Пошуковий запит: (<.>K=ПАРАМЕТР$<.>+<.>K=ВТРАТ$<.>+<.>K=ЕНЕРГІЇ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 28
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Красуля, сергей Михайлович.
Влияние структурных искажений в реальных кристаллах кремния на параметры динамической брэгг- и лауэ-дифракции рентгеновских лучей : диссертация кандидата физ.-мат.наук:01.04.07 / С. М. Красуля ; (Киев). - Киев : [б. и.], 1996. - 258 с. - Бібліогр.: назв.(126) с.232-358. - Б. ц.
Дод. точки доступу:
(Киев)
|
| 2. |
Маркевич , Ирина Васильевна.
Подвижные дефекты как фактор нестабильности параметров полупроводников А2Б6 : диссертация доктора физ.-мат.наук:01.04.10 / И. В. Маркевич ; (Киев). - Киев, 1996. - 292 с. - Бібліогр.: назв.(202)с.270-292
Дод. точки доступу:
(Киев)
|
| 3. |
Тарасенко , Олег Анатолійович.
Генерація зарядових станів та розмін їх енергії в органічних твердотільних сцинтиляторах : автореферат дисертації докт.фіз.-мат.наук / О. А. Тарасенко ; (Харків). - Київ, 2016. - 38 с.
Дод. точки доступу:
(Харків)
|
| 4. |
Бойко, Микола Іванович.
Оптимізація структурно-морфологічних параметрів монокристалів Cd(Zn)Te для створення детекторів ядерного випромінювання : автореф.дис.кандтехн.наук:05.27.06 / М. І. Бойко ; (Київ). - Київ, 2016. - 21 с.
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 5. |
Ханова, Анна Владиславовна.
Разработка физико-технологических основ получения пленок сульфида самария для тензоризисторов и исследование их параметров : дис...канд.фыз.-мат.наук:01.04.01 / А. В. Ханова ; (Киев). - Киев, 2000. - Бібліогр.: назв.(161)с.146-157
Дод. точки доступу:
(Киев)
|
| 6. |
Ренгевич, Алексей Евгениевич.
Влияние y-радиации и СВЧ излучений на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шоттки : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Е. Ренгевич ; (Киев). - Киев, 2001. - 157 с. - Бібліогр.: назв.(127)с.119-134
Дод. точки доступу:
(Киев)
|
| 7. |
Чегель, Володимир Іванович.
Вплив діелектричних характеристик середовища та зовнішніх факторів на параметри фізичних та біологічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / В. І. Чегель ; (Київ). - Київ, 2002. - 152 с. - Бібліогр.: назв.(140)с.139-152
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 8. |
Гасан-заде, Салім Гюльрзаевич.
Електронні явища в вузькощілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / С. Г. Гасан-заде ; (Киев). - Київ, 2003. - 302 с. - Бібліогр.: назв.(378)с.268-302
Дод. точки доступу:
(Киев)
|
| 9. |
Корчовий, Андрій Адамович.
Розсіяння х-промнів шаруватими періодичними структурами та діагностика їх параметрів : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. А. Корчовий ; (Київ). - Київ, 2007. - 140 с. - Бібліогр.: назв.(120)с.126-137
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 10. |
Костильов, Віталій Петрович.
Процеси фотоелектричного перетворення енергії в кремнієвих багатошарових структурах з дифузійно-польовими бар,єрами : дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.01. / В. П. Костильов ; (Київ). - Київ, 2009. - 343 с. - Бібліогр.: назв.(269)с.316-343
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 11. |
Сахно, Микола Вадимович.
Граничні параметри та властивості неохолоджуваних багатоелементних приймачів тгц/суб-тгц діапазону : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.01 / М. В. Сахно ; (Київ). - Київ, 2014. - 152 с. - Бібліогр.: назв.(121)с.141-152
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 12. |
Бойко, Микола Іванович.
Оптимізація структурно-морфологічних параметрів монокристалів Cd(Zn) Te для створення детекторів ядерного випромінювання : канд. техн. наук : 05.27.06 / М. І. Бойко ; (Київ). - Київ : [б. и.], 2016. - 136 с. - Бібліогр.: назв.(130)с.120-135. - Б. ц.
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 13. |
Левицький, Сергій Миколайович.
Лазерно-індуковане формування бар,єрних структур для ядерних детекторів та розробка термоелектричних перетворювачів енергії на основі халькогенідів другої та четвертої груп : дис...канд.техн.наук:05.27.06 / С. М. Левицький ; (Київ). - Київ, 2016. - 151 с. - Бібліогр.: назв.(130)с.138-150
Дод. точки доступу:
(Київ)
|
| 14. |
Кашуба, Андрій Іванович.
Трансформація енергетичних зон та оптичних параметрів твердих розчинів заміщення галогенідів індію і талію : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / А. І. Кашуба. - Львів, 2017. - 20 с.
|
| 15. |
Венгрин, Богдан Ярославович.
Механізми впливу фрактальної будови і домішкової енергетичної топології нанопористих біовуглеців на ефективність накопичення енергії на їхній межі з електролітом : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Б. Я. Венгрин ; Львівський Національний університет імені Івана Франка. - Львів, 2017. - 20 с.
|
| 16. |
Кононець, Наталія Вікторівна.
Процеси міграції енергії електроннних збуджень в нанокристалах боратів та фосфатів з різною анізотропією розташування регулярних іонів : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Н. В. Кононець. - Харків, 2018. - 17 с.
|
| 17. |
Рудиш, Мирон Ярославович.
Оптико-електронні параметри кристалів літій-амоній сульфату під дією одновісних тисків : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / М. Я. Рудиш ; Львівський Національний університет імені Івана Франка. - Львів, 2018
|
| 18. |
Губенко, Катерина Олександрівна.
Оптична спектроскопія перенесення енергії електронного збудження в гібридних органо/неорганічних комплексах на основі наночастинок ReV04(Re=Gd,Y, Eu) і CaWO4 : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.05 / К. О. Губенко. - Харків, 2018. - 20 с.
|
| 19. |
Закієв, Вадим Ісламович.
Прилад безконтактного вимірювання геометричних параметрів поверхні виробів методом інтерферометрії : автореф.дис...канд.техн.наук:05.11.01 / В. І. Закієв ; Міністерство освіти і науки України Національний авіаційний університет. - Київ, 2019. - 20 с.
|
| 20. |
Сабов, Томаш Мар,янович.
Іонно-стимульована трансформація структури та оптоелектричних параметрів кристалів хромогенних і фоточутливих шарів : автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Т. М. Сабов ; НАНУ інститу фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2019. - 146 с.
|
| | |
Простий
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
