Пошуковий запит: (<.>K=SI<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 17
Представлено документи з 1 до 17
|
1. | Фурсенко О.В. Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром : Дисертація канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. В. Фурсенко ; (Київ). - Київ, 1999. - 131 с.
|
2. | Гайдар Г.П. Особливості анізотропії розсіяння електронів у кристалах Si і Ge n-типу, що виникають під впливом направленої пружної деформації, термовідпалів і яжерної радіації : дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2000. - 145 с.
|
3. | Кушлик М.О. Деформаційні процеси та дислокаційна електролюмінесценція в приповерхневих шарах кристалів p-Si : Автореф.дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.10 / М. О. Кушлик ; (Львів)
|
4. | Чирчик С.В. Механізм впливу випромінювання з області власного поглинання монокристалічного Si на його теплове випромінювання в ізотермічних умовах : Дис...канд.фіз.-мат.наук: / С. В. Чирчик ; (Київ). - Київ, 2006. - 157 с.
|
5. | Шинкаренко В.В. Структурна релаксація нанорозмірних плівок Ta2О5, вирощених на підкладках p-Si, стимульована мікрохвильовою обробкою : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / В. В. Шинкаренко ; (Київ). - Київ, 2009. - 130 с.
|
6. | Тимочко М.Д. Гальваномагнітні явища у модифікованих ультразвуком та y-опроміненням кристалах CdMnHgTe, Ge,Si : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / М. Д. Тимочко ; (Київ), 2011. - 174 с.
|
7. | Гудименко О.Й. Рентгенівська дифрактометрія приповерхневих шарів та гетероструктур на основі Si(Ge) та In(ga)As : Дис...канд.фіз.-мат.наук:01.04.07 / О. Й. Гудименко ; (Київ). - Київ, 2011. - 138 с.
|
8. | Тягульський С.І. Електролюмінесценція та захоплення заряду в структурах SiO2-Si з нанокластерами рідкоземельних елементів : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С. І. Тягульський ; (Київ). - Київ, 2013. - 140 с.
|
9. | Гайдар Г.П. Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si I Ge : дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. П. Гайдар ; (Київ). - Київ, 2014. - 362 с.
|
10. | Рогило Д.И. Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111) : Автореф.дис...канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Д. И. Рогило. - Новосибирск, 2017. - 22 с.
|
11. | Дяденчук А.Ф. Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників(Si,A2B6 та A3B5) : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Ф. Дяденчук ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2018. - 140 с.
|
12. | Дяденчук А.Ф. Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників(Si,A2B6 та A3B5) : автореф.дис...канд.техн.наук:05.27.06 / А. Ф. Дяденчук ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є. Лашкарьова. - Київ, 2018. - 19 с.
|
13. | Мирончук Г.Л. Оптоелектронні та нелінійно-оптичні характеристики складних халькогенідних систем Ag-Ga(In)-Si(Ge)-Si(Se) : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.10 / Г. Л. Мирончук. - Чернівці : [б. и.], 2019. - 40 с.
|
14. | Деленко Т.О. Ізотермічні перерізи (600 С) діаграм стану та кристалічні структури сполук систем {Dy,Yb}-Ga-{Si,Ge} : автореф.дис...канд.хім.наук:02.00.01 / Т. О. Деленко ; Міністерство освіти і науки України Львівський національний університет імені Івана Франка. - 24 с.
|
15. | Мельничук Х.О. Системи на основі сполук R2S3, MeS,Sn(Si)S2(R-P3M, Me-Pb,Fe, Co, Ni): фазові рівноваги, кристалічна структура і властивості сульфідних фаз : автореф.дис...канд.хім.наук:02.00.01 / Х. О. Мельничук ; Міністерство освіти і науки Ужгородський Національний уніерситтет. - Ужгород, 2021. - 23 с.
|
16. | Саріков А.В. Структурно-фазові перетворення при формуванні плівок і нанокомпозитів на основі Si та 3C-SiC : Дис...докт.фіз.-мат.наук:01.04.07 / А. В. Саріков ; НАНУ ІФН ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2021. - 291 с.
|
17. | Саріков А.В. Структурно-фазові перетворення при формуванні плівок і нанокомпозитів на основі Si та 3C-SiC : автореф.дис...докт.фіз.-мат.наук601.04.07 / А. В. Саріков ; НАНУ Інститут фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова. - Київ, 2021. - 40
|