 Надточій, В. О. Рубрикатор НБУВ: Шифр журнала: Анотація: Досліджено дію імпульсу вільної генерації рубінового лазера на поверхню (112) монокристала Ge. Шляхом розв'язання диференціального рівняння теплопровідності отримані залежності густини оптичної потужності, яка поглинається поверхнею Ge, від часу опромінення, а також розподіл температури на поверхні вздовж радіуса лазерної плями. Проаналізовано фізичний механізм виникнення дислокацій на ділянці з температурою ~ 450 К, де фотонагрів не є головним фактором дефектоутворення. Зроблено висновок, що дислокації в лінійно-періодичних структурах виникають за рахунок гетерогенного зародження і розширення призматичних петель, орієнтованих в періодично-індукованому полі концентрації вакансій. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND! Дод. точки доступу: Нечволод, М. К.; Голоденко, М. М.; Москаль, Д. С. Видання зберігається у : |