Пошуковий запит: (<.>K=ЕЛЕКТРОПРУЖНІ$<.>+<.>K=ПАРАМЕТР$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 21
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Красуля, сергей Михайлович. Влияние структурных искажений в реальных кристаллах кремния на параметры динамической брэгг- и лауэ-дифракции рентгеновских лучей : диссертация кандидата физ.-мат.наук:01.04.07 / С. М. Красуля ; (Киев). - Киев : [б. и.], 1996. - 258 с. - Бібліогр.: назв.(126) с.232-358. - Б. ц.
Дод. точки доступу: (Киев)
|
2. |
Маркевич , Ирина Васильевна. Подвижные дефекты как фактор нестабильности параметров полупроводников А2Б6 : диссертация доктора физ.-мат.наук:01.04.10 / И. В. Маркевич ; (Киев). - Киев, 1996. - 292 с. - Бібліогр.: назв.(202)с.270-292
Дод. точки доступу: (Киев)
|
3. |
Бойко, Микола Іванович. Оптимізація структурно-морфологічних параметрів монокристалів Cd(Zn)Te для створення детекторів ядерного випромінювання : автореф.дис.кандтехн.наук:05.27.06 / М. І. Бойко ; (Київ). - Київ, 2016. - 21 с.
Дод. точки доступу: (Київ)
|
4. |
Ханова, Анна Владиславовна. Разработка физико-технологических основ получения пленок сульфида самария для тензоризисторов и исследование их параметров : дис...канд.фыз.-мат.наук:01.04.01 / А. В. Ханова ; (Киев). - Киев, 2000. - Бібліогр.: назв.(161)с.146-157
Дод. точки доступу: (Киев)
|
5. |
Ренгевич, Алексей Евгениевич. Влияние y-радиации и СВЧ излучений на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Е. Ренгевич ; (Киев). - Киев, 2001. - 157 с. - Бібліогр.: назв.(127)с.119-134
Дод. точки доступу: (Киев)
|
6. |
Чегель, Володимир Іванович. Вплив діелектричних характеристик середовища та зовнішніх факторів на параметри фізичних та біологічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / В. І. Чегель ; (Київ). - Київ, 2002. - 152 с. - Бібліогр.: назв.(140)с.139-152
Дод. точки доступу: (Київ)
|
7. |
Гасан-заде, Салім Гюльрзаевич. Електронні явища в вузькощілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / С. Г. Гасан-заде ; (Киев). - Київ, 2003. - 302 с. - Бібліогр.: назв.(378)с.268-302
Дод. точки доступу: (Киев)
|
8. |
Корчовий, Андрій Адамович. Розсіяння х-промнів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Корчовий ; (Київ). - Київ, 2007. - 140 с. - Бібліогр.: назв.(120)с.126-137
Дод. точки доступу: (Київ)
|
9. |
Сахно, Микола Вадимович. Граничні параметри та властивості неохолоджуваних багатоелементних приймачів тгц/суб-тгц діапазону : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / М. В. Сахно ; (Київ). - Київ, 2014. - 152 с. - Бібліогр.: назв.(121)с.141-152
Дод. точки доступу: (Київ)
|
10. |
Бойко, Микола Іванович. Оптимізація структурно-морфологічних параметрів монокристалів Cd(Zn) Te для створення детекторів ядерного випромінювання : канд. техн. наук : 05.27.06 / М. І. Бойко ; (Київ). - Київ : [б. и.], 2016. - 136 с. - Бібліогр.: назв.(130)с.120-135. - Б. ц.
Дод. точки доступу: (Київ)
|
11. |
Кашуба, Андрій Іванович. Трансформація енергетичних зон та оптичних параметрів твердих розчинів заміщення галогенідів індію і талію : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / А. І. Кашуба. - Львів, 2017. - 20 с.
|
12. |
Рудиш, Мирон Ярославович. Оптико-електронні параметри кристалів літій-амоній сульфату під дією одновісних тисків : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / М. Я. Рудиш ; Львівський Національний університет імені Івана Франка. - Львів, 2018
|
13. |
Закієв, Вадим Ісламович. Прилад безконтактного вимірювання геометричних параметрів поверхні виробів методом інтерферометрії : автореф.дис...канд.техн.наук:05.11.01 / В. І. Закієв ; Міністерство освіти і науки України Національний авіаційний університет. - Київ, 2019. - 20 с.
|
14. |
Сабов, Томаш Мар,янович. Іонно-стимульована трансформація структури та оптоелектричних параметрів кристалів хромогенних і фоточутливих шарів : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Т. М. Сабов ; НАНУ інститу фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2019. - 146 с.
|
15. |
Сабов, Томаш Мар,янович. Іонно-стимульована трансформація структури та оптоелектричних параметрів кристалів хромогенних і фоточутливих шарів : автореф.дисс...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Т. М. Сабов ; НАНУ ІФН ім. В.Є. Лашкарьова. - Київ, 2019. - 19 с.
|
16. |
Буханько, Федір Миколайович. Фазові перетворення в низьковимірних єлектронних і спінових системах з конкуруючими параметрами порядку : автореф.дис...док.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Ф. М. Буханько. - Харків, 2020. - 36 с.
|
17. |
Кучак, Альона Ігнатівна. Спектральні параметри квазічастинок у напівпровідникових нанотрубках та нанокільцях : автореф.дис...канд.фіз.-мат,наук01.04.02 / А. І. Кучак ; Міністерство освіти і науки України Чернівецький університет Імені Юрія Федьковича. - Чернівці : [б. и.], 2020. - 20 с. - Б. ц.
|
18. |
Мільович, Степан Степанович. Клиноптилоліт сокирницького родовища: модифікація , властивості,оптимізація параметрів, практичне використання : автореф.дис...канд.хім.наук:02.00.01 / С. С. Мільович ; Ужгородський національний університет. - Ужгород, 2020. - 27 с.
|
19. |
Брезвін, Руслан Степанович. Вплив ізоморфного заміщення та зовнішніх полів на оптико-електронні параметри фероїків групи сульфатів та хлороцинкатів : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Р. С. Брезвін ; Міністерство освіти і науки України Львівський НУ ім.Івана Франка. - Львів, 2020. - 36 с.
|
20. |
Сліпокуров, Віктор Сергійович. Розробка методів контролю параметрів омічних контактів PD-ti-AU до кремнієвих мікрохвильових діодів : дис...техн.наук:05.27.06 / В. С. Сліпокуров. - Київ, 2020. - 129 с.
|
| |