^aВ379.227,022 Чупира, С. М. Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. Електронні процеси у напівпровідниках в умовах фото-Ганн-ефекту [Текст] : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / С.М. Чупира; Чернівецький національний ун-т ім. Юрія Федьковича. - Чернівці : [б. и.], 2007. - 20с.. - Б. ц. Содержание: Анотація: Початок перехідної області визначається концентрацією легувальної домішки, а її ширина - напруженістю прикладеного електричного поля. Установлено, що для напівпровідника з параметрами In/I-GaAs за умов ФГЕ з урахуванням другої та третьої гармонік розкладу в ряд просторово-часових розподілів напруженості електричного поля та концентрації носіїв заряду значення показника заломлення світла DELTA n для режиму сильної інтенсивності більші у 1,3 - 1,5 разів, а для режиму слабкої інтенсивності лазерного освітлення - у 3 - 4 рази у порівнянні з оцінками, що одержуться в одногармонійному (лінійному) наближенні.