|
|
Каганович, Э. Б.
Емкостные свойства структур с низкоразмерным кремнием: (Обзор) [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ:
Шифр журнала:
Анотація: В обзоре проанализировано состояние исследований емкостных свойств низкоразмерных электронных систем пористого кремния (por-Si), полученного химическим травлением монокристаллического кремния (c-Si), и пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), сформированных методами вакуумного осаждения, а также структур на основе гетероперехода широкозонный nc-Si - c-Si. Рассмотрены вольт-фарадные характеристики, характер частотной дисперсии электрической емкости, особенности контактных явлений, процессы одноэлектронного заряжения Si-нанокристаллов и накопления зарядов в структурах металл (M)/c-Si/nc-Si/M, предназначенных для электролюминесцентных, фоточувствительных структур и структур памяти кремниевой оптоэлектроники. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Манойлов, Э. Г.; Свечников, С. В.
Видання зберігається у :
|
|