Томашик, З.
Хімічне полірування поверхні монокристалів CdTe, $Ebold { roman Zn sub x roman Cd sub {1~-~x } roman Te} та $Ebold { roman Cd sub x roman Hg sub {1~-~x } roman Te} травильними композиціями системи $Eroman bold {H sub 2 O sub 2 ~-~HBr}-етиленгліколь [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!

Рубрикатор НБУВ:
Тематичні рубрики:


Шифр журнала:

Кл.слова (ненормированные):
травлення -- х?м?ко-динам?чне пол?рування -- кадм?й телурид -- легування -- к?нетика розчинення -- бромвид?льн? травники
Анотація: Досліджено характер хімічного травлення нелегованого та легованого CdTe і твердих розчинів <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te,~Zn sub 0,04 Cd sub 0,96 Te}> та <$Eroman {Zn sub 0,2 Cd sub 0,8 Te}> бромвидільними розчинами системи <$Eroman {H sub 2 O sub 2 }> - HBr - ЕГ, виявлено концентраційні залежності швидкості розчинення та побудованоповерхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса). Визначено лімітні стадії процесу розчинення та оптимізовано склади полірувальних травників і режими проведення хіміко-динамічного полірування зазначених матеріалів.
The nature of chemical etching of undoped and doped CdTe and <$Eroman {Cd sub 0,2 Hg sub 0,8 Te,~Zn sub 0,04 Cd sub 0,96 Te}> and <$Eroman {Zn sub 0,2 Cd sub 0,8 Te}> solid solutions using the bromine emerging solutions of the <$Eroman {H sub 2 O sub 2 }> - HBr - glycol system is investigated, the concentration dependences of the dissolution rate were determined and the surfaces of equal etching rates (Gibbs diagrams) were built. The limiting dissolution stages were defined, the polishing etchant compositions and the conditions of chemical dynamic polishing of mentioned above materials were optimized. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!

Дод. точки доступу:
Стратійчук, І. ; Томашик, В. ; Дригибка, С.

Видання зберігається у :