|
|
Єрмолович, І. Б.
Модифікація дефектної структури SiOVB2D/GaAs високочастотним електромагнітним випромінюванням [Text] !Otitkn.pft: FILE NOT FOUND! !oizd.pft: FILE NOT FOUND! !ospec.pft: FILE NOT FOUND! !oistaspk_H.pft: FILE NOT FOUND! Рубрикатор НБУВ: Тематичні рубрики:
Шифр журнала:
Анотація: Досліджено вплив електромагнітного випромінювання частотою 2,45 ГГц на трансформацію дефектної структури в приконтактній області напівпровідникової гетероструктури SiОV2D/GaAs. Показано, що вплив випромінювання на рекомбінаційні властивості та спектр дефектних станів напівпровідника залежить від структурно-домішкових неоднорідностей вихідного напівпровідникового матеріалу. Обговорено можливі механізми зміни випромінювальної рекомбінації під дією НВЧ випромінювання. !oprip481_H.pft: FILE NOT FOUND!
Дод. точки доступу:
Конакова, Р. В.; Мілєнін, В. В.; Охріменко, О. Б.; Редько, Р. А.
Видання зберігається у :
|
|