|
|
Р86069
Исследование GaAs- структур со встроенным пи- ипсилон- переходом для создания координатно- чувствительных детекторов [Текст] / А. П. Воробьев [и др]. - Протвино : [б.в.], 1992. - 23 с. - (Препр. / Институт физики высоких энергий ; 92-168)Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Воробьев, А. П.; Чмиль, В. Б.; Чунтонов, А. В.; Корецкий, А. В.; Потапов, А. И.; Институт физики высоких энергий
Видання зберігається у :
|
|