ$<.>+<.>K=ВПЛИВ$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 65
Представлено документи з 1 до 20
...
1.Литвин П.М. Перебудова дефектноі структури монокристалів та епітаксійних систем на основі GaAs під впливом зовнішніх збуджень, виявлена рентгенодифракційними методами : Дисертація канд.фіз.-мат.наук: 01.04.07 / П. М. Литвин ; (Киев). - КиЇв, 1997. - 147 с.
2.Шовкопляс О.А. Вплив умов формування та термодіаційної обробки на структуру й властивості покриттів систем Ti-W-C і Ti-W-B : Автореф.дис..канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. А. Шовкопляс ; (Київ). - Київ, 2016. - 21 с.
3.Карась М.І. Дослідження впливу радіаційних дефектів на електричні властивості нейтронно трансмутаційно легованого германію : Дис.канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. І. Карась ; (Київ). - Київ, 2000. - 147 с.
4.Гайдар Г.П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і яжерної радіації : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2000. - 145 с.
5.Старий С.В. Трансформація рекомбінаційних механізмів, підвищення квантового виходу та генерація випромінювання .... під впливом одновісного напруження : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / С. В. Старий ; (Київ). - Київ, 2002. - 133 с.
6.Чегель В.І. Вплив діелектричних характеристик середовища та зовнішніх факторів на параметри фізичних та біологічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / В. І. Чегель ; (Київ). - Київ, 2002. - 152 с.
7.Рябченко Ю.С. Вплив метастабільних та резонансних домішкових станів на явища переносу в твердих розчинах А3В5 та А2В6 : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07. / Ю. С. Рябченко ; (Київ), 2003. - 112 с.
8.Кудрик Я.Я. Вплив активних обробок на процеси формування та властивості омічних та барьерних контактів до карбіду кремнію : Дис...канд.техн.наук:05.27.06 / Я. Я. Кудрик ; (Київ). - Київ : [б. и.], 2004. - 127 с.
9.Чирчик С.В. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах : Дис...канд.фіз.-мат.наук: / С. В. Чирчик ; (Київ). - Київ, 2006. - 157 с.
10.Соколовський І.О. Вплив розмірних обмежень на нерівноважні процеси в фотоелектричних перетворювачах : Дис...канд.фіз.-мат.наук: 01.04.10 / І. О. Соколовський ; (Київ). - Київ, 2008. - 165 с.
11.Зіновчук А.В. Вплив ефекту концентрування струму на поведінку електронно-діркової плазми в багатошарових світловипромінюючих структурах : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. В. Зіновчук ; (Київ). - Київ, 2008. - 140 с.
12.Слободян М.В. Вплив тривимірного впорядкування та деформацій на дифракцію х-променів в реальних багатошарових структурах : Канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. В. Слободян ; (Київ). - Київ, 2009. - 139 с.
13.Попович В.Д. Вплив легування хлором на фізичні властивості монокристалів телуриду кадмію, вирощених методом сублімації : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / В. Д. Попович ; (Київ). - Київ, 2010. - 190 с.
14.Насєка Ю.М. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Ю. М. Насєка ; (Київ). - Київ : [б. и.], 2010. - 105 с.
15.Печерська К.Ю. Вплив відпалів та приєднання біомолекул на фотолюмінесцентні характеристики структур з квантовими точками на основі CdSe : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / К. Ю. Печерська ; (Київ). - Київ, 2010. - 146 с.
16.Ажнюк Ю.М. Оптичні прояви розмірних, композиційних і структурних трансформацій у напівпровідникових нанокристалах типу А2В6 під впливом зовнішніх факторів : Дис...докт.фіз.-мат. наук:01.04.10 / Ю. М. Ажнюк ; (Київ)
17.Цихоня А.А. Вплив ефектів ближнього поля на оптичні властивості нано-систем : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Цихоня ; (Київ). - Київ, 2011. - 148 с.
18.Бойко В.А. Випромінювальна рекомбінація в напівпровідниках типу А2В6 і А3В5 в умовах диформаційних впливів : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 / В. А. Бойко ; (Київ). - Київ, 2012. - 169 с.
19.Гайдар Г.П. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si I Ge : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2014. - 362 с.
20.Кондратюк Д.В. Вплив оптичних фононів на спектри поглинання плоских квазідвовимірних напівпровідникових наноструктур : Автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.05 / Д. В. Кондратюк ; Чернівецький НУ ім.Юрія Федьковича. - Чернівці, 2016. - 20 с.
...
 
Інститут фізики напівпровідників

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського