|
|
Заячук, Д. М.
Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах (ЕШ) AlV0,1DGaV0,9DAs і AlV0,28DGaV0,72DAs, вирощених за допомогою методу низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0,014 ат %, то концентрація вільних дірок у легованих плівках є вищою за $E 1~cdot~10 sup 18~roman см sup -3, що є достатнім для їх використання як активних та емітерних шарів лазерної гетероструктури. Проаналізовано залежність результативної концентрації дірок в ЕШ від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.
Видання зберігається у :
|
|