Пошуковий запит: (<.>K=ПОЛУПРОВОДНИК$<.>+<.>K=ЭЛЕКТРОЛИТ$<.>+<.>K=МЕТАЛЛ$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 31
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. | Ковалев В.М. Взаимодействие элементарных возбуждений полупроводниковых наноструктур с акустическими и электромагнитными полями : Автореф.дис...докт.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. М. Ковалев ; Автореферат (Новосибирск). - Новосибирск, 2017. - 43 с.
|
2. | Мороженко В.А. Влияние внешних воздействий на излучательные характеристики свободных электронов в полупроводниках : Диссертация канд.физ-мат.нау / В. А. Мороженко ; (Киев). - Киев, 1994. - 127 с.
|
3. | Прокопенко И.В. Деформационные поля в полупроводниковых монокристаллах и эпитаксиальных системах при динамическом рассеянии рентгеновских лучей : Диссертация докт.физ.-мат.наук / И. В. Прокопенко, И. В. Прокопенко ; (Киев). - Киев, 1995. - 256 с.
|
4. | Никитенко Е.В. Деформационные эффекты в кубических полупроводниках с неоднородным потенциалом : Диссертация канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Е. В. Никитенко ; (Киев). - Киев, 1999. - 121 с.
|
5. | Кончиц А.А Динамика спиновых систем и микроволновое поглощение в полупроводниках и низкоомных твердых растворах : Дис..докт.физ.-мат.наук:01.04.10 / А.А Кончиц ; (Киев). - Киев, 2001. - 312 с.
|
6. | Богословская А.Б. Инжекционно-термические и рекомбинационные процессы в многобарьерных А3В5- полупроводниковых излучателях инфракрасного диапазона : Дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.01 / А. Б. Богословская ; (Киев). - Киев, 2005. - 193 с.
|
7. | Ерюков Н.А. Исследование оптических свойств наноструктур полупроводник-металл в присутствии плазмонного резонанса : Автореф.диссертации канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Н. А. Ерюков ; (Новосибирск). - Новосибирск, 2016. - 22 с.
|
8. | Мазин М.А. Исследование системы сцинтиллятор-полупроводниковый фотоприемник и разработка детекторов ионизирующей радиации : Диссертация канд.техн.наук:05.27.03 / М. А. Мазин ; (Киев). - Киев, 1996. - 154 с.
|
9. | Атдаев Б.С. Исследование тонкопленочных фоточувствительных гетеропереходов на основе полупроводниковых материалов типа А2В6, полученных с использованием химико-парофазного синтеза : Диссертация канд.физ.-мат.наук / Б. С. Атдаев , Б. С. Атдаев ; (Киев), 1994. - 206 с.
|
10. | Статов В.А. Исследование физики межфазных взаимодействий на границе раздела тугоплавкий металл-арсенид галлия : Диссертация канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / В. А. Статов ; (Киев). - Киев, 1996. - 135 с.
|
11. | Камуз А.М. Лазерностимулированные изменения рефракции полупроводников типа АIII ВVI и оптические волноводы на их основе : Диссертация доктора физ.-мат.наук: 01.04.10. / А. М. Камуз ; (Киев). - Киев, 1997. - 379 с.
|
12. | Володин В.А. Локализация фононов и фонон-плазмонное взаимодействие в полупроводниковых наноструктурах : Автореф. дис.. докт.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. А. Володин. - Новосибирск, 2017. - 34 с.
|
13. | Металлофизика и новейшие технологии. - Журнал виходить з 1979р.
|
14. | Шека В.И. Метод инвариантов в теории полупроводников : монография / Валентин Иванович В.И., Т.Л Линник. - Киев : Издательский дом"Виниченко "(НАНУ Институт физики полупроводников), 2017. - 429 с.
|
15. | Кулиш Н.Р. Нелинейная спектроскопия поглощения в области края фундаментальной полосы полупроводников типа А2В6 : Диссертация доктора физ.-мат наук:01.04.10 / Н. Р. Кулиш ; диссертация (Киев). - Киев, 1994. - 328 с.
|
16. | Вакуленко О.В. Оптическая перезарядка примеси в полупроводниках : монография / О. В. Вакуленко, М. П. Лисица. - Киев : Наукова думка(АН УССР Институт полупроводников), 1992. - 206 с.
|
17. | Шестаков А.В. Особенности магнитных свойств полупроводников Hg1-xCdxTe, Hg1-xMnxTe : автореф.дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / А. В. Шестаков ; Казанский физико-технический институт им.Е.К.Завойского. - Казань, 23. - 23 с.
|
18. | Козловский С.И. Особенности переноса носителей заряда в полупроводниковых кристаллах кубической сингонии с наведенной анизотропией электропроводности : Автореф.дис...докт.физ.-мат.наук:01.04.10 / С. И. Козловский ; (Киев). - Киев, 1995. - 256 с.
|
19. | Паничевская Т.В. Особенности формирования и релаксации неравновесных фотоэлектрических эффектов в поверхностно-барьерных полупроводниковых структурах : Диссертация каанд.физ.-мат наук:01.04.07 / Т. В. Паничевская ; (Киев ; ). - киев, 1997. - 140 с.
|
20. | Маркевич И.В. Подвижные дефекты как фактор нестабильности параметров полупроводников А2Б6 : диссертация доктора физ.-мат.наук:01.04.10 / И. В. Маркевич ; (Киев). - Киев, 1996. - 292 с.
|
| |