|
|
Павленко, Д. В.
Ширина вольтамперных характеристик диодов ганна на основе $Eroman bold In sub x Ga sub 1-x N [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
ударная ионизация -- диод Ганна -- ширина ВАХ
Анотація: Розглянуто ударну іонізацію в GaN, InN і їх сполуках, визначено ширину вольтамперних характеристик і напруги, за яких розвивається ударна іонізація, у діодах Ганна на основі GaN, InN і їх сполуках.
Рассмотрена ударная ионизация в GaN, InN и их соединениях, определены ширина вольтамперных характеристик и напряжения, при которых развивается ударная ионизация в диодах Ганна на основе GaN, InN и их соединениях.
Impact ionization in GaN, InN and their combinations is considered, the current-voltage characteristics' width and voltages enough for impact ionization development in Gunn diodes made of GaN, InN and their combinations are defined !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Прохоров, Э. Д.
Видання зберігається у :
|
|