Реєстрація
Користувач
Пароль
 

Каталоги бібліотек установ Національної академії наук України

Бази даних


Інститут фізики напівпровідників - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
 Знайдено в інших БД:Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського (388)Інститут біоорганічної хімії та нафтохімії (4)Інститут біохімії імені О. В. Палладіна (4)Інститут гідробіології (41)Інститут географії (6)Інститут економіки та прогнозування (1)Інститут електродинаміки (2)Інститут зоології (50)Інститут історії України (14)Інститут літератури імені Т. Г. Шевченка (2)Інститут математики (118)Інститут проблем кріобіології і кріомедицини (1)Інститут проблем міцності
імені Г. С. Писаренка (21)
Інститут теоретичної фізики імені М. М. Боголюбова (1)Інститут фізики (1)Інститут фізіології імені О. О. Богомольця (1)Інституту соціології (2)
Формат представлення знайдених документів:
повний стислий
Пошуковий запит: (<.>K=SI<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17
1.Фурсенко О.В. Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром : Дисертація канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. В. Фурсенко ; (Київ). - Київ, 1999. - 131 с.
2.Гайдар Г.П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і яжерної радіації : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2000. - 145 с.
3.Кушлик М.О. Деформаційні процеси та дислокаційна електролюмінесценція в приповерхневих шарах кристалів p-Si : Автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / М. О. Кушлик ; (Львів)
4.Чирчик С.В. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах : Дис...канд.фіз.-мат.наук: / С. В. Чирчик ; (Київ). - Київ, 2006. - 157 с.
5.Шинкаренко В.В. Структурна релаксація нанорозмірних плівок Ta2О5, вирощених на підкладках p-Si, стимульована мікрохвильовою обробкою : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / В. В. Шинкаренко ; (Київ). - Київ, 2009. - 130 с.
6.Тимочко М.Д. Гальваномагнітні явища у модифікованих ультразвуком та y-опроміненням кристалах CdMnHgTe, Ge,Si : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. Д. Тимочко ; (Київ), 2011. - 174 с.
7.Гудименко О.Й. Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(ga)As : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. Й. Гудименко ; (Київ). - Київ, 2011. - 138 с.
8.Тягульський С.І. Електролюмінесценція та захоплення заряду в структурах SiO2-Si з нанокластерами рідкоземельних елементів : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. І. Тягульський ; (Київ). - Київ, 2013. - 140 с.
9.Гайдар Г.П. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si I Ge : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2014. - 362 с.
10.Рогило Д.И. Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111) : Автореф.дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Д. И. Рогило. - Новосибирск, 2017. - 22 с.
11.Дяденчук А.Ф. Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників(Si,A2B6 та A3B5) : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Ф. Дяденчук ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2018. - 140 с.
12.Дяденчук А.Ф. Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників(Si,A2B6 та A3B5) : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Ф. Дяденчук ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є. Лашкарьова. - Київ, 2018. - 19 с.
13.Мирончук Г.Л. Оптоелектронні та нелінійно-оптичні характеристики складних халькогенідних систем Ag-Ga(In)-Si(Ge)-Si(Se) : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Г. Л. Мирончук. - Чернівці : [б. и.], 2019. - 40 с.
14.Деленко Т.О. Ізотермічні перерізи (600 С) діаграм стану та кристалічні структури сполук систем {Dy,Yb}-Ga-{Si,Ge} : автореф.дис...канд.хім.наук:02.00.01 / Т. О. Деленко ; Міністерство освіти і науки України Львівський національний університет імені Івана Франка. - 24 с.
15.Мельничук Х.О. Системи на основі сполук R2S3, MeS,Sn(Si)S2(R-P3M, Me-Pb,Fe, Co, Ni): фазові рівноваги, кристалічна структура і властивості сульфідних фаз : автореф.дис...канд.хім.наук:02.00.01 / Х. О. Мельничук ; Міністерство освіти і науки Ужгородський Національний уніерситтет. - Ужгород, 2021. - 23 с.
16.Саріков А.В. Структурно-фазові перетворення при формуванні плівок і нанокомпозитів на основі Si та 3C-SiC : Дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. В. Саріков ; НАНУ ІФН ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2021. - 291 с.
17.Саріков А.В. Структурно-фазові перетворення при формуванні плівок і нанокомпозитів на основі Si та 3C-SiC : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук601.04.07 / А. В. Саріков ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2021. - 40
 
Інститут фізики напівпровідників

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського