|
MFI4334/1-2 Omura, Ichiro. High Voltage MOS device design: injection enhancement and negative gate capacitance [Text] : diss. / I. Omura ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 2000. - 129 p.: fig. 2 mfisheРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу: Swiss Federal institute of technology Zürich
Видання зберігається у :
|
|