|
|
Olikh, Ja. M.
Active ultrasound effects and their future usage in sensor electronics [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND!
Переклад назви: Ефекти активного ультразвуку та перспектива їх використання в сенсорній електроніціРубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Кл.слова (ненормированные):
semiconductors -- ultrasound -- active ultrasound -- crystal defects -- sensor electronics
Анотація: Систематизовано різноманітні явища й ефекти ультразвуковї дії на фізичні характеристики дислокаційних кристалів типу A2B6(CdS, ZnS, CdxHg1-хТе) та бездислокаційних (Ge, Si); наведено результати для напівпровідникових світловипромінювальних структур (GaAs, GaAlAs, GaP); проаналізовано можливості використання активного ультразвуку (УЗ) у технології мікроелектронних приладів (термоакустичний відпал дефектів, акустостимульоване легування за допомогою методу імплантації іонів домішок). Розглянуто динамічні ефекти (in-situ), які проявляються лише під час дії УЗ. Обговорено можливі механізми таких акустостимульованих ефектів та їх застосування. Розглянутий спектр фізичних та технологічних ефектів УЗ у напівпровідниках запропоновано для наступного їх використання в сенсорній електроніці. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Olikh, O. Ya.
Видання зберігається у :
|
|