|
|
РА435821
Дяденчук, Альона Федорівна.
Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, A2B6 та A3B5) [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Дяденчук Альона Федорівна ; Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України. - Київ, 2018. - 19 с. : рис.Рубрикатор НБУВ: УДК: Тематичні рубрики:
Дод. точки доступу:
Національна академія наук України; Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова (Київ)
Видання зберігається у :
Основний фонд
|
|